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新藤 浩之*; 緑川 正彦*; 佐藤 洋平*; 久保山 智司*; 平尾 敏雄; 大島 武
JAEA-Review 2008-055, JAEA Takasaki Annual Report 2007, P. 5, 2008/11
活性層が薄くイオン入射に伴い発生する電子・正孔対の総量を抑制することができるため、耐放射線性半導体素子として期待される0.15mFD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)上に作製した、FPGA(Field Programmable Gate Array)要素回路の放射線耐性評価をAr 150MeV(LET: 15.1/(mg/cm)), Kr 322MeV(LET: 37.9/(mg/cm)), Xe 454MeV(LET: 60.6/(mg/cm))を用いて実施した。その結果、FPGAを構成する基本回路の一つであるConfiguration bitのSEUの発生要因として、OFF状態のトランジスタが一つだけ反転することでSETが発生するSTG(Single transient gate)モードと高LET粒子が冗長トランジスタを同時に駆動してしまうDH(Duble Hit)モードの2種類があることがわかった。さらにSEU反転断面積とLETとの関係において、STGモードではLETが40MeV/(mg/cm)以下でエラー発生が観測されないこと、一方DHモードではLETが60MeV/(mg/cm)以下でエラー発生が観測されない結果を得た。この結果は、従来のバルクシリコンで得られている閾値LET(LET:15.1/(mg/cm))と比較して2.64.5倍も耐性が向上されている。さらにこの結果から、FPGA回路に対する耐SEUを改善するために必要なパラメータの取得ができた。
新藤 浩之*; 佐藤 洋平*; 緑川 正彦*; 久保山 智司*; 槙原 亜紀子*; 平尾 敏雄; 伊藤 久義
no journal, ,
微細加工が進んだ高機能LSIの放射線耐性強化のために、SOI(Silicon On Insulator)構造を有するデバイスを用いて誤信号発生回避の冗長トランジスタの設計を行い、高エネルギー重イオン照射による実証試験を行った。その結果、SOI技術を用いて設計製作した冗長回路では、重イオン照射によるSEUの発生断面積が対策なしと比較して2桁も少ないことが得られた。しかし、問題点として回路内での誤信号の発生を完全に除去するには、面積・消費電力が2倍,動作速度が1/2になることが判明し、大きなペナルティが課せられることも判明した。
久保山 智司*; 新藤 浩之*; 緑川 正彦*; 佐藤 洋平*; 大島 武; 平尾 敏雄; 横瀬 保*; 槙原 亜紀子*
no journal, ,
宇宙用LSIは、微細化の進展によってノイズマージンがますます低下し、宇宙で遭遇する陽子や重粒子イオンの飛跡に沿って生成される電子・正孔対により発生する微弱なノイズによって容易に誤動作を起こしてしまう。これに対して、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いたLSIでは個々のトランジスタが酸化膜で基板と電気的に絶縁されているため、本質的にバルク基板で発生するようなノイズは発生しない。ただし、トランジスタ内にもp-n接合が存在するため、このp-n接合内に生成された電子・正孔対によるノイズの発生は阻止できない。その対策として冗長トランジスタを追加することにより、p-n接合によるノイズの発生を阻止する方法がある。そこでSOI基板上に、データ記憶回路の1つであるラッチ回路をSET(Single Event Transient)フリー回路作製技術を適用して試作し、TIARAからの重粒子イオンを照射することで誤動作の発生断面積を測定した。その結果、LET=64MeV/(mg/cm)のXeイオンでも一切誤動作することはなく、実際の宇宙環境で誤動作する確率がほとんどないレベルの耐放射線性を達成できることが確認できた。
新藤 浩之*; 緑川 正彦*; 佐藤 洋平*; 久保山 智司*; 平尾 敏雄
no journal, ,
活性層が薄くイオン入射に伴い発生する電子・正孔対の総量を制御することができるため、耐放射線半導体素子として期待される0.15mFD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)上に作製した、FPGA(Field Programble Gate Array)要素回路の放射線耐性を評価した。その結果、FPGAを構成する基本回路の一つである、Configuration bitのシングルイベントアップセット(SEU)発生要因として、OFF状態のトランジスタが一つだけ反転することで発生するSTG(Single Transient Gate)モードと、高LET粒子が冗長トランジスタを同時に駆動してしまうDH(Double Hit)モードの2種類があることがわかった。さらにSEU反転断面積とLETとの関係において、STGモードではLETが40MeV/(mg/cm)以下でエラー発生が観測されないこと、一方DHモードではLETが60MeV/(mg/cm)以下でエラー発生が観測されない結果を得た。この結果は、従来のバルクシリコンで得られている閾値(LET:15.1/(mg/cm))と比較して2.64.5倍の耐性向上である。さらにこれらの評価を通して、FPGA回路に対する耐SEUを改善するために必要なパラメータの取得ができた。
阿部 哲也; 新井 貴; 丹澤 貞光; 廣木 成治
緑川 洋平*; 三木 聡*
【課題】比較的簡単な構成により、ドライ真空ポンプからの排気に含まれている微粉を、有効に除去する。 【解決手段】固体潤滑性の軸受10を使用してなる放射線下におけるドライ真空ポンプの排気管に連なる導気管1、1Aの流入端付近に、交換可能なフィルタユニット2を設けるとともに、その前方適所において、導気管11A内に、排気を径方向外側へ偏向させる偏向体3を設け、かつこの偏向体3の前方において、導気管11Aの内面に、排気中に含まれる微細摩耗粉を捕捉しうる粘着層4を設ける。
阿部 哲也; 新井 貴; 根本 正博; 廣木 成治
緑川 洋平*; 三木 聡*
【課題】放射線環境下で使用される排気用フィルタにおいて、継続使用が不可能となった際には、要部を取外して焼却することができるようにする。 【解決手段】保持筒21内に、可燃性の非通気性材料からなる小径の遮板23を、燃焼時に有毒ガスを発生することのない可燃性繊維22で包囲して嵌入した中心部閉塞ユニットフィルタ20と、保持筒31内に、可燃性の非通気性材料からなる環状遮板33を、燃焼時に有毒ガスを発生することのない可燃性繊維34で包囲して嵌入した中心部開口ユニットフィルタ30を、接着剤を使用することなく、軸線方向に交互に重合して外筒10内に嵌合する。