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石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 道上 修*; 若菜 裕紀*; 橋本 健男*; 神原 正*; Mller, C.*; Neumann, R.*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 193(1-4), p.278 - 282, 2002/06
被引用回数:8 パーセンタイル:47.9(Instruments & Instrumentation)広い範囲のエネルギー(80MeV-3.84GeV)の重イオンを酸化物超伝導体EuBaCuOに照射し、電子励起効果による格子定数変化を測定した。その結果、高速イオン速度のときにのみ、照射による格子定数変化は、電子的阻止能の4乗則に従い、低速になると、その法則からずれてくることがわかった。さらに、初期イオン化率を用いて解析すると、そのずれが解消され、全てのイオン速度において初期イオン化率のみに依存する、いわゆるクーロン爆発モデルを示唆する振る舞いが観測された。
石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 道上 修*; 若菜 裕紀*; 橋本 健男*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 191(1-4), p.606 - 609, 2002/05
被引用回数:1 パーセンタイル:12.5(Instruments & Instrumentation)EuBaCuOは、熱処理により酸素量を変化させることができ、=0のときは伝導性をもち、=1のときは絶縁体となる。酸素量変化によって電気抵抗を大きく変化させたにもかかわらず、高エネルギーイオン照射による電子励起効果は、酸素量に依らず同じであることがわかった。
石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 道上 修*; 若菜 裕紀*; 神原 正*
Journal of the Physical Society of Japan, 69(11), p.3563 - 3575, 2000/11
被引用回数:9 パーセンタイル:52.88(Physics, Multidisciplinary)酸化物超伝導体EuBaCuOy薄膜に1MeV~数GeVの広いエネルギー範囲に渡るイオンを系統的に照射し、低温における電気抵抗変化をその場測定した。低エネルギーイオン照射では弾性的はじき出しによる欠陥生成,高エネルギーイオン照射では初期イオン化による欠陥生成が支配的であることを強く示唆するデータを得た。照射後のアニール効果についても議論した。
岩瀬 彰宏; 石川 法人; 知見 康弘; 若菜 裕紀*; 道上 修*; 神原 正*; 鶴 浩二*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 146(1-4), p.557 - 564, 1998/00
被引用回数:20 パーセンタイル:80.42(Instruments & Instrumentation)原研VdG、タンデム、及び理研リングサイクロトロンの各加速器を用いて得られた、酸化物超伝導体EuBaCuOの高エネルギーイオン照射効果に関する最近の成果をレヴューし、照射効果のメカニズムについて議論する。