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報告書

J-PARC 3GeVシンクロトロン真空システム機器の耐放射線試験

三尾 圭吾; 荻原 徳男; 丸下 元治*; 荒井 秀幸*; 後藤 敬一*

JAEA-Technology 2009-064, 40 Pages, 2010/03

JAEA-Technology-2009-064.pdf:9.57MB

J-PARC 3GeVシンクロトロン(RCS)主トンネル内は、大強度陽子加速に伴う高放射線環境となる。真空システムの構築にあたっては、機器の耐放射線性を10MGy以上とした。本システムで用いる機器を選定するため、$$gamma$$線照射施設を用いて照射試験を実施した。試験の結果、冷却ファン,スパッタリングイオンポンプ用高圧導入端子,ベーキングヒーター,配管シール材について照射線量10MGyの耐放射線性を確認した。ドライスクロールポンプについてはチップシールの材質(テフロン)の制約から1MGyまでの耐放射線性にとどまった。

報告書

耐放射線性PEEKケーブルの開発

三尾 圭吾; 荻原 徳男; 古郡 永喜*; 荒井 秀幸*; 西澤 代治*; 西殿 敏朗*; 引地 裕輔

JAEA-Technology 2009-018, 86 Pages, 2009/04

JAEA-Technology-2009-018.pdf:13.44MB

J-PARC 3GeV RCS真空システム機器に用いる、耐放射線性を有するPEEKケーブルの開発を行った。使用するケーブルは、ノンハロゲン性、10MGy以上の耐放射線性,高難燃性が要求される。ケーブルの開発では、絶縁材料の候補から、ノンハロゲン性、耐放射線性、及び高難燃性を満足し、かつ伸び率が比較的大きいPEEK樹脂を絶縁材料として選定した。PEEKケーブルの耐放射線性を実証するため、$$gamma$$線照射試験を行った。ここでは、樹脂の基本的な照射特性試験、実機相当ケーブルでの電気的特性試験、並びに、耐延焼性試験を実施した。それぞれの試験項目について、10MGyの耐放射線性を確認した。

論文

J-PARC RCS真空システム関連機器の耐放射線性試験

三尾 圭吾; 荻原 徳男; 引地 裕輔; 丸下 元治*; 荒井 秀幸*; 後藤 敬一*; 西澤 代治*; 古郡 永喜*

Proceedings of 5th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan and 33rd Linear Accelerator Meeting in Japan (CD-ROM), p.252 - 254, 2008/00

J-PARC 3GeV RCS真空システムは、大強度陽子加速に伴う高放射線場下において、安定稼動すること、並びに、保守作業の被曝低減の観点から、高い耐放射線性が必要である。特に、シンクロトロン(主)トンネル内では、運転期間を30年とした場合に想定される放射線量は、10MGy$$sim$$100MGyである。上記理由から、主トンネル内に設置される真空機器等の耐放射線性を実証することを目的として、照射試験を行った。3GeV RCS真空システム機器のうち、主トンネル内に設置される、ケーブル,スパッタリングイオンポンプ(SIP)フィードスルー,冷却ファン,ベーキングヒーター(マントルヒーター),配管シール材に対して、それぞれ機器に応じて、照射前と照射後の試験項目を設定し、耐放射線性を評価した。その結果、今回評価した機器に関してはいずれも10MGy以上の耐放射線性を確認することができ、主トンネルに設置することが可能となった。これら機器は、今後の運転に伴う放射線に耐え、RCSの安定稼動に寄与することが期待される。

論文

Defects in 30 keV Er$$^{+}$$-implanted SiO$$_{2}$$/Si studied by positron annihilation and cathodoluminescence

平田 浩一*; 荒井 秀幸*; 河裾 厚男; 関口 隆央*; 小林 慶規*; 岡田 漱平

Journal of Applied Physics, 90(1), p.237 - 242, 2001/07

 被引用回数:4 パーセンタイル:21.84(Physics, Applied)

30keVのErイオン打込みによってSiO$$_{2}$$(48nm)/Si中に生成する欠陥を陽電子消滅及びカソードルミネッセンスによって調べた。3$$times$$10$$^{14}$$Er$$^{+}$$/cm$$^{2}$$及び1.5$$times$$10$$^{15}$$Er$$^{+}$$/cm$$^{2}$$の注入量に対して、低速陽電子ビームによるドップラー拡がり測定を行った。ESR測定の結果と併せて考えると、注入によって発生する欠陥の種類が注入量に依存することが判明した。カソードルミネッセンスと陽電子消滅のアニール温度依存性と、欠陥がルミネッセンスに及ぼす影響について可能性を探る。

論文

Effect of radiation damage on luminescence of erbium-implanted SiO$$_{2}$$/Si studied by slow positron beam

河裾 厚男; 荒井 秀幸*; 平田 浩一*; 関口 隆史*; 小林 慶規*; 岡田 漱平

Radiation Physics and Chemistry, 58(5-6), p.615 - 619, 2000/06

 被引用回数:3 パーセンタイル:26.42(Chemistry, Physical)

1.54$$mu$$mの赤外波長域に鋭い発光ピークを示すErをSiO$$_{2}$$/Si(膜厚500$AA,5000AA)$に注入し、発光強度のアニール挙動やドーズ依存性、エネルギー依存性について調べるとともに注入によって発生した損傷の回復過程を低速陽電子ビームを用いた陽電子消滅測定及び、電子スピン共鳴吸収測定(ESR)により調べた。発光特性については、30keVで注入した場合には注入後発光が全く観測されないのに対し、300keVの場合には熱処理を施さなくても発光が見られるなど大きな違いが見られた。陽電子消滅測定及びESR測定の結果、30keVの場合に注入量が少ないと大半の欠陥は600$$^{circ}$$Cまでのアニールで消失するが発光は900$$^{circ}$$Cで著しい増加を示すことがわかった。すなわち欠陥の回復と発光の増加は完全に一致しておらず、これより600$$^{circ}$$Cで欠陥の回復を経て、900$$^{circ}$$CでErが光学的に活性な状態へ移行するものと考えられる。また注入量が高い場合ESR欠陥は600$$^{circ}$$Cまでになくなるが、陽電子消滅パラメータは完全回復からはかけ離れていることがわかった。これより、欠陥がかなり残留するか、Erが陽電子消滅に影響するなどの効果が示唆される。

論文

Vacancy-hydrogen interaction in proton-implanted Si studied by positron lifetime and infrared absorption measurements

河裾 厚男; 荒井 秀幸*; 岡田 漱平

Mater. Sci. Forum, 255-257, p.548 - 550, 1997/00

プロトン照射によって誘起されるシリコン中の原子空孔-水素間の相互作用を陽電子寿命測定と赤外吸収測定によって研究した。又、比較のためアルファー照射と電子線照射に対しても実験を行った。電子線及びアルファー照射の場合、熱処理により電子空孔の成長プロセスが見られたが、プロトン照射の場合には、その様なプロセスは見られなかった。これは、プロトン照射によって導入された水素原子が高い活性度をもっており、同時に形成された原子空孔と極めて強く相互作用をするためと解釈される。実際、赤外吸収の結果、不対電子と結合した水素原子の局在振動に由来する多数の吸収線が見つかった。さらに、これら吸収線と陽電子寿命パラメータの熱処理挙動が、うまく対応づけられることが分かった。これより、見い出された赤外吸収線が原子空孔位置に捕捉されていると結論できる。上記の結果は、イオン照射誘起欠陥解析への陽電子消滅法の有効性をも示している。

口頭

Pirani vacuum gauge for J-PARC 3GeV synchrotron vacuum system

黒岩 雅英*; 松本 信彦*; 藤井 進*; 荻原 徳男; 荒井 秀幸*

no journal, , 

In J-PARC 3GeV synchrotron vacuum system, turbomolecular pumps (TMPs) are used for evacuation during beam operation. The backing pressure of the TMPs is always monitored with Pirani gauges. It is necessary for the gauge head to have high toughness against the vibration and abrupt air inlet etc. Thus W wire 50 micrometer in a diameter is adopted as the filament instead of Pt wire. Then we have found that the annealing at 1500 K for 10 min is effective to obtain the stable filament. Thus the gauge head with high toughness has been developed. The control unit for the gauge has been also newly designed, as the unit should be placed far from the gauge head which is located in a high level of radiation and electrical noise. We have adopted the combination of the constant current method with four-point probe method. Thus, with these techniques the output has been confirmed experimentally to be independent of the cable length, and less influenced by the noise. Generally the constant current method is not so suitable for measuring the higher pressure, however, we have confirmed that, for example, the pressure less than 20 Pa can be measured at 50 mA, and the pressure ranging from 20 Pa to 1000 Pa at 90 mA, respectively. Thus the current is controlled in such a way that the set value is increased with the increasing pressure in several stages.

口頭

J-PARC 3GeVシンクロトロン真空システム向けピラニ真空計の開発

黒岩 雅英*; 佐々木 優直*; 藤井 進*; 松本 信彦*; 荻原 徳男; 荒井 秀幸*

no journal, , 

3GeVシンクロトロンの真空システムにおいては、ビーム運転中の排気にTMPを使用する。そこでは、TMPとフォアラインポンプを制御するための真空計としてピラニ真空計を使用する。そのため、この真空計のセンサーヘッドには、30MGyという耐放射線性を有すること、並びに、振動等の機械的強度が要求される。また、ノイズ環境に強い必要がある。建家の制約条件から、ケーブル長も150mとなる。このような要求にこたえるピラニ真空計を開発し、実用化した。具体的には、センサーヘッドには耐放射線性の実証されている部材のみを使用した。また、制御に関しては、ケーブルの長さ対策として4端子法を採用した。さらに、ノイズ対策としては、定電流方式を採用し、測定範囲の拡大対策としては、電流の切り替え方式を取り入れた。

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