JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　3 件中 1件目～3件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Effects of oxygen annealing on dielectric properties of LuFeCuO$$_{4}$$

松尾 祥史*; 鈴木 宗泰*; 野口 祐二*; 吉村 武*; 藤村 紀文*; 吉井 賢資; 池田 直*; 森 茂生*

Japanese Journal of Applied Physics, 47(11), p.8464 - 8467, 2008/11

https://doi.org/10.1143/JJAP.47.8464
 被引用回数：11 パーセンタイル：42.15(Physics, Applied)

新規強誘電体LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$の鉄サイト置換体LuFeCuO$$_{4}$$を合成し、その誘電性と微細構造について調べた。室温における透過電子線回折によって観測された微細構造からは、ab面内に3倍周期を持つ、Fe$$^{3+}$$とCu$$^{2+}$$の長周期構造の存在が見いだされた。この構造は、LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$における鉄電荷秩序構造と類似しており、電気双極子を持つ。また、実空間像からは、5$$sim$$10nm程度の小さなドメインが観測され、電気双極子を持つドメインが形成されていることを示す。誘電率測定からは、500K近傍で誘電率にピークが見られ、ピークにおける誘電率は1000程度であり、誘電体であることを観測した。講演では、酸素アニールによる誘電特性やドメイン構造の変化についても報告する。

論文

Formation of the high-T$$_{c}$$ phase in Pb-free Bi-Sr-Ca-Cu-O thin film

永井 智*; 藤村 紀文*; 伊藤 太一郎*; 白石 健介

Japanese Journal of Applied Physics, 30(5A), p.L826 - L829, 1991/05

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L826
 被引用回数：5 パーセンタイル：34.21(Physics, Applied)

単結晶のMgO基板上に鉛を添加しないBi-Sr-Ca-Cu-Oのアモルファス薄膜をスパタ蒸着し、865$$^{circ}$$C2時間の熱処理によって形成される高T$$_{c}$$相の体積分率をX線回折によって調べた。基板を加熱しないで蒸着したアモルファス膜をそのまま、熱処理すると、高T$$_{c}$$相は87%に達するが、熱処理中に薄膜は基板から剥離する。基板の温度を300$$^{circ}$$Cにして蒸着した薄膜は熱処理中に剥離しないが、その熱処理によって得られる高T$$_{c}$$相の体積分率は43%に低下する。基板を300$$^{circ}$$Cに加熱して蒸着したアモルファス膜に200keVのNeイオンを室温で1$$times$$10$$^{13}$$cm$$^{-2}$$照射した後、結晶化の熱処理を行うと高T$$_{c}$$相の体積分率は69%まで向上する。基板の温度を300$$^{circ}$$Cにして蒸着したアモルファス膜を800$$^{circ}$$Cで1時間熱処理し、低T$$_{c}$$相を形成させた後、865$$^{circ}$$Cで2時間の熱処理を行うと高T$$_{c}$$相はX線回折によって検出できなかった。

口頭

大気圧非平衡窒素プラズマ及びRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si表面における結合状態の比較

早川 竜馬*; 中永 麻里*; 吉田 真司*; 田川 雅人*; 寺岡 有殿; 吉村 武*; 芦田 淳*; 功刀 俊介*; 上原 剛*; 藤村 紀文*

no journal, , 

大気圧プラズマとRFプラズマを用いて室温で作製したシリコン窒化膜の化学結合状態を放射光光電子分光で分析して比較した。その結果RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は5成分から成り立ち、大気圧プラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は4成分から成り立つこと,RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面にのみSi$$_{3}$$N成分が存在することがわかった。

3 件中 1件目～3件目を表示
  • 1