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飛田 徹; 中川 将*; 武内 伴照; 鈴木 雅秀; 石川 法人; 知見 康弘; 齋藤 勇一; 曽根田 直樹*; 西田 憲二*; 石野 栞*; et al.
Journal of Nuclear Materials, 452(1-3), p.241 - 247, 2014/09
被引用回数:17 パーセンタイル:76.64(Materials Science, Multidisciplinary)圧力容器鋼に含まれる不純物Cuの析出は、材料の照射脆化(照射硬化)の要因の一つである。本研究では、Fe-Cuモデル合金を用いて電子線照射試験を行い、機械的特性の指標となるビッカース硬さの増加と、材料内部の状態変化に敏感な電気抵抗率の低下を測定し、両者に良い相関があることを明らかにした。また、3DAPによる析出物の観察を行った結果、硬さの増加及び電気抵抗率の低下のメカニズムを析出物の体積分率を用いることで説明できることがわかった。これらのことから、電気抵抗率の測定により照射硬化を評価できる可能性が示唆された。
植山 大地*; 千星 聡*; 齋藤 勇一; 石川 法人; 西田 憲二*; 曾根田 直樹*; 堀 史説*; 岩瀬 彰宏*
Japanese Journal of Applied Physics, 53(5S1), p.05FC04_1 - 05FC04_5, 2014/05
被引用回数:9 パーセンタイル:34.69(Physics, Applied)MeVエネルギー領域の荷電粒子ビーム照射による金属表面の改質に関する研究を行っている。これまでに、イオンビーム照射により熱時効した金属の表面の硬度が向上することを明らかにした。今回、電子線照射による表面硬度の変化を調べた。大きさが10100.25mmのCu-Ti合金の試料について熱時効処理のみのものと、熱時効しながら試料を突き抜ける2MeVの電子ビーム照射(8.010/cm)したものの表面硬度を比較した。その結果、熱時効処理だけの試料に比べて、電子ビーム照射したものは表面及び裏面とも4倍程度の高度の向上が得られた。これにより、電子線照射は金属試料全体の硬度向上に有用な手段であることを明らかにした。
光田 智昭*; 小林 一平*; 小杉 晋也*; 藤田 直樹*; 齋藤 勇一; 堀 史説*; 千星 聡*; 金野 泰幸*; 西田 憲二*; 曽根田 直樹*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 272, p.49 - 52, 2012/02
被引用回数:9 パーセンタイル:52.49(Instruments & Instrumentation)So far, we have found that the hardness of Al-Cu-Mg alloy (JIS2017, Duralumin) increases by energetic heavy ion irradiation at room temperature. Observations by using the three-dimensional atom probe (3DAP) have revealed that nano-meter sized precipitates are homogeneously distributed in the irradiated specimens, which are produced through the irradiation enhanced diffusion of solute atoms. The small precipitates contribute to the increase in hardness. In this report, we show the results for the hardness modification of Al-Cu-Mg alloy by the combination of energetic ion irradiation and thermal aging treatment. The hardness of the specimens pre-irradiated and thermally aged at 423 K is much larger than that without the pre-irradiation. The present result indicates that the combination of energetic ion irradiation and subsequent thermal aging can be used as an effective tool for the hardness modification of Al-Cu-Mg alloy.
光田 智昭*; 小林 一平*; 小杉 晋也*; 藤田 直樹*; 齋藤 勇一; 堀 史説*; 千星 聡*; 金野 泰幸*; 西田 憲二*; 曽根田 直樹*; et al.
Journal of Nuclear Materials, 408(2), p.201 - 204, 2011/01
被引用回数:13 パーセンタイル:66.82(Materials Science, Multidisciplinary)We irradiated Al-Cu-Mg alloy with 10 MeV iodine ions at room temperature and measured the surface microhardness. We analyzed the microstructure using a three-dimensional atom probe. Irradiation for 3.5 h led to an increase in hardness comparable to that obtained after 4 days of aging at 423 K. Precipitates of about 2.9 nm in diameter were distributed homogeneously over the irradiated region. The nanometer-sized precipitates produced by the irradiation caused a remarkable increase in hardness.
阿部 英樹*; 吉井 賢資; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 66(2-4), p.406 - 409, 2005/04
被引用回数:7 パーセンタイル:33.79(Chemistry, Multidisciplinary)ホウ素系超伝導体MgBの膜を、グラファイト基板の上に電気化学的にめっきする新しい方法について報告する。塩化マグネシウムなどのハロゲン化物などの混合物をアルゴン雰囲気下数百度で加熱して溶融状態にしたものに電気分解することにより、グラファイト電極基板上にMgB膜がめっきされることを発見した。電気伝導度及び磁化測定から、めっき膜が36K以下で超伝導状態であることがわかった。また、この方法の応用上の利点についても解説する。
阿部 英樹*; 吉井 賢資; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 66(1), p.406 - 409, 2005/01
ホウ物超伝導体MgB膜の電気めっき法による作製について報告する。MgClなどからなる混合溶融塩を原材料に使用し、アルゴン雰囲気下600Cでこの溶融塩を電気分解することにより、10ミクロンオーダーの厚みを持ったMgB膜を作製することができた。本手法では、基板材料にはグラファイトを使用するが、平坦な基板のみならず曲がった基板の上にも膜を作製できることが特徴である。また、電気抵抗測定及び磁化測定から、作成した試料が36Kに超伝導転移を示すことが観測された。
阿部 英樹*; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*; 吉井 賢資
Applied Physics Letters, 85(25), p.6197 - 6199, 2004/12
被引用回数:15 パーセンタイル:51.46(Physics, Applied)MgCl, NaCl, KCl, MgBOからなる混合溶融塩に微量のCuClを添加したところ、ステンレス基板上にホウ化物超伝導体MgB膜を電気化学的手法によって作製できることを発見した。顕微鏡観察から、薄いCu層がステンレスとMgB膜を結合させる役割をしていることが示唆された。また、低温における電気伝導測定から、臨界磁場28T,不可逆磁場13T、及び臨界電流25000A/cmの超伝導パラメータが得られた。この結果は、本手法で作製した膜が良好な超伝導特性を有することを示す。さらに、本手法の有する簡便安価性を考え合わせると、本手法はpowder-in-tube法のような従来型の膜作製法に比べ、応用に有利と結論した。
今井 基晴*; 西田 憲二*; 木村 隆*; 北澤 英明*; 阿部 英樹*; 鬼頭 聖*; 吉井 賢資
Physica C, 382(4), p.361 - 366, 2002/11
被引用回数:57 パーセンタイル:88.53(Physics, Applied)三元系シリコン化合物M(M,Si) (M=Sr及びBa, M=Al及びGa)をアーク溶解法で合成した。X線回折からは、これらがAlB型の結晶構造を持っていることがわかった。電気伝導及び磁化測定からは、Sr(Al,Si)が4.2Kで超伝導転移を示すが、Ba(Al,Si)は2Kより上の温度で超伝導を示さないことがわかった。また、Sr(Ga,Si)とBa(Ga,Si)もそれぞれ5.1Kと3.3K以下の温度で超伝導になることがわかった。