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論文

Optical ionization of DX center in AlGaAs:Se by inner-shell excitation

吉野洋子; 財部健一*; 石井真史*; 片山芳則; 下村理

Physica B; Condensed Matter, 273-274, p.781 - 783, 1999/12

https://doi.org/10.1016/S0921-4526(99)00648-1

被引用回数：1 パーセンタイル：8.73(Physics, Condensed Matter)

DX状態は強く局在している。この性質は、局在している電子が空になった内殻に緩和する過程を観察することによって調べることができる。われわれは、放射光を用いることによって、Al $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As:Se (x=0.33, $N_{rm Se}=5times10^{17}$ (cm $^{-3}$ ))の二つの異なった光イオン化の過程を見いだした。この二つは、以下の過程に仮に同定される。一つは、内殻電子の伝導帯(CB)への直接遷移とそれに続くDXセンターの電子の空になった内殻への捕獲であり $({rm DX}^{-}+hnu ({rm L,}$ K-edge $)rightarrow {rm DX}^{0}+e_{rm CB})$ 、もう一つはDXセンターの電子のCBはのオージェイオン化とそれに続く他の電子の空になった内殻への捕獲である $({rm DX}^{-}+hnu ({rm L,}$ K-edge $)rightarrow {rm DX}^{+}+e_{rm CB}+e_{rm vacuum})$ 。