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雨宮 慶幸*; 伊藤 和輝*; 八木 直人*; 浅野 芳裕; 若林 克三*; 植木 龍夫*; 遠藤 哲郎*
Review of Scientific Instruments, 66(2), p.2290 - 2294, 1995/02
被引用回数：124 パーセンタイル：98.54(Instruments & Instrumentation)大型放射光施設では、SPring-8施設の能力を充分に生かすために、検出器の開発を積極的に進めている。本報告は、その内で特にon-line測定が可能なX-ray用TVを開発したことについて、その性能も含めて述べたものである。本X-ray用TVは、Be窓付イメージインテンシファイヤおよびCCDにより成りたっており、空間分解能は150
m
150m、検出エリヤ約80mm(直径)、量子効率8keVのX-rayに対して60%という、高性能を持っている。また、本装置を用いて、コラーゲンや筋肉の回折パターンによる時系列測定を行った。これらのことについて述べたものである。
小林 大輔*; 梯 友哉*; 廣瀬 和之*; 池田 正二*; 山ノ内 路彦*; 佐藤 英雄*; Enobio, E. C.*; 遠藤 哲郎*; 大野 英男*; 小野田 忍; et al.
no journal, ,
磁気抵抗メモリ(MRAM)の基本素子である磁気トンネル接合に重イオン放射線を照射した。試験素子は東北大学によって作製されたCoFeB/MgO/CoFeB層からなるものである。この素子は、垂直磁気異方性を持ち、スピン注入磁化反転方式によって制御される従来とは異なる特徴を有す。スピン注入磁化反転方式では、データ書き込みが素子へのパルス電流注入によって実現されるため、放射線衝突によって発生するノイズ電流による記憶データ喪失(書き換え)への懸念がある。タンデム加速器で加速した15MeV Siイオンを、中エネルギーイオン照射チェンバー、並びに、重イオンマイクロビーム形成装置と半導体デバイス微小領域照射試験装置を利用して照射したところ、用いたイオンビームにおいては記憶データの喪失が起きないことが明らかとなった。また、電圧ストレスが放射線耐性に及ぼす影響についても調査したが、実験に用いた
0.5Vの電圧ストレスの範囲では前記Siイオンビームへの耐性に変化がないことが判明した。
