Fermi surface properties of USi

常盤 欣文; 播磨 尚朝*; 青木 大*; 野尻 さやか*; 村川 政男*; 三宅 耕作*; 渡辺 なるみ*; 摂待 力生*; 稲田 佳彦*; 菅原 仁*; et al.

Journal of the Physical Society of Japan, 69(4), p.1105 - 1112, 2000/04

https://doi.org/10.1143/JPSJ.69.1105

立方晶でAuCu型の結晶構造のUSiは帯磁率に温度依存性がなく、パウリ常磁性的である。われわれはこのようなUSiの純良単結晶の育成に初めて成功し、de Haas - van Alphen効果や電気抵抗、磁気抵抗、比熱、帯磁率、熱電能、ホール係数の測定を行った。実験によって得られたdHvA振動数の磁場方向依存性は、5f電子を遍歴としたバンド計算と極めて良く一致している。そして、われわれの磁気抵抗測定の結果によると、オープン軌道の存在が示唆され、フェルミ面は多重連結構造をとっているものと思われる。一方、計算で得られたバンド構造を見ると、バンド10のごくわずかにフェルミ準位に沈んだ部分が多重連結構造を作っている。また、dHvA効果から得られたサイクロトロン質量は0.39~4.17mと小さく、5f電子がSiの3p電子と混成し幅の広いバンドを作っていることを反映している。