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安居院 あかね; 増田 亮*; 小林 康弘*; 加藤 忠*; 柄本 俊*; 鈴木 宏輔*; 櫻井 浩*
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 408, p.41 - 45, 2016/06
被引用回数:4 パーセンタイル:21.26(Materials Science, Multidisciplinary)本研究では磁気コンプトン散乱およびメスバーワー分光を用いてFe薄膜の磁化過程を詳細に調べた。磁気コンプトン散乱からスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメントの磁化曲線を算出した。メスバーワースペクトルからは磁化と外部磁場のなす角の印加磁場依存性を調べた。これにより磁化曲線の振る舞いは磁化と外部磁場のなす角の変化と大きなかかわりがあることが分かった。
安居院 あかね; 海野 友哉*; 松本 紗也加*; 鈴木 宏輔*; 小泉 昭久*; 櫻井 浩*
Journal of Applied Physics, 114(18), p.183904_1 - 183904_4, 2013/11
被引用回数:9 パーセンタイル:37.98(Physics, Applied)本研究では、磁気コンプトン散乱実験によって、TbFe(O)合金膜のSSHMを測定し、スピン・軌道,元素別に磁化曲線を見積もることを試みた。試料は、Tb+Coチップをターゲットに用いて高周波スパッタ装置でAl基板上に作製した。この試料のマクロな磁化はSQUIDで測定した。磁気コンプトン散乱測定は、SPring-8-BL08Wにて行った。解析の結果、スピンと軌道の磁化曲線は形状が異なることがわかった。
海野 友哉*; 安居院 あかね; 松本 紗也加*; 鈴木 宏輔*; 櫻井 浩*
no journal, ,
希土類遷移金属合金は磁気記録材料として注目されている。磁気スイッチング,磁気記録の材料では、磁気モーメントの磁場応答特性が重要である。「全磁気モーメント=スピン磁気モーメント+スピン磁気モーメント」で与えられる。しかし、全磁気モーメントの磁化曲線に関する報告は多いが、スピン磁気モーメントの磁化曲線と軌道磁気モーメントの磁化曲線を分離した報告は少ない。最近われわれは磁気コンプトン散乱により、スピン磁気モーメントの磁化曲線を測定する方法を開発した。本研究ではこれを用いTbFe合金膜におけるスピン・軌道磁化曲線の測定を行ったので報告する。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*
no journal, ,
磁気コンプトン散乱とSQUID・VSM等の測定と組み合わせた、スピン選択磁気ヒステリシス曲線(SSMH)および軌道選択磁気ヒステリシス曲線(OSMH)の測定が報告されている。さらに、我々は磁気コンプトンプロファイル)を解析し、元素選択磁気ヒステリシス曲線(ESMH)を測定する手法を開発した。これまでに希土類-遷移金属薄膜について行ったSSMH, OSMHおよびESMHの測定結果を報告する。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*
no journal, ,
磁化は磁気モーメントの単位体積当たりの総和であり、磁化の印加磁場依存性である磁化曲線の測定は磁性体の測定として最もよく行われる。我々は磁性体の中で磁気モーメントを担う各要素の磁化曲線を観測する方法を開発している。これまでに我々が行った希土類-遷移金属薄膜のスピン選択磁気ヒステリシス・軌道及び元素選択磁化測定の結果を報告する。
田久保 翔太*; 安居院 あかね; Liu, X.*; 鈴木 宏輔*; 櫻井 浩*
no journal, ,
本研究では、角型比の高いTbCoアモルファス垂直磁化膜について磁気コンプトン散乱の印加磁場依存性の測定を行った。これによりスピン選択磁気ヒステリシス曲線、軌道選択磁気ヒステリシス曲線、元素選択磁気ヒステリシス曲線を得た。角型比がほぼ1であるTbCoアモルファス垂直磁化膜は、スピン・軌道・元素別の磁場依存性を反映した複雑な前駆現象を経て、磁化反転することがわかったので報告する。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 田久保 翔太*; 鈴木 宏輔*; Liu, X.*
no journal, ,
RFスパッタリング法でアルミ箔の上にTi(30nm)/TbCo(200nm)を10層成膜したものを、TbCo膜試料について高輝度放射光を利用した磁気コンプトン散乱測定を行い、印加磁場依存性からスピン選択磁化測定した。全磁化測定とを組み合わせることで、全磁化曲線をスピン成分の磁化曲線(SSMH)、軌道成分の磁化曲線(OSMH)に分ける手法、さらにモデルフィッティングを利用して、スピン成分を構成元素別にした磁化曲線(ESMH)を得、ミクロスコピックな磁化曲線を測定したので報告する。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。
安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; Liu, X.*; 櫻井 浩*; 安達 美咲*; 柴山 茜*; 鈴木 宏輔*
no journal, ,
希土類-遷移金属(RE-TM)アモルファス合金膜は構成要素であるRE元素の磁気モーメントは円錐状にランダムに分布し、TMと重希土類の場合、磁気モーメントはフェリ的になったスペリ磁性と呼ばれる磁気構造をもつ。本実験ではRE-TMアモルファス合金膜の磁化過程を詳細に調べるために、SPring-8・BL39XUにおいて吸収測定(XAS)および磁気円二色吸収測定(MCD)を行い、その印加磁場依存性から元素別の磁化過程を観察した。組成の異なるものでも同様の測定をし比較したところ、電子状態の変化がほぼなくても磁化曲線の形状変化が大きく変化することが観測された。