JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　7 件中 1件目～7件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

High-magnetic-field X-ray absorption and magnetic circular dichroism spectroscopy in the mixed-valent compound YbAgCu$$_4$$

中村 俊幸*; 松田 康弘*; Her, J.-L.*; 金道 浩一*; 道村 真司*; 稲見 俊哉; 水牧 仁一朗*; 河村 直己*; 鈴木 基寛*; Chen, B.*; et al.

Journal of the Physical Society of Japan, 81(11), p.114702_1 - 114702_11, 2012/11

https://doi.org/10.1143/JPSJ.81.114702
 被引用回数：11 パーセンタイル：57.56(Physics, Multidisciplinary)

価数揺動系であるYbAgCu$$_4$$のX線吸収分光と円二色性の測定を35Tまで行い、得られた価数のH-T相図と磁化を比較することから、メタ磁性転移の起源が価数転移であることを明らかにした。円二色性はYb$$^{3+}$$でのみ観測され、Yb$$^{2+}$$では観測されなかった、一方で、四重極遷移に伴う円二色性スペクトルを観測し、理論計算からこれを明らかにした。

論文

Valence fluctuation in YbAgCu$$_4$$ at high Magnetic fields

松田 康弘*; 中村 俊幸*; Her, J.-L.*; 金道 浩一*; 道村 真司*; 稲見 俊哉; 水牧 仁一朗*; 河村 直己*; 鈴木 基寛*; Chen, B.*; et al.

Journal of the Physical Society of Japan, 81(1), p.015002_1 - 015002_2, 2012/01

https://doi.org/10.1143/JPSJ.81.015002
 被引用回数：11 パーセンタイル：57.56(Physics, Multidisciplinary)

YbAgCu$$_4$$の磁場誘起価数変化を35Tまでのパルス高磁場下で放射光X線吸収分光法から観測した。4.8KでのYbAgCu$$_4$$のYbの価数はメタ磁性転移で大きく増加することがわかった。55Tでの飽和価数は2.97と予想される。この値は、35Tでの$$Delta M/Delta v$$から評価した。また、この値は同様な化合物であるYbInCu$$_4$$の高温や高磁場でのYbの値とも一致する。この実験からは、理論から予測された通り、YbAgCu$$_4$$のメタ磁性転移は価数転移に由来するものであると結論する。

論文

Orbital magnetism in Cd$$_2$$Os$$_2$$O$$_7$$ studied by X-ray magnetic circular dichroism

松田 康弘*; Her, J.-L.*; 道村 真司*; 稲見 俊哉; 鈴木 基寛*; 河村 直己*; 水牧 仁一朗*; 金道 浩一*; 山浦 淳一*; 廣井 善二*

Physical Review B, 84(17), p.174431_1 - 174431_5, 2011/11

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.174431
 被引用回数：25 パーセンタイル：69.58(Materials Science, Multidisciplinary)

Osの$$L_{2,3}$$吸収端でのX線磁気円二色性(XMCD)を227Kで金属絶縁体転移を示すCd$$_2$$Os$$_2$$O$$_7$$の反強磁性相で調べた。総和則に従えば、10Tと37TでのXMCDは、軌道磁気モーメントとスピン磁気モーメントの比として$$m_{rm L}/m_{rm S}=0.16pm0.02$$を与え、また、$$m_{rm L}$$と$$m_{rm S}$$は平行であることを示した($$m_{rm L}parallel m_{rm S}$$)。これらの現象は異常であり、まず、予測されるOs$$^{5+}$$(5$$d^3$$)の立方結晶場中の基底状態は軌道一重項であり、次にHundの第三ルールからは$$m_{rm L}$$と$$m_{rm S}$$は反平行であるべきである。スピン軌道相互作用が観測された軌道磁性を説明するためには重要であると考えるのが最もらしい。

報告書

高レベル放射性物質試験施設における分析

大西 紘一; 園部 次男; 岡本 文敏; 加藤木 賢; 和田 光二; 大内 隆雄*; 石井 清登*; 鈴木 真司*; 柴 正憲*

PNC TN853 83-02, 187 Pages, 1983/08

PNC-TN853-83-02.pdf:8.34MB

分析準備作業の経過から現分析設備,装置及び分析内容と分析実施状況等についてのまとめと,現在CPF分析にて使用している分析装置,器具等に関する詳細仕様について取りまとめたものである。

口頭

Intermediate-range order in polymer-route Si-C-O fibers by high-energy X-ray diffraction and reverse Monte Carlo modelling

鈴谷 賢太郎; 岡村 清人*; 鈴木 謙爾*; 市川 宏*; 小原 真司*

no journal, , 

ケイ素ポリマーの焼成によって作られるSi-C-O繊維の中距離構造をSPring-8における高エネルギーX線(61.6keV)回折と逆モンテカルロ法によって解析した。これまでの解析(Okamura et. al., Key Eng. 352 (2007)65)から、われわれはこの繊維の構造は、SiC$$_4$$とSiO$$_4$$四面体のネットワークから成っており、SiC$$_4$$四面体はSiC結晶と同様に3員環、SiO$$_4$$四面体はSiO$$_2$$結晶と同様に6員環を形成していると予想した。しかし、今回、RMC法により3次元構造を作製し解析したところ、この繊維の基本構造はSiC$$_4$$四面体の3員環が中心のネットワーク構造で、そのSiC$$_4$$四面体の一部がSiO$$_4$$四面体によって置き換わられているということが明らかになった。

口頭

部分成分磁気秩序物質TbCoGa$$_5$$の共鳴X線散乱法による磁気構造解析

道村 真司; 稲見 俊哉; 眞田 直幸*; 綿貫 竜太*; 鈴木 和也*

no journal, , 

正方晶系希土類化合物TbCoGa$$_5$$は、T$$_{N1}$$=36.2K, T$$_{N2}$$=5.4Kで部分成分磁気秩序と呼ばれる2段階の磁気逐次相転移を示す。高温側(T$$_{N1}>$$T$$>$$T$$_{N2}$$)では磁気モーメントのc軸方向の成分、低温側(T$$_{N2}>$$T)ではab面内方向の成分が秩序化する。部分成分秩序の要因として、4f電子の多重極子相互作用と磁気的相互作用の競合が予想されている。今回、部分成分秩序に伴う磁気モーメントの秩序状態を調べるため、SPring-8/BL22XUで単結晶TbCoGa$$_5$$の共鳴X線磁気散乱実験を行った。実験より、1/2 0 9/2反射では、$$pi$$-$$sigma$$'散乱過程と$$pi$$-$$pi$$'散乱過程の強度が、各々T$$_{N1}$$とT$$_{N2}$$以下で増大し、秩序パラメーター(磁気秩序ベクトルk=(1/2 0 1/2))であることを確認した。特に、散乱面がb軸に対して垂直であるアジマス角$$Psi$$=0$$^{circ}$$での$$pi$$-$$pi$$'散乱強度の増大より、T$$_{N2}$$以下で、b軸方向に磁気モーメントが傾いていることがわかった。ここで、b軸は磁気秩序ベクトルと直交した軸である。さらに、アジマス角依存性の測定により、磁気モーメントの傾斜角も調べ、磁気秩序状態における磁気モーメントの方向を決定することができた。

口頭

The Visualization of atomic scale structure of polymer-derived amorphous Si-C-O fibers by high-energy X-ray diffraction and reverse Monte Carlo modelling

鈴谷 賢太郎; 小原 真司*; 岡村 清人*; 市川 宏*; 鈴木 謙爾*

no journal, , 

ポリカルボシランの焼成から作られるSi-C-O繊維の構造を高エネルギー解析と逆モンテカルロ法によって可視化することによってその詳細を明らかにした。Si-C-O繊維の基本構造は、Siを中心に4配位したC及びOのSi(C,O)$$_4$$四面体が頂点及び稜共有ネットワーク構造であることが明らかになった。また、原料であるポリカルボシランの構造は、-Si-C-Si-C-の骨格を持つ鎖の畳込み構造が基本構造であることが明らかになった。

7 件中 1件目～7件目を表示
  • 1