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論文

Retention of deuterium implanted in hot-pressed beryllium

河村 弘; 石塚 悦男; 相良 明男*; 鎌田 耕治*; 中田 宏勝; 斎藤 実; 二村 嘉明

Journal of Nuclear Materials, 176-177, p.661 - 665, 1990/00

 被引用回数:24 パーセンタイル:88.55(Materials Science, Multidisciplinary)

核融合炉において、ベリリウムは中性子増倍材や低Z被覆材として用いられようとしている。このような環境下においてベリリウムが使用される場合、ベリリウム中のトリチウムインベントリーが大きいか否か、すなわちトリチウムを保持しやすいか否かは、燃料のリサイクリング(トリチウム回収等)の観点から重要な事項になる。今回は、最も一般的な製作方法であるホットプレス法によって製作されたベリリウムに重水素を打ち込み、反跳粒子検出法によって求めたベリリウム中の重水素深さ分布及び加熱時の重水素保持特性について報告する。

論文

Measurements of evaporation rate of lithium from Al-Li alloy by depth profiling with an ion beams

相良 明男*; 鎌田 耕治*; 佐々木 貞吉; 馬場 祐治

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 44, p.373 - 376, 1990/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:53.94(Instruments & Instrumentation)

Al-Li(3.46%)合金箔について325~435$$^{circ}$$Cにおけるリチウムの蒸発速度(真空中)をNRA(核反応分析)法により求めた。NRAには$$^{7}$$Li(P,$$alpha$$)$$^{4}$$He反応を利用し、SSDにより放出$$alpha$$粒子量を決定した。NRAのエネルギースペクトルからリチウム存在量のディプスプロファイルを求めたところ、表面0.2$$mu$$m以内に著しいリチウム偏析が認められた。にもかかわらず、リチウム蒸発速度は元素状リチウム試料の場合に比し10$$^{-3}$$倍に低下した。なお、蒸発のさいの活性化エネルギーは1.3eVで、リチウム含有量より多いAl-Li合金及び元素状リチウムの場合とほぼ等しくなることがわかった。

論文

銅合金の融液成長と固液界面の構造

富満 広; 鎌田 耕治*

表面科学, 4(1), p.35 - 40, 1983/00

Cu-5%Ge,Cu-14%Ni等の種々の銅合金の下部組織のNDT(中性子回折トポグラフィ)観察結果(既発表-1980年度A-0001,1982年度B-2075)をもとに、固液相界面結晶成長機構に関する新たな理論の必要性を指摘する。

論文

Neutron diffraction topographic observation of substructures in Cu-based alloys

富満 広; 鎌田 耕治*; 土井 健治

Physica B; Condensed Matter, 120, p.96 - 102, 1983/00

中性子回折トポグラフィー(NDT)によって、種々の銅合金の下部組織(Substructure)を観察した結果を報告する。合金の製法は、いずれもブリッジマン法である。まず、直径3cm、長さ10cmの大型のCu-5%Ge合金の場合は、成長方向〔110〕に平行な(001)層が約30枚集まって結晶を作っていること。各々の(001)層は、中心にうすい(001)板があって、その両側の表面に対照的かつ垂直に、(100)や(010)の指数をもつ板構造が格子状に付着している。次に、〔111〕方向に成長させたCu-14%Ni合金の場合には、一つの(110)面に垂直な〔100〕方位を持つ構造が支配的であることが判明した。いずれの場合にも、見出された下部組織と、溶質原子の濃度分布・結晶格子定数・結晶完全性などとの関連をもとに、稀薄合金の成長機構を論ずる。

論文

固体の表面損傷とブリスタリング

鎌田 耕治

日本物理学会誌, 35(2), p.133 - 137, 1980/00

イオン照射による固体表面でのブリスタリングについて、(1)ブリスタリング,フレイキングの概念の説明、(2)最近の重要な実験結果を総括的に紹介、(3)ブリスタリングに至る迄の二種類のミクロスコピックなモデル(percolation model,fracture model)、(4)我々が行なった固体表面層内の応力場の計算、(5)それに基づくブリスタリングのモデルと実験との対応、(6)核融合装置第一壁に関する今後の問題、等々最近の研究結果を紹介した。

論文

電子線照射硬化測定装置の概要

吉沢 勲*; 楢本 洋; 鎌田 耕治

放射線, 6(3), p.15 - 28, 1979/00

2MeV Van de Graaffに接続する電子線用クライオスタット付引張試験機を試作した。この装置により、低温照射および引張試験をin-situで行う事が可能になった。また照射後の等時,等温焼鈍による強度変化の測定も可能である。一方、試料取付時の誤操作による変形を避けるための試料取付治具を開発した。これら装置の概要と低温照射実験によって得られた結果の一部を報告する。

論文

ブリスタリングとフレキングのその場観察

鎌田 耕治

Ionics, (10), p.8 - 14, 1979/00

イオン照射を受けた金属表面での剥離現象としては、ブリスタリングとフレイキングが観察されている。この論文では「その場観察」の方法で両現象の形成される経過を追跡し、夫々の特徴を観察した。さらに従来の観察結果と合わせて考察を行ない、両者の差が、内圧の上昇速度に伴なう固体表面のductile-brittle transitionによるものである事を示唆した。一部この分野の研究のreviewを含む。

論文

A Fracture model of radiation blistering

鎌田 耕治; 東田 豊*

Journal of Applied Physics, 50(6), p.4131 - 4138, 1979/00

 被引用回数:19

イオン照射により形成されるブリスタリングの模型として、自由表面に平行なクラックを考え、転位論によりその周辺の応力場を計算した。ブリスター形成の条件として、クラック先端の塑性域の広がりが、表面に到達する条件を設定して、ブリスターの直径とイオンエネルギーの関係および直径と深さの関係が実験と良く一致する結果を得た。また、ブリスタリングに寄与するガスの量が、臨界照射量に相当する量の数%である事が分かり、この様なgas-pressure modelで充分ブリスタリングの説明が行える事を証明した。

論文

Flaking and blistering on He and Ne bombardments

鎌田 耕治; 楢本 洋

Radiat.Eff., 42(3-4), p.209 - 216, 1979/00

2MeV V.D.G.に直結した超高真空イオン照射チェインバーによりブリスタリングとフレイキングのその場観察を行った。Nb単結晶表面で、300keV He$$^{+}$$照射により照射面積全面に亘るフレイキングが観察された。一方450keV,850keV Ne$$^{+}$$照射では同じ単結晶表面においてブリスターが観察された。この結果は従来云われていた表面温度の上昇によりフレイキングが起こるという説を不定するものである。弾性論的な計算の結果、フレイキングは1気圧以下の内圧で充分に起こり得る事が示された。また表面観察の結果、フレイキングは表面層の塑性変形を伴わずに形成され、逆にブリスタリングは塑性変形を伴う現象である事が示された。その場観察の結果として、臨界照射量が精確に測定された。

論文

Radiation blisteringの物理的機構

鎌田 耕治; 東田 豊*

放射線, 5(2), p.33 - 50, 1978/02

ブリスタリングの物理的機構として提案されているlateral stress modelとgas pressure modelの説明をし、特に最近我々が行ったgas pressure modelの解釈について記述する。このmodelにより、ブリスタリングがレンズ型バブルの幾何学的形状による因子と、固体の物理的性質に依存する因子とに分解出来る事、およびバブルの内圧が見積れることを説明する。またこのmodelにより、最近kaminshy等が行ったブリスタリングの物質依存性が説明出来る事を示す。

論文

Room temperature aging effects of blistering and surface roughening after Ar$$^{+}$$ ion bombardment on Mo single crystals

鎌田 耕治; 楢本 洋; 数又 幸生

Journal of Nuclear Materials, 71(2), p.249 - 255, 1978/02

 被引用回数:8

300keVAr$$^{+}$$イオンをMo単結晶表面に照射すると、100日程度の室温焼鈍により始めてblisterが現われる事を見出した。この事はblisterの形成に打ち込みイオンの集合が不可欠なことを示している。Ar$$^{+}$$イオンはHe$$^{+}$$イオン等に比べるとsputtering yieldが100倍以上に大きい。この事を考慮して結晶中での打ち込みイオンの分布を計算し、blisteringのcritical dose(3.4$$times$$10$$^{1}$$$$^{7}$$ions/cm$$^{2}$$)およびcritical concentration(0.33)を得た。これらの値はHe$$^{+}$$等軽イオン照射の結果と著しく異なり、重イオン照射損傷の特色を示している。結晶表面の粗化(roughening)も著しい焼鈍効果を持ち、イオン打ち込みによる結晶表面でのsputtering yieldの変化を暗示している。

論文

Mechanism of flaking in pyrolytic graphite on ion bombardments, 1; Stress fields around a penny-shaped chack in the sub-surface layer

東田 豊*; 鎌田 耕治

Journal of Nuclear Materials, 73(1), p.30 - 40, 1978/01

 被引用回数:9

イオン照射によって作られる熱分解黒鉛表面でのflakingを、basal planeに沿って形成されるペニー型crackによる破断現象と考え、ペニー型crackの周りの弾性的応力場を「inverse method」により計算した。その結果表面層には大きな応力集中が現れ、とくに表面に平行なlateral stressによるbending momentが、crackの先端部で非常に大きくなることが判明した。結晶表面からcrack面迄の深さ、およびcrackの半径をparameterとして応力集中の様子を図示した。

論文

Mechanism of flaking in pyrolytic graphite on ion bombardments, 2; Numerical discussions in relation to the flaking

鎌田 耕治; 東田 豊*

Journal of Nuclear Materials, 73(1), p.41 - 49, 1978/01

 被引用回数:9

(?)で計算したcrackをAr$$^{+}$$,N$$^{+}$$,He$$^{+}$$等の照射によって形成されるレンズ型ガスバブルのモデルと考え、バブルの大きさが100$$mu$$m程度になると、先端部のbending stressが実験的に得られる破断応力と同じ大きさになることを確認した。それにより、flakingの現れるcritical doseを定量的に説明することが出来た。またこの計算からガスバブルの内圧の評価が可能であり、Ar$$^{+}$$,N$$^{+}$$,He$$^{+}$$各イオンの照射において各々0.46,1.85,3.2気圧の値が得られた。またN$$^{+}$$では、打ち込まれたイオンの1-3はnitrideの形成に使われて、He$$^{+}$$では5%程度がflakingに寄与し、95%は恐らくその透過性のために結晶外に逃れるか、或は結晶内に原子として分散し、バブル形成に寄与しない。グリフィスcrackの伝播条件を合わせて検討したが、内圧の不足のため、この条件は充たされない。

論文

Blister formation in a niobium single crystal on Ne$$^{+}$$ ion bombardment

楢本 洋; 鎌田 耕治

Journal of Nuclear Materials, 74(1), p.186 - 189, 1978/01

 被引用回数:5

Projectileを不活性ガスイオンに限定した場合、その原子半径によって、打込れた原子が結晶格子中で占める位置が異なるであろう。その差が打込れたガス原子の易動度を支配してブリスター形成に影響を及ぼすと考えられる。本研究では、Ne$$^{+}$$イオンをProjectileに選んで、He$$^{+}$$,Ar$$^{+}$$イオン照射の結果と比較検討した。主な結果は、以下の通りである。(1)照射直後に、ブリスター形成が観察された。(2)時効によってブリスターは、破断する。(3)ブリスターの内圧は、物性定数によるが、250気圧程度となる。(1)、(2)の結果は、Ne原子が、結晶中で動き易い事を示していて、He$$^{+}$$イオン照射の場合と似ている。(3)の結果は、ブリスターの高さを決定して、メタル・ダイアフラム・モデルで推定したものである。

論文

Strain profile of plastic zone in dislocation-free niobium single crystal determined by X-ray topography

楢本 洋; 鎌田 耕治

Japanese Journal of Applied Physics, 17(11), p.1915 - 1923, 1978/00

 被引用回数:2

Pedestal法によって作製したNb単結晶法を、Langカメラ上で引張変形し、X線回折顕微法により、その場観察を行なったので、その結果について報告する。結晶は、引張変形により、35%程のYield dropを示した後、容易すべり領域に入る。降伏後、試料端から走る塑性帯が観測された。塑性帯内部からのX線反射を調べると、像のづれが起っている。これは、Burgersベクトルが引張軸に近づく様な、結晶格子の回転によって説明出来る。この解釈に従い、塑性帯先端から長さ方向に沿った歪分布が求められた。これらの結果が、他の結晶の場合と比較検討されている。

論文

Neutron diffraction topographic observation of the layer-substructure in a Cu-5% Ge single crystal

富満 広; 鎌田 耕治; 土井 健治

Philos.Mag.A, 38(4), p.483 - 486, 1978/00

原研が中心になって行った中性子回折トポグラフィ技法を用いた最近の実験を速報の形でまとめたものである。第一は、ILLの高中性子束炉を用いた実験で、Si双晶片における等厚干渉縞の観察結果、および双晶各片がそれぞれ333反射と115反射とを同時に生じ、両片が可干渉の関係にあることの結論を報告する(国外との共同研究)。第二は、JRR-2のトポグラフィ装置を用いて、直径30mmのCu-5%Ge合金単結晶の観察である。ブリッジマン法で作られたインゴットの内部構造が、表面の目視観察とよく符合して、3種類の{100}面に平行な面状にGeが偏析を生じているらしいことが観察された。

論文

Observation of blistering and amorphization on germanium surface after 450KeV Ar$$^{+}$$ ion bombardment

鎌田 耕治; 数又 幸生; 久保 和子

Radiat.Eff., 28(1-2), p.43 - 48, 1976/02

重イオン照射(450KeV Ar$$^{+}$$)により、初めてGe表面にブリスタリングを作り、走査型電子顕微鏡により観察した。金属表面のブリスタリングと異なり、照射量を増加させてもブリスターの密度は5$$times$$10$$^{5}$$/cm$$^{2}$$以上にはならない。さらに照射することにより、注入されたイオンガスの噴出によると思われる多数の孔が発生する。これらの孔が既に形成されているブリスターを侵食して、ブリスターは観察されなくなる。これらの観察結果は、Ge表面での非晶質化によって、イオンのレインゲが減少し、同時に固体の膨張によって注入されたイオンが動き易くなることを考慮して説明された。非晶質化と同時に、再結晶化も観察された。

論文

イオン照射による固体表面の損傷; 主にブリスタリングについて

鎌田 耕治

日本原子力学会誌, 17(10), p.517 - 526, 1975/10

核融合炉真空壁の損耗で問題になるSputteringとBlisteringについて、夫々の損耗率を比較し、さらにBlisteringに関する今迄の実験データーの整理を行なう。これらの実験データーからBlisteringの物理的機構を紹介し、現在それについてはErentsらとKamiuskyらによるガスの内圧による表面破壊の考え方と、Behrischらによる打ち込みガスイオンのために結晶内に形成される応力場によるとの考え方がある事を指摘した。同時に今迄の実験データーの不備をも合わせて指摘した。また核融合炉の設計条件の選択に、Blisteringによる損耗の温度依存性が問題になることを指摘した。

論文

無転位金属結晶の製作

鎌田 耕治

日本金属学会誌, 14(7), p.521 - 530, 1975/07

完全性の高い金属単結晶製作の歴史と、結晶成長の際に転位が如何に導入されるかを概観し、特にCzochralski法で無転位単結晶を得るために機械的,熱的条件をどの様に制御するかを議論した。実際に得られる銅,銀ニオブ等の無転位単結晶についての実験結果を述べ、X線トポグラフによる完全性の評価について記述した。特にニオブ単結晶について、得られる転位の像が動力学的なものであるにかかわらず、無転位であることを強調した。この様な無転位単結晶の成長が、最近話題になっている液体金属の転位論を検証する有力な実験手段になり得ることを指摘した。

論文

Growth of niobium single crystals by pulling from a melt on a pedestal, 2; Growth of dislocation-free crystals

楢本 洋; 鎌田 耕治

Journal of Crystal Growth, 30(2), p.145 - 150, 1975/02

 被引用回数:10

電子ビーム融解したニオブのペデスタルから引上法により無転位単結晶を育成した。単結晶の完全性は、「thick crystal case」と「thin crystal case」について、X線トポグラフを撮影する事によって行われた。単結晶育成上以下の三点について改良がなされた。(1)種結晶として、単結晶を用いる事。(2)種結晶及びペデスタルを回転させる事。(3)引上速度を大体0.15mm/minにする事。

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