沖縄及び亜熱帯地方に適応した花卉植物に対するイオンビーム照射条件の検討

渡邊 武志*; 関塚 史明*; 中村 悟之*; 長谷 純宏

JAEA-Review 2015-022, JAEA Takasaki Annual Report 2014, P. 110, 2016/02

https://doi.org/10.11484/jaea-review-2015-022

イオンビームによる突然変異を利用して、亜熱帯地域, 沖縄地域に適する花き類の新規素材を作出するため、対象品目別の最適照射条件を検討した。ハイビスカスは、非照射区においても萌芽後の個体の発根が悪く、ほとんどが枯死したため照射の影響を確認できなかった。セイロンベンケイソウでは、変異誘発に適した照射線量は、50MeV Heでは4080Gy、107MeV Heでは80Gy以上、炭素イオン(220MeV及び320MeV)では16Gy以上であると考えられた。非照射株を基準として、開花日が早い、節間長が長い、花数が多い、がくの色が濃い等の形質の違いが認められ、これらの発生率は変異誘発に適した照射量において高くなっていた。この形質が遺伝的な変異であるのかを確認するために今後も栽培を継続して再確認を行う。なお、本研究は日本原子力研究開発機構の先端研究施設共用促進事業および施設供用制度を利用して実施した。