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久保田 正人; 須田山 貴亮*; 山崎 裕一*; 岡本 淳*; 中尾 裕則*; 村上 洋一*; 山田 浩之*; 澤 彰仁*
no journal, ,
LaMnO
(LMO)とSrMnO(SMO)で作製される超格子薄膜(LMO)m/(SMO)nにおいて積層枚数であるmとnを変化させることで、特にm=n=2(L2S2)において巨大な磁気抵抗効果を示すことが報告されている。今回、我々はL3S3の物質について超伝導磁石搭載型回折計を用いることで最大7テスラの磁場下共鳴軟X線散乱実験を行い、巨大磁気抵抗効果のメカニズムを明らかにするために研究を行った。磁場印加によりMn吸収端での磁気散乱スペクトルが劇的に変化する様子が観測され、変化する磁気構造、電子構造の信号を検出することに成功した。