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論文

Damped soft phonons and diffuse scattering in (Bi$$_{1/2}$$Na$$_{1/2}$$)TiO$$_{3}$$

松浦 直人*; 飯田 裕之*; 廣田 和馬*; 大和田 謙二; 野口 祐二*; 宮山 勝*

Physical Review B, 87(6), p.064109_1 - 064109_10, 2013/02

 被引用回数:28 パーセンタイル:74.56(Materials Science, Multidisciplinary)

(Bi$$_{1/2}$$Na$$_{1/2}$$)TiO$$_{3}$$においては600K付近を最大とする誘電率の緩やかな温度変化の他、それに伴う圧電効果の減少が脱分極温度460K-480Kより上で観測される。その起源を中性子散乱を用いて調べた。その結果、$$Gamma$$点近傍で強く過減衰したwater-fall的ソフトフォノンが脱分極温度付近で観測されたほか、M点においては誘電率の温度依存性に対応する温度依存性を持つ超格子反射が観測された。これらは、正方晶/菱面体晶相が共存するなかでの強誘電クラスターのダイナミックな性質、これらは脱分極やwater-fallを与える、が重要であることを示している。

論文

Measurements of the depth profile of the refractive indices in oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry

飯田 健*; 富岡 雄一*; 吉本 公博*; 緑川 正彦*; 塚田 裕之*; 折原 操*; 土方 泰斗*; 矢口 裕之*; 吉川 正人; 伊藤 久義; et al.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 41(2A), p.800 - 804, 2002/02

 被引用回数:15 パーセンタイル:52.33(Physics, Applied)

SiCは高周波、高パワー,高温,放射線照射下等、過酷な環境下で動作する素子用材料として優れた物性を持つ。また熱酸化で表面にSiO$$_{2}$$層が形成されMOS構造が作製できるが、酸化層/SiC界面には欠陥が多いため、物性値から期待される性能が得られない。そこで本研究では、分光エリプソメーター(SE)を用いて、その界面欠陥の発生原因を光学的に追究した。試料には、SiC基板を乾燥酸化して得た60nm程度の酸化膜を用いた。これをHF溶液を用いて斜めにエッチングし、酸化膜の光学的周波数分散特性を、膜厚をパラメータとして測定した。得られた値は、セルマイヤーの式を用いたカーブフィッティング法により、屈折率に変換した。その結果、SiC上の酸化層の見かけの屈折率は、Si酸化膜より小さくなった。また、屈折率は酸化膜厚の減少と共にも小さくなり、膜厚が1nm程度では1にまで近づいた。この屈折率の膜厚依存性は、酸化層がSiO$$_{2}$$層と高屈折率界面層から成ると仮定することで説明できる。このことから、酸化層/SiC界面には屈折率の高い界面中間層が存在し、それらが界面欠陥を発生させていると推定された。

論文

Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry

富岡 雄一*; 飯田 健*; 緑川 正彦*; 塚田 裕之*; 吉本 公博*; 土方 泰斗*; 矢口 裕之*; 吉川 正人; 石田 夕起*; 小杉 良治*; et al.

Materials Science Forum, 389-393, p.1029 - 1032, 2002/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:20.35(Materials Science, Multidisciplinary)

SiC-MOSFET反転層の電子移動度は、理論値よりも小さい。これは、SiO$$^{2}$$/SiC界面にある残留炭素が原因であると考えられている。そこで、乾燥酸素法、及び水素燃焼酸化法で作製したドライ酸化膜、及びパイロジェニック酸化膜、そして低温で作製した酸化膜(LTO膜)について、それぞれのSiO$$^{2}$$/SiC界面の光学定数を分光エリプソメータにより測定し、それらの光学特性の違いを調べ、界面構造の光学的な違いと酸化膜の電気特性との関連性を追求した。その結果、どの酸化膜においても、界面層のA値(波長無限大における屈折率)の値はバルクSiO$$^{2}$$の屈折率(n=1.465)より高くなった。これは薄い高屈折率界面層が、SiO$$^{2}$$/SiC界面に存在することを意味しており、Si-Siボンドのような強いイオン分極を持つボンドが界面に存在することを示唆する。またAの値は、酸化方法に依存しており、LTO膜のA値はパイロジェニック酸化膜、ドライ酸化膜のものより小さくなった。これら酸化膜を用いて作製したMOSFETの電気特性は大きく異なることから、A値がSiC MOS構造の電気的特性と関連していると考えられた。

報告書

Polarized proton induced reactions on lithium isotopes around 14 MeV

桑折 範彦*; 隈部 功*; 百武 幹雄*; 渡辺 幸信*; 織戸 浩一*; 赤木 克己*; 飯田 章英*; 江理口 誠*; 和久田 義久*; 相良 建至*; et al.

JAERI-M 91-009, 56 Pages, 1991/02

JAERI-M-91-009.pdf:1.73MB

14MeVにおける$$^{6}$$Li(p,x)反応および12,14,16MeVにおける$$^{7}$$Li(p,x)反応の微分断面積、偏極分解能、二重微分断面積を測定した。$$^{6}$$Li(p,d)p$$alpha$$$$^{6}$$Li(p,$$alpha$$)p$$alpha$$$$^{7}$$Li(p,t)p$$alpha$$三体崩壊反応については、反応機構を詳細に検討した。その結果は対応する中性子誘起反応にも有効である。また、$$^{6}$$Li(p,xp)反応における、$$^{6}$$Li(p,2p)n$$alpha$$四体崩壊反応の寄与を測定して、順次崩壊過程に基づく、解析を行なった。p-$$^{7}$$Li系の光学ポテンシャルについても議論を行なった。

報告書

Polarized proton scattering on lithium isotopes at 14 MeV

桑折 範彦*; 隈部 功*; 百武 幹雄*; 織戸 浩一*; 赤木 克巳*; 飯田 章英*; 渡辺 幸信*; 相良 建至*; 中村 裕之*; 前田 和秀*; et al.

JAERI-M 89-167, 38 Pages, 1989/11

JAERI-M-89-167.pdf:1.47MB

$$^{6,7}$$Li(p,p)散乱に対する微分断面積、偏極分析能、二重微分断面積を入射エネルギー14MeVにおいて測定した。弾性散乱の実験データは球形光学模型とチャネル結合法によって非常によく再現される。しかし、$$^{6,7}$$Liの第一、第二励起準位への非弾性散乱の偏極分析能は歪曲波ボルン近似、チャネル結合法によっては正しく推定されない。(p,p)散乱の連続スペクトルに観測される3体崩壊過程の寄与は、離散化連続状態に対する歪曲波ボルン近似の計算によって定性的に説明できる。陽子散乱の実験的および理論的結果を中性子散乱のデータと比較した結果、陽子散乱に関する詳細な研究は、核反応のモデル化および中性子散乱データの評価にとって重要な知見を与えることが明らかになった。

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