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thin film米田 安宏; 谷田 肇*; 高垣 昌史*; 宇留賀 朋哉*
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 35(1), p.99 - 102, 2010/03
SrTiO薄膜の基板効果を明らかにするためにXAFSを行った。レーザーMBEで作製した薄膜は基板効果によって生じる格子歪みが緩和されるのに500-2500
必要であるとされている。この緩和機構を局所構造から観測することを試みた。蛍光XAFSを2次元検出器を組合せることによって、薄膜中のどの深度からの蛍光X線かを選別することができる。こうして得られた深さ依存の動径分布関数は、基板効果よりもむしろ表面における再構成構造に強く変調されていることがわかった。
岩瀬 彰宏*; 福住 正文*; 図子 善大*; 鈴木 基寛*; 高垣 昌史*; 河村 直己*; 知見 康弘; 水木 純一郎; 石川 法人; 小野 文久*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 256(1), p.429 - 433, 2007/01
被引用回数：17 パーセンタイル：73.75(Instruments & Instrumentation)FeRh合金におけるイオン照射が原因となる磁性について、放射光X線を利用した磁気円二色性(XMCD)を手段として調べた。イオン照射前は、非磁性であった試料が強磁性を示すようになることを発見し、この磁性の照射イオン種や照射エネルギー依存性を調べた。照射イオン種は、Ni, Kr, Xe, Auで、エネルギーは120Mevから200MeVまでの範囲で実験を行い、イオンの質量,エネルギーの変化に対して系統的な磁性変化を観測した。
福住 正文*; 知見 康弘; 石川 法人; 鈴木 基寛*; 高垣 昌史*; 水木 純一郎; 小野 文久*; Neumann, R.*; 岩瀬 彰宏*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 245(1), p.161 - 165, 2006/04
被引用回数：17 パーセンタイル：74.61(Instruments & Instrumentation)Fe-50at.%Rh合金の高速重イオン照射を室温で行った。照射前後に、磁気特性を超伝導量子干渉計(SQUID)で、結晶構造をX線回折計(XRD)でそれぞれ測定した。また、試料表面近傍での照射誘起強磁性状態を評価するために、大型放射光施設SPring-8においてFe K吸収端近傍のX線磁気円二色性(XMCD)測定を行った。その結果、反磁性-強磁性転移温度以下でも高速重イオン照射によって強磁性状態が誘起され、そのときに格子が0.3%伸びることがわかった。照射した試料では強磁性に相当するXMCDスペクトルが得られ、これが照射イオンの質量や照射量に依存していることがわかった。電子励起及び弾性衝突によるエネルギー損失がFe-Rhの結晶格子及び磁気構造に与える影響について議論する。
石川 法人; 河裾 厚男; 高垣 昌史*; 鈴木 基寛*; 水木 純一郎; 図子 善大*; 藤田 直樹*; 堀 史説*; 関 修平*; 佃 諭志*; et al.
no journal, ,
Fe-50at.%Rh合金を高エネルギーイオン照射することにより磁性変態温度が変化する現象をすでに見いだしているが、その振る舞いを磁気力顕微鏡観察によって、より詳細に調べた。その結果、照射後に微細磁気構造が観測されること、それが照射量に依存して変化すること、またFe-richな強磁性Fe-45at.%Rh合金と異なる磁気構造を持つことがわかった。
米田 安宏; 宇留賀 朋哉*; 谷田 肇*; 高垣 昌史*
no journal, ,
強誘電体薄膜における基板歪みはミスフィット歪みが界面に集積するだけでなく、薄膜表面における再構成層の形成を促進すると考えられる。強誘電体においては界面層や表面再構成層の存在によって分極反転が抑制されると強誘電特性が著しく低下する。この表面再構成層の存在を明らかにするために誘電体薄膜の深さ分解XAFS測定を行った。サンプルとしてLaAlO基板上にMBE法で作製したSrTiO薄膜を選んだ。MBE法は成膜速度が遅く、基板効果を高めるために成膜した薄膜中にもミスフィッ ト歪みが強く残る。ミスフィット歪みによって生じたランダムネスは表面層の再構成を促進する。深さ分解XAFSは薄膜表面にすれすれに入射した放射光X線によって発生する蛍光X線を2次元検出器を用いて観測して行った。蛍光X線の脱出角度は薄膜表面からの深さによって異なることを利用して、深さ方向の分布が約2nm程度の分解能で得られる。その結果、表面より20nm領域においては他とは異なる局所構造を持っており、表面の再構成層の存在を示唆している。
