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高村 秀一*; 門 信一郎*; 藤井 隆*; 藤山 寛*; 高部 英明*; 足立 和郎*; 森宮 脩*; 藤森 直治*; 渡辺 隆行*; 林 泰明*; et al.
カラー図解,プラズマエネルギーのすべて, P. 164, 2007/03
核融合並びにプラズマに興味を持ってもらい、またその有用性,将来性を広く理解してもらうための一般向け解説書として、プラズマ・核融合学会の企画(日本実業出版社から出版予定)に共同執筆で出版するものである。読者の対象範囲は、理科に興味を持つ高校生,大学生・一般社会人,ある種のプラズマに仕事で関連している人で、他分野からのヒントを求める人など、広い層に読んでもらえることを想定している。(目次:はじめに/プラズマってなんだ?/プラズマ技術のひろがり/実験室の超先端プラズマ/核融合プラズマエネルギーとは?/プラズマエネルギーへの道/核融合プラズマエネルギー発電所を目指して/プラズマエネルギーと未来社会)
古牧 睦英; 石川 二郎; 森下 憲雄; 高村 三郎*
Radiat. Meas., 26(1), p.123 - 129, 1996/00
被引用回数：22 パーセンタイル：84.9(Nuclear Science & Technology)構成分子に酸素を含まないポリフッ化ビニリデン膜に重イオンを照射して生成したラジカルをESRにて測定した。照射から測定まで低温に保って、in situのラジカルスペクトルを得た。低温・真空から室温・空気中への変化の過程で、ラジカルは酸素と反応し、トラック内にて過酸化ラジカルを経て、やがて安定な酸化物を形成する。酸化物はエッチング中にアルカリと反応し、選択的に大きい溶解度を示すことが確かめられた。スペクトルから、イオン照射による生成ラジカル種は、ガンマ線照射結果と類似し、主としてアルキル型が多く、昇温すると、共役型に変換し、空気中にて過酸化ラジカルに変換した。一方、ラジカルの生成量は、照射イオン量に比例し、かつ、イオン質量の大きい程増大する。従って、Cイオンのトラックはエッチングされず、質量の大きいBrやClでは、エッチングが可能となる実験結果と一致した。
有賀 武夫; 高村 三郎*; 仲田 清智*; 伊藤 泰男*
Applied Surface Science, 85(2), p.229 - 238, 1995/01
被引用回数：11 パーセンタイル：57.88(Chemistry, Physical)ステンレス鋼中の照射欠陥の挙動に及ぼす不活性ガス原子の影響を調べる目的でArイオンを照射した316ステンレス鋼中の空孔型欠陥濃度の深さ分布を、陽電子消滅
線スペクトルの形状因子Sパラメータの最小二乗フィットによって求め、結果を注入原子分布および添加したTiとの関係で検討した。室温で250keVのArイオンを7.5
10
/m
まで照射したままの試料中の欠陥分布は、計算による損傷ピークの深さ(~120nm)の3倍の深さで濃度が最大となる。1253Kで0.5hの焼鈍後イオンの平均飛程付近に欠陥濃度のピークが現れ、これはAr気泡によるものと認められる。Tiを0.3wt・%添加した試料では飛程近くには、1073Kの焼鈍ではピークは現れず、Tiの添加によりArを核とする空孔の集積は抑制されたことが、陽電子消滅法を用いた実験から明らかになった。
有賀 武夫; 高村 三郎; 広瀬 雅文*; 伊藤 康男*
Physical Review B, 46(22), p.14411 - 14418, 1992/12
被引用回数：6 パーセンタイル：39.36(Materials Science, Multidisciplinary)イオン照射した試料の照射欠陥分布を求めるために、試料にエネルギー可変の低速の単色陽電子ビームを当て、消滅線スペクトルの形状因子Sパラメータを陽電子エネルギーの関数として測定した。測定データと照射前の同パラメータの差が、照射欠陥の濃度分布及び熱化陽電子の振舞を記述する拡散方程式の解にフィットするように欠陥の濃度分布を求める方法を開発した。この方法を用いて250keVのCイオンを室温で照射した316ステンレス鋼中の欠陥濃度分布を求めた結果、欠陥は計算で予測された損傷分布の倍以上の深さまで分布し、分布のピークが予測された深さより表面側に寄っていることを確かめるとともに、損傷分布の予測計算と測定された欠陥分布の違いについて検討した。
高村 三郎; 伊藤 泰男*
Physica Status Solidi (B), 172(2), p.529 - 537, 1992/08
被引用回数：1 パーセンタイル：8.49(Physics, Condensed Matter)各種材料をイオン照射して空孔型欠陥を導入し、これにエネルギー可変の低速陽電子ビームを当てて、空孔型欠陥の深さ分布を測定した。イオン照射後昇温し、空孔の回復に伴う陽電子消滅でのSパラメータの変化を調べ、解析を行った。
星屋 泰二; 田昭 治*; 伊藤 治彦; 高村 三郎; 市橋 芳徳
日本金属学会誌, 55(10), p.1054 - 1062, 1991/10
中性子照射後(照射温度323K、速中性子照射フルエンス810
m
)の等原子比TiNi系形状記憶合金の変態特性、変形挙動及び硬度特性を遠隔操作型の電気抵抗測定装置・引張試験装置・硬度試験装置を用いて調べた。その結果、TiNi系合金のマルテンサイト変態開始温度(M
)は照射によって100K近傍まで低下し、その低下量は200K以上であった。一方、R相変態開始温度(T
)は照射前のそれと比較すると1Kから7K低温側に変化した。また、室温における破断応力及び破断歪(弾性歪を含む)は各々1300~1700MPa及び6~8%であった。さらに、引張試験において5%もの負荷歪が消失する特異な弾性挙動を見出した。TiNi系合金の中性子照射によって形成された原子変位は照射誘起不規則化を引き起こし、変態特性及び変形挙動に大きな影響を及ぼす。一方、523K、600s以上の照射後焼鈍によって規則化を促進して、損傷回復が起こる。
高村 三郎; 関野 甫; 松島 秀夫; 小桧山 守*; 星屋 泰二; 住谷 圭二*; 来島 秀次*
Japanese Journal of Applied Physics, 30(1A), p.L18 - L20, 1991/01
被引用回数：10 パーセンタイル：52.51(Physics, Applied)Y-Ba-Cu-OおよびBi-Sr-Ca-Cu-O焼結体を約60
Cで1.810
n/cmまで中性子照射を行い、照射による磁化の変化を調べた。外部交流磁場によって履歴を生ずるが、その大きさから臨界電流を算出することができる。臨界電流は照射によって増加する。110n/cmの照射量で約2倍に達し、照射量の増加に伴って臨界電流は減少する。これは中性子照射によって生成したカスケード損傷領域が互いに重複して磁束線に対するピン止め効果が減少したためである。
SrCa
CuO
films after ion irradiation星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(11), p.L2026 - L2029, 1990/11
被引用回数：5 パーセンタイル：34.35(Physics, Applied)ヘリウムイオン室温照射したBiSrCaCuO単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBiSrCaCuO単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(8), p.L1443 - L1445, 1990/08
被引用回数：4 パーセンタイル：29.75(Physics, Applied)室温でヘリウム照射した多結晶Bi-Sr-Ca-Cu-O系薄膜について磁場中における電気抵抗の温度依存性を抵抗法を用いて測定した。その結果、低抵抗領域での遷移温度の拡がりは照射フルエンスの増加とともに抑制された。また、実効活性化エネルギーはイオン照射により増加した。これらの変化はイオン照射で導入されたピンニング・センターの存在に起因している。
高村 三郎; 小桧山 守*
日本金属学会会報, 29(6), p.422 - 429, 1990/06
低温で中性子照射したAl、Cu、Ag合金について内部摩擦、弾性率測定を行い、外国で行われた内部摩擦、超音波吸収実験と比較した。また複合体の構造計算と比較して、溶質原子の大きさが溶媒原子より大きい場合と小さい場合に別けて調べ、Al合金ではアンダーサイズの溶質原子の時にはミックスダンベル型、オーバーサイズでは単一格子間原子-溶質原子複合体をもつと考えた。Cu,Ag合金では、複雑な複合体構造をもつと考えた。
高村 三郎; 星屋 泰二; 有賀 武夫
Applied Physics Letters, 56(16), p.1582 - 1584, 1990/04
被引用回数：2 パーセンタイル：17.67(Physics, Applied)超電導体に電流と磁場を同時に加えた場合に磁束線にはローレンツ力が働く。磁束線の運動の熱活性化過程は大きく影響される。高温超電導体Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を磁場下で電気抵抗を測定し、磁束線の動きを磁場および電流値の関数として求めた。磁束線の動きを示す実効熱活性化エネルギーは磁場と電流の積のローレンツ力に比例して減少し、減少の割合は磁場が増す程、減ることがわかった。
高村 三郎; 小桧山 守*; 星屋 泰二
Physica C, 170, p.254 - 258, 1990/00
被引用回数：1 パーセンタイル：10.07(Physics, Applied)高温超電体の交流インピーダンスの温度依存性をBi-Si-Ca-Cu-Oについて磁場下で測定した。一方磁束線の運動方程式から磁束線の動きのローレンツ力に対する遅れを求め、交流抵抗とリアクタンス成分との比較から、磁束線の線張力および摩擦損失を算出し、その温度依存性を調べた。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(8), p.L1352 - L1354, 1989/08
被引用回数：5 パーセンタイル：34.51(Physics, Applied)高温超電導体Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を室温で400keV Heイオン照射し、臨界電流の温度依存性を測定した。臨界電流は常電導状態での電気抵抗に逆比例しており、照射によって電気抵抗が増加するのに伴い、臨界電流は逆比例して減少する。臨界電流は超電導相-常電導相の羽結合相によって決められることを示す。照射後400Cに昇温すると臨界電流は元の状態に向って回復していく。
高村 三郎; 星屋 泰二; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(8), p.L1395 - L1397, 1989/08
被引用回数：3 パーセンタイル：23.68(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O超電導薄膜を室温で400KeV Heイオン照射し、照射後の昇温に伴う臨界温度の回復過程を調べた。200~500Cの焼鈍によって臨界温度および常電導状態での電気抵抗は急激に回復する。超電導110K相は、600C焼鈍によって成長する。焼鈍する時の雰囲気として空気中で行ったとき、真空中で行ったときの差違を議論する。
高村 三郎; 有賀 武夫; 星屋 泰二
Japanese Journal of Applied Physics, 28(7), p.L1118 - L1120, 1989/07
被引用回数：13 パーセンタイル：59(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超電導体薄膜を400KeV-Heイオン照射し、電気抵抗法による臨界電流の磁場中測定を行った。照射欠陥による磁束線のピンニング強さを調べるための一つの実験手段として、磁場中冷却の場合と零磁場冷却の場合について測定を行ったところ、照射したものは著しい差が現れた。これらの実験から照射により生成した磁束線のピンニング強さに分布があることを確認した。またピンニング強さを求めた。
有賀 武夫; 高村 三郎; 星屋 泰二; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(6), p.L964 - L966, 1989/06
被引用回数：24 パーセンタイル：87.78(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を400keVのHeイオンで室温照射すると超電導転移温度Tc(R=0)が92Kから30度低下(110/mの照射量で)、常伝導抵抗R(T=130K)が4倍に増加(同上の照射量)する。一方、Tc(Onset)はこの照射量ではほとんど変化しない。85Kでの照射では、室温照射に比べて、Tc(R=0)の著しい低下とR(T=130K)の増加が観測された。照射後300Kまで昇温するとR(T=130K)の減少(回復)がみられるが、回復量は照射量の増加とともに減少する。はじき出し損傷のしきいエネルギーを25eVと仮定しTc(R=0)の減少率を求め、Y-系セラミック超伝導薄膜での照射(イオン、中性子、電子線)によるTc(R=0)と比較すると、本実験で用いたBi-系薄膜の減少率が大きく、照射損傷に対しY-系より感受性が高いことを確めた。
高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 仲田 清智*
Journal of Physics; Condensed Matter, 1, p.4519 - 4526, 1989/00
被引用回数：2 パーセンタイル：16.73(Physics, Condensed Matter)分子動力学計算によって、照射によって生成した格子間原子と溶質原子の原子サイズが溶媒原子のそれより大きいオーバーサイズの溶質原子との複合体について調べた。原子間ポテンシャルとして、よく使われるモースポテンシャルを用いたが、複合体の構造はAl合金の内部摩擦実験結果とは不一致であった。原子間ポテンシャルをいくつか変えて計算を進め、実験結果と符合する構造を求めることが出来た。
高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 仲田 清智*
Journal of Physics; Condensed Matter, 1, p.4527 - 4533, 1989/00
被引用回数：3 パーセンタイル：23.73(Physics, Condensed Matter)分子動力学計算によって、照射によって生成した格子間原子と溶質原子の複合体の構造や結合エネルギーについて調べた。溶質原子の原子サイズが溶媒原子のそれより小さいアンダーサイズの時には、複合体の構造は混合亜鈴型になる。溶質原子の原子サイズを小さくすると結合エネルギーは大きくなり安定になる。原子サイズと結合エネルギーとの関連や移動過程について議論した。
小桧山 守*; 高村 三郎; 仲田 清智*
Physica Status Solidi (A), 108, p.219 - 224, 1988/09
被引用回数：1 パーセンタイル：12.27(Materials Science, Multidisciplinary)照射によって生成する点欠陥は溶質原子と結合して複合体を作る。格子間原子-溶質原子複合体の挙動は照射誘起析出等の問題に関連して重要である。これは溶質原子が格子間原子と一緒に動いてシンクで集合し合金本来の組織と異なった材料に変わってしまうからである。本研究では複合体の構造を調べるために単結晶合金から2結晶方位の試料を作製し、単純な点欠陥を生成するため電子線照射を行った。
仲田 清智*; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Journal of Nuclear Materials, 151, p.301 - 306, 1988/00
高エネルギー重イオン照射によって金属中に形成される損傷は深さ方向に鋭い分布を持つ。純金属の薄膜を重ねたものに重イオン照射をおこない、照射後薄膜の電気抵抗変化を測定することにより損傷の深さ分布をもとめる。
