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論文

Thermal engineering of non-local resistance in lateral spin valves

葛西 伸哉*; 平山 悠介*; 高橋 有紀子*; 三谷 誠司*; 宝野 和博*; 安立 裕人; 家田 淳一; 前川 禎通

Applied Physics Letters, 104(16), p.162410_1 - 162410_4, 2014/04

 被引用回数:14 パーセンタイル:52.23(Physics, Applied)

We study the non-local spin transport in Permalloy/Cu lateral spin valves (LSVs) fabricated on thermally oxidized Si and MgO substrates. While these LSVs show the same magnitude of spin signals, significant substrate dependence of the baseline resistance was observed. The baseline resistance shows much weaker dependence on the inter-electrode distance than that of the spin transport observed in the Cu wires. A simple analysis of voltage-current characteristics in the baseline resistance indicates the observed result can be explained by a combination of the Peltier and Seebeck effects at the injector and detector junctions, suggesting the usage of high thermal conductivity substrate (or under-layer) is effective to reduce the baseline resistance.

論文

Time-domain observation of the spinmotive force in permalloy nanowires

林 将光*; 家田 淳一; 山根 結太; 大江 純一郎*; 高橋 有紀子*; 三谷 誠司*; 前川 禎通

Physical Review Letters, 108(14), p.147202_1 - 147202_5, 2012/04

 被引用回数:37 パーセンタイル:82.18(Physics, Multidisciplinary)

磁壁移動に伴うスピン起電力を、パーマロイ細線における通常の誘導起電力を適切に差し引いた実時間電圧測定により直接検出する。磁壁の移動速度は印加磁場の大きさに対して非線形な振る舞いを示すが、出力電圧は磁場に対して線形となる。電圧信号の符号は、磁壁の運動方向に応じて反転することが示される。これらの振る舞いは、数値シミュレーションにより定量的に説明され、磁壁運動が周期的な磁化構造変化によって特徴付けられないような磁場領域にあったとしても、出力が外部磁場に対して線形に応答する様子が示される。

論文

Measurement of deuteron induced thick target neutron yields at 9 MeV

執行 信寛*; 日高 浩介*; 平林 慶一*; 中村 泰博*; 森口 大輔*; 隈部 正洋*; 平野 秀峻*; 平山 嵩祐*; 内藤 有紀*; 本岡 親英*; et al.

Journal of the Korean Physical Society, 59(2), p.1725 - 1728, 2011/08

The double differential thick target neutron yields from 9 MeV deuteron incidences were measured at the Kyushu University Tandem Accelerator Laboratory. A copper and a titanium foils which are thick enough for a deuteron to stop in the foils were placed at the center of a vacuum chamber. An NE213 liquid organic scintillator was employed to detect neutrons emitted from targets and placed at 9 directions from 0$$^{circ}$$ to 140$$^{circ}$$. To consider the contribution of scattered neutrons from the floor, we also measured neutron yields with an iron shadow bar located in front of the scintillator. Because incident deuteron beam was not pulsed and the Time-of-Flight method was not applied, the energy spectrum was derived from unfolding the light output spectrum using the FORIST code. The detection efficiency was calculated with the SCINFUL-QMD code. The experimental results were compared with the calculation data of the TALYS code, and it turned out that the calculation data does not reproduce the experimental ones satisfactorily.

論文

Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs

小西 智也*; 西脇 永敏*; 東條 孝志*; 石川 琢馬*; 寺岡 輝記*; 植田 有紀子*; 木原 義文*; 森時 秀司*; 遠野 竜翁*; 武藏 美緒*; et al.

Physica Status Solidi (C), 8(2), p.405 - 407, 2011/02

 被引用回数:3 パーセンタイル:74.8(Engineering, Electrical & Electronic)

Organopalladium species (Pd) immobilized on an Sterminated GaAs substrate (S/GaAs) effectively catalyzes C-C bond formation in the Mizoroki-Heck reaction with cycle durability. However, the immobilizing mechanism of Pd is unknown. In this study, we deposited Pd(OCOCH$$_3$$)$$_2$$ on S/GaAs in two different methods, namely dry-physical vapor-deposition and wetchemical deposition, and compared the catalytic activities in the Mizoroki-Heck reaction. Also, S-termination and Pd-immobilization on GaAs grains were performed by the wet-chemical method to monitor the change in the surface chemical structure during the preparation process with diffuse reflectance Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). FT-IR measurements implied that the immobilization of catalytic active ${Pd}$ was related to the OH groups on the S-terminated surface. Pd-S/GaAs prepared dryphysically showed poor catalytic activity, because Pd was not immobilized under absence of OH groups.

報告書

アスファルト固化処理施設セル換気系排気ダクトの圧力評価

菊地 直樹; 飯村 理人*; 高橋 有紀*; 大森 栄一; 山内 孝道

PNC TN8410 97-310, 117 Pages, 1997/09

PNC-TN8410-97-310.pdf:5.43MB

本報告書は、アスファルト固化処理施設で発生した火災・爆発事故の原因究明に係わる各種解析評価作業の一環として実施したセル換気系排気ダクトにおける圧力伝播解析の結果と、本解析に使用する換気系爆発解析コードEVENT84による解析の信頼性の確認を目的として実施した検証計算の結果をまとめたものである。検証計算では、原研で実施したセル換気系実証試験の試験データとEVENT84による解析結果との比較・検証を実施し、安全側の解析結果が得られたことでEVENT84の信頼性を確認した。アスファルト固化処理施設のセル換気系排気ダクトにおける圧力伝播解析では、事故時の爆発規模の推定を目的として、当該ダクトの破損状況とダクト各部の圧力解析結果の照合を実施した。その結果、ダクトの破損状況を定量的に説明するには至らなかったが、一番損傷の大きいダクト下流側での局所的な圧力上昇は起こり得ることが分かった。

報告書

Graphics and tables of the SCALE 27-group ENDF/B-IV cross-sections library

須藤 俊幸; 高橋 有紀*

PNC TN8450 96-006, 91 Pages, 1996/08

PNC-TN8450-96-006.pdf:2.29MB

SCALEコードシステム内の27群核断面積ライブラリは汎用の臨界解析用ライブラリであり、十分な検証が行われ、臨界評価において最もよく使用されるものの1つである。このライブラリのデータを視覚的に表現することで、各種の核データの特性を把握し、臨界評価を行う方々にいくらかでも役立つものとすべく、ライブラリに含まれる約80核種の核データについてグラフにまとめた。グラフには、全断面積、吸収及び捕獲断面積、核分裂断面積と核分裂当たりの中性子発生数の積を含めた。また、便利のために、これらに加えて弾性及び非弾性散乱断面積、核分裂断面積並びに核分裂当たりの中性子発生数の数値データを表として記載した。

口頭

Cu, Tiに対する9MeV重陽子中性子収量測定

執行 信寛*; 日高 浩介*; 平林 慶一*; 中村 泰博*; 森口 大輔*; 平野 秀峻*; 平山 嵩祐*; 内藤 有紀*; 渡辺 幸信*; 相良 建至*; et al.

no journal, , 

9MeV重陽子を厚い銅とチタンに入射したときの中性子収量測定を行った。中性子検出器に直径5.08cm,厚さ5.08cmのNE213シンチレータを使用し、発光量をアンフォールディングすることにより中性子エネルギースペクトルを導出した。その結果、銅の場合、中性子エネルギーが9MeV以上の領域で15$$^{circ}$$方向の収量が0$$^{circ}$$方向の収量を上回ることがわかった。また、チタンの場合は中性子のエネルギーが8MeVから12MeVの範囲で同様の傾向が見られた。

口頭

Cuに対する9MeV重陽子入射中性子生成量の測定

平林 慶一*; 平野 秀峻*; 日高 浩介*; 森口 大輔*; 中村 泰博*; 執行 信寛*; 平山 嵩祐*; 内藤 有紀*; 渡辺 幸信*; 高橋 博樹; et al.

no journal, , 

IFMIF/EVEDA加速器では、9MeV重陽子入射加速器が考えられており、ターゲットやビームダンプの放射線安全設計・審査に向けて精度の高い核データが必要とされているが、現状では実験データが乏しいため、計算コードの精度検証が十分にできていない。そこで本研究では、タンデム加速器により9MeVに加速した重陽子を厚いターゲットに入射し、ターゲット中で重陽子が止まるまでの(d,xn)反応による中性子生成量の測定,解析を行い、TALYSコードによる計算値との比較を行った。実験で得られた結果を元に、中性子検出器の応答関数を求めた。TALYSコードによる計算結果と比較を行った結果、TALYSの計算値は絶対値に差はあるが、傾向は再現していることがわかった。

口頭

Biカルコゲナイド薄膜における異方性スピン軌道トルクの生成

杉本 聡志*; 荒木 康史; 高橋 有紀子*; 家田 淳一; 葛西 伸哉*

no journal, , 

重金属・強磁性体ヘテロ構造に生じるスピン軌道トルク(SOT)は、磁化の電流操作手法における基幹技術のひとつである。一方で、従来型SOTには面直方向の対称性の破れに起因する不動点(invariant point)が存在し、垂直磁化膜の磁化反転プロセスにおいて終状態を制御できない問題(nondeterministic switching)が指摘されてきた。このような幾何学的制約に対し、近年、WTe$$_{2}$$$$L1_1$$-CuPt/CoPtといった低対称性界面を使用した、新規SOT制御手法が注目されている。本研究では、C3v点群対称性を示すトポロジカル絶縁体Bi$$_{2}$$Te$$_{3}$$薄膜界面に対し、楔形構造化等に起因するC1点群への対称性低下(symmetry reduction)を実現することで、強い異方性を示すSOTの生成に成功した。このような対称性を低下させる摂動下では、従来の直交方向への偏極成分(y-DL)に加え、面直成分(z-DL, z-FL)と平行成分(x-DL)へのSOT生成が新たに導出された。この異方的SOTを採用し、磁気共鳴状態における特異な非相反性と、電流誘起磁化反転における極性依存性が実験的にも観測された。

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