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論文

Performance upgrade in the JAEA actinide science beamline BL23SU at SPring-8 with a new twin-helical undulator

斎藤祐児; 福田義博; 竹田幸治; 山上浩志; 高橋直*; 浅野芳裕*; 原徹*; 白澤克年*; 竹内政雄*; 田中隆次*; et al.

Journal of Synchrotron Radiation, 19(3), p.388 - 393, 2012/05

https://doi.org/10.1107/S0909049512006772

被引用回数：101 パーセンタイル：97.06(Instruments & Instrumentation)

SPring-8の原子力機構専用軟X線ビームラインで、実験ステーションの性能向上のため真空封止型ツインヘリカルアンジュレータを導入し、その高度化を行った。新光源は、高速円偏光反転機能を有し、軟X線磁気円2色性(XMCD)測定の精度及びデータの取得効率の大幅な向上をもたらした。10T超伝導マグネットを用いた常磁性体-US $_{2}$ のXMCDデータの測定結果を示すことにより、本ビームラインの性能及び発展の可能性について記述する。

論文

Generation mechanisms of trapped charges in oxide layers of 6H-SiC MOS structures irradiated with -rays

吉川正人; 斉藤一成*; 大島武; 伊藤久義; 梨山勇; 高橋芳裕*; 大西一功*; 奥村元*; 吉田貞史*

Mater. Sci. Forum, 264-268, p.1017 - 1020, 1998/00

+10V及び-10Vの電圧を印加しながら照射した傾斜酸化膜を用いて6H-SiC MOS構造を形成し、照射による酸化膜中の固定電荷の深さ方向分布の変化を調べた。未照射の酸化膜中には、SiO $_{2}$ /6H-SiC界面に負の、その界面から40nm離れた所には正の固定電荷が存在することがわかっているが、+10Vの電圧を印加しながら照射すると、正の固定電荷は界面にしだいに近づき、界面の負の固定電荷と重なって電気的に中性になることがわかった。一方、-10Vの電圧を加えながら照射すると、界面の負の固定電荷は増加し、正電荷は消滅した。酸化膜中の固定電荷分布は照射中に印加される電圧の極性に大きく依存することがわかった。