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-SiCSong, G.*; 小林 正起*; Hwang, J. I.*; 片岡 隆*; 滝沢 優*; 藤森 淳; 大河内 拓雄; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; et al.
Japanese Journal of Applied Physics, 47(9), p.7113 - 7116, 2008/09
被引用回数：3 パーセンタイル：14.42(Physics, Applied)We have performed X-ray photoemission spectroscopy (XPS), X-ray absorption spectroscopy (XAS), and resonant photoemission spectroscopy (RPES) measurements of Mn-implanted 3-SiC (3-SiC:Mn) and carbon-incorporated Mn
Si
(MnSi:C). The Mn 2
core-level XPS and XAS spectra of 3-SiC:Mn and MnSi:C were similar to each other and showed "intermediate" behaviors between the localized and itinerant Mn 3
states. The intensity at the Fermi level was found to be suppressed in 3-SiC:Mn compared with MnSi:C. These observations are consistent with the formation of MnSi:C clusters in the 3-SiC host, as observed in a recent transmission electron microscopy study.
高野 史好*; Wang, W.*; 大渕 博宣*; 菱木 繁臣; 大島 武; 秋永 広幸*
no journal, ,
ワイドバンドギャップ希薄磁性半導体探索の一環として、Mnドープ立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)を調べた。これまで熱拡散法による4H-SiCへの磁性元素Mnの導入は試みられているが、Mn原子はSiCの格子間位置に侵入し、SiあるいはC置換型のSiC:Mnを得ることはできない。今回は、3C-SiCへイオン注入技術を用いることによりMnを導入し、希薄磁性半導体3C-SiC:Mnの作製を試みた。同温度付近で磁化測定の結果、約245Kで強磁性転移を示し、さらに、磁気光学測定においても同温度付近で強磁性を示唆する振る舞いが観測された。
高野 史好*; Wang, W.*; 大渕 博宣*; 菱木 繁臣; 大島 武; 秋永 広幸*
no journal, ,
近年、高い強磁性転移温度を示す強磁性半導体に関する研究開発が盛んに行われている。今回われわれは、母体材料に、パワーエレクトロニクス材料として期待されている立方晶炭化珪素(3C-SiC)を選び、イオン注入技術を用いることにより、希薄磁性半導体3C-SiC:Mnの作製を試み、その構造と磁性を評価した。磁化測定において約245Kの強磁性転移温度を示し、磁気光学測定においても強磁性を示唆する振る舞いが観測された。
