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口頭

AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたホールセンサの陽子線照射効果

岡田 浩*; Abderrahmane, A.*; Adarsh, S.*; 若原 昭浩*; 佐藤 真一郎; 大島 武

no journal, , 

半導体ホールセンサは、他のセンサ素子や電子回路と一体化させることでシステムが小型軽量化できるというメリットをもつため、宇宙空間利用や過酷環境などへの応用が期待される。そこで今回、サファイア基板上に形成したAlGaN/GaNへテロ構造を用いてホールセンサを作製し、TIARAのイオン注入器を用いて380keVの陽子線を照射することでその放射線照射効果を調べた。1$$times10^{13}$$cm$$^{-2}$$以下では、キャリア移動度ならびにシートキャリア密度に大きな変化は見られなかったが、1$$times10^{14}$$cm$$^{-2}$$の照射により移動度の低下に伴う高抵抗化が生じることがわかった。また、ホールセンサの感度は、1$$times10^{14}$$cm$$^{-2}$$まで初期の値を保つことが明らかとなった。

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