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中島 健次; 川北 至信; 伊藤 晋一*; 阿部 淳*; 相澤 一也; 青木 裕之; 遠藤 仁*; 藤田 全基*; 舟越 賢一*; Gong, W.*; et al.
Quantum Beam Science (Internet), 1(3), p.9_1 - 9_59, 2017/12
J-PARC物質・生命科学実験施設の中性子実験装置についてのレビューである。物質・生命科学実験施設には23の中性子ビームポートがあり21台の装置が設置されている。それらは、J-PARCの高性能な中性子源と最新の技術を組み合わせた世界屈指の実験装置群である。このレビューでは、装置性能や典型的な成果等について概観する。
広瀬 彰; 和田 茂; 笹島 文雄; 楠 剛; 亀山 巌*; 会澤 良二*; 菊池 直之*
JAEA-Technology 2006-059, 122 Pages, 2007/01
JAEA-Technology-2006-059.pdf:26.03MB
中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)は高性能のパワーデバイスとしての高品位特性を有しており、最近のハイブリッド車の増産状況等を反映し、その需要が急激に増大するものと見込まれる状況にある。このような需要増大に対応するため、JRR-3を用いたNTD-Si増産の技術的課題の検討が進められている。本書は、その検討の一環として提案されたJRR-3均一照射設備における外部冷却法対応設備の製作に関するものである。JRR-3均一照射設備では、長尺なSiインゴット全体に対し均一に中性子照射を行うためSiインゴットを軸方向に上下反転して2度照射する方式が採用されており、反転作業を人為的に行っている。このため許容線量率を下回るまでの間、Si照射設備内で放射能が減衰するのを待つ必要から長い待機が余儀なくされていた。照射設備の運転稼働率を高めSi生産量の増量を図るためには、待機時間を短縮することが有効と考え、この待機時間を改善する優れた方法として外部冷却法を考案し、今回その製作と実用試験を実施した。この外部冷却法対応設備を有効に活用することにより、増産を見込んでいる。
佐藤 博隆; 篠原 武尚; 鬼柳 亮嗣; 相澤 一也; 大井 元貴; 原田 正英; 及川 健一; 前川 藤夫; 岩瀬 謙二*; 加美山 隆*; et al.
no journal, ,
パルス中性子源を利用したブラッグエッジイメージングは、高い空間分解能で広い範囲に渡ってバルク材料の結晶組織構造情報を一挙に与えることができるため、工学材料研究のための新しいツールとして期待されている。2次元位置敏感型検出器の各ピクセルで得られるブラッグエッジ透過スペクトルからそのような情報を定量的に推定するために、ブラッグエッジパターンを詳細に解析することは必要不可欠である。そのため、総合スペクトル解析コード「RITS」を開発し、結晶格子ひずみのみならず集合組織(選択配向)や結晶子サイズの定量的なイメージングを実証することに成功した。さらに、RITSは230種類の全結晶構造パターンを取り扱うことができなかったうえに、多相解析も行えなかったため、その改良を行っている。本会議では、より開発の進んだブラッグエッジイメージングの現状について報告する。
