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村上 和功*; Park, J. M.*; Petty, C. C.*; Luce, T. C.*; Heidbrink, W. W.*; Osborne, T. H.*; Prater, R.*; Wade, M. R.*; Anderson, P. M.*; Austin, M. E.*; et al.
Nuclear Fusion, 49(6), p.065031_1 - 065031_8, 2009/06
被引用回数:43 パーセンタイル:82.81(Physics, Fluids & Plasmas)DIII-Dでは、小半径の50%という周辺部で電流駆動できるようにするために、2つの中性粒子ビーム(NB)の垂直方向角度を可変とする改造を計画している。計算によると、NBを下側に向けた場合には、プラズマ電流とトロイダル磁場が同方向の場合に電流駆動効率が大きくなる。この効果は大きく、ITERでの計算では現状のトロイダル磁場の方向を反転させると周辺部NB駆動電流は20%以上増加する。この計算結果を検証するためにDIII-Dでプラズマを上下方向に寄せることでNBに対する磁力線の角度を変化させ、そのときの周辺部NB駆動電流を調べた。MSE計測によるとNB駆動電流は計算通り4045%変化した。この結果から、DIII-DのNBに垂直方向角度を可変とする改造を行うことで、ITERや将来のトカマクのためのシナリオ開発を強力に推進できるだけでなく、輸送・高エネルギー粒子・加熱電流駆動の物理を自在に調べられるようになることが期待される。
Anderson, H.*; Vonarx, E.*; Pastushok, L.*; 中川 繭; 片渕 淳*; Gruz, P.*; Rubbo, A.*; Grice, D.*; Osmond, M.*; 坂本 綾子; et al.
Plant Journal, 55(6), p.895 - 908, 2008/09
被引用回数:43 パーセンタイル:72.55(Plant Sciences)We assessed the roles of and in TLS mediated UV resistance. defective mutants sensitized growth of roots and whole plants to UV radiation indicating AtPol contributes to UV resistance. alone did not complement the UV sensitivity conferred by deletion of yeast , although AtPol exhibited cyclobutane dimer bypass activity and interacted with yeast PCNA in vitro. Co-expression of and , but not , restored normal UV resistance and mutation kinetics in the mutant. A single residue difference at site 201, which lies adjacent to the lysine ubiquitylated in PCNA, appeared responsible for the inability of PCNA1 to function with AtPol in UV treated yeast. PCNA interacting protein boxes and an ubiquitin-binding motif in AtPol were found to be required for restoration of UV resistance in the mutant by and . These observations indicate AtPol can catalyse TLS past UV induced DNA damage, and link the biological activity of AtPol in UV irradiated cells to PCNA2 and PCNA-and ubiquitin-binding motifs in AtPol.
MacLaughlin, D. E.*; Rose, M. S.*; Anderson, J. E.*; Bernal, O. O.*; Heffner, R. H.; Nieuwenhuys, G. J.*; Baumbach, R. E.*; Butch, N. P.*; Maple, M. B.*
Physica B; Condensed Matter, 374-375, p.177 - 179, 2006/03
被引用回数:1 パーセンタイル:6.64(Physics, Condensed Matter)非フェルミ流体的振る舞いへの乱れの効果を調べるため重い電子系UCuPdのアニール及び非アニール試料についての縦磁場SR法を行った。その結果、スケーリング指数はアニールによらないことがわかった。アニールした試料では低温で緩和率の抑制が見られ、このことはアニールにより揺らぎが高い周波数に変化したことを示している。不均一に起因した緩和の増大にはアニールによる効果は見られていない。非フェルミ流体物質において過去の実験で見られていたような残留抵抗との相関が今回の実験でも見られた。