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Steer, S. J.*; Podolyk, Z.*; Pietri, S.*; G
rska, M.*; Grawe, H.*; Maier, K.*; Regan, P. H.*; Rudolph, D.*; Garnsworthy, A. B.*; Hoischen, R.*; et al.
Physical Review C, 84(4), p.044313_1 - 044313_22, 2011/10
被引用回数:71 パーセンタイル:95.14(Physics, Nuclear)核子あたり1GeVのPbを用いて核破砕反応により中性子過剰重原子核を生成した。反跳質量分析法により破砕核を分離し、核種を同定した。核異性体から放出される遅延
線の測定により、49核異性体の検出に成功した。殻模型やBCS計算を用いて、これらの核異性体の準位構造を明らかにした。
Podolyk, Zs.*; Steer, S. J.*; Pietri, S.*; Xu, F. R.*; Liu, H. J.*; Regan, P. H.*; Rudolph, D.*; Garnsworthy, A. B.*; Hoischen, R.*; G
rska, M.*; et al.
Physical Review C, 79(3), p.031305_1 - 031305_4, 2009/03
被引用回数:39 パーセンタイル:87.43(Physics, Nuclear)核子あたり1GeVのエネルギーを持つPbビームによる核破砕反応により、中性子過剰核
Os
を生成した。核異性体から放出される
線の観測を行い、基底状態回転準位がオブレート変形状態であることがわかった。また、オスミウム同位体の変形構造は、急激なプロレート変形からオブレート変形への変化によって特徴付けられ、このことは、白金同位体で知られているゆっくりとした変化とは対照的であることを明らかにした。
Garnsworthy, A. B.*; Regan, P. H.*; Cceres, L.*; Pietri, S.*; Sun, Y.*; Rudolph, D.*; G
rska, M.*; Podoly
k, Z.*; Steer, S. J.*; Hoischen, R.*; et al.
Physics Letters B, 660(4), p.326 - 330, 2008/02
被引用回数:25 パーセンタイル:78.34(Astronomy & Astrophysics)Agビームの破砕反応におけるアイソマー崩壊の
線測定により、中性子数と陽子数が同じ
Nbと
Tc原子核の低励起状態の核構造を明らかにした。
Nbと
Tc原子核は、これまでに内部崩壊が観測された最も重い
の奇々核である。
Nbと
Tc原子核の準位様式は、2重閉殻核
Niと
Sn核の間にあるN=Z核の原子核形を明らかにし、
を持つ奇々核の
状態がエネルギー的に優位であることを支持する。射影殻模型との比較により、
Nbの崩壊は、荷電スピンが変化することによる
アイソマーとして解釈される。
Podolyk, Zs.*; Steer, S. J.*; Pietri, S.*; Werner-Malento, E.*; Regan, P. H.*; Rudolph, D.*; Garnsworthy, A. B.*; Hoischen, R.*; G
rska, M.*; Gerl, J.*; et al.
European Physical Journal; Special Topics, 150(1), p.165 - 168, 2007/11
被引用回数:11 パーセンタイル:55.07(Physics, Multidisciplinary)Pbの核破砕反応を用いて多数の特殊な原子核を生成した。アイソマー崩壊の後に遅延
線を測定し、励起状態の核構造研究を行った。その結果、中性子数126を持つ中性子過剰核
Ptの励起状態について初めての実験的な情報を得ることができた。また、既に報告されている
Tb and
Gdの
and
アイソマーからの崩壊
線を観測した。これらのアイソマーは、核破砕反応で生成した最も高いdiscreteな励起状態であり、本手法を用いることにより、高スピン核構造研究の新たな展開が可能になると考えられる。
Pietri, S.*; Regan, P. H.*; Podolyk, Zs.*; Rudolph, D.*; Steer, S. J.*; Garnsworthy, A. B.*; Werner-Malento, E.*; Hoischen, R.*; G
rska, M.*; Gerl, J.*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 261(1-2), p.1079 - 1083, 2007/08
被引用回数:94 パーセンタイル:98.21(Instruments & Instrumentation)ドイツGSIにおけるRISING実験の最初の結果について報告する。本実験では、核子あたり1GeVの高エネルギーイオンによる核破砕反応を用いてベータ安定線から遠く離れた不安定核を生成する。105台の独立な結晶から成るRising静止ビームの線分光器を用いて、ナノ秒からミリ秒の半減期を持つアイソマーからの崩壊
線の測定を行う。本稿では、Rising実験の目的、測定器、最初の実験結果、及び将来計画について紹介する。
Regan, P. H.*; Garnsworthy, A. B.*; Pietri, S.*; Caceres, L.*; Grska, M.*; Rudolph, D.*; Podoly
k, Zs.*; Steer, S. J.*; Hoischen, R.*; Gerl, J.*; et al.
Nuclear Physics A, 787(1), p.491c - 498c, 2007/05
被引用回数:43 パーセンタイル:90.09(Physics, Nuclear)Pbの核破砕反応を用いてN
126を持つ中性子過剰核を生成した。反跳質量分析器を用いて生成核種の分離を行い、アイソマーからの崩壊
線をゲルマニウム検出器により測定した。その結果、N=126閉殻核である中性子過剰核
Ptの励起状態に関する核構造情報を得た。実験結果とシェルモデル計算の結果について報告する。
Doornenbal, P.*; Reiter, P.*; Grawe, H.*; 大塚 孝治*; Al-Khatib, A.*; Banu, A.*; Beck, T.*; Becker, F.*; Bednarczyk, P.*; Benzoni, G.*; et al.
Physics Letters B, 647(4), p.237 - 242, 2007/04
被引用回数:35 パーセンタイル:86.80(Astronomy & Astrophysics)ドイツ重イオン研究所(GSI)でCaの第一励起状態
からの脱励起
線を初めて測定した。その励起エネルギーは、3015(16)keVであることがわかり、鏡像核である
Sの励起エネルギーよりも276keVも低いことがわかった。殻模型により理論的にこれら両者の構造を調べたところ、
殻を仮定した模型空間でよく説明されることがわかった。この鏡像核の大きなエネルギーのずれは、クーロン力によるトーマスエルマン効果であると考えられ、それを現象論的に取り入れた殻模型計算によりこの領域のミラー核のエネルギーシフトがよく説明されることがわかった。
Laird, J. S.*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 伊藤 久義; Becker, H.*; Johnston, A.*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 53(6), p.3786 - 3793, 2006/12
被引用回数:10 パーセンタイル:56.00(Engineering, Electrical & Electronic)はじき出し損傷及びトータルドーズ効果がSiアバランシェフォトダイオードの過渡応答に及ぼす影響をピコ秒パルスレーザーシステムを用いて評価した。はじき出し損傷は重イオンを使用し、トータルドーズ効果は線を使用して導入した。100kGy(Si)の
線照射を行う前後に過渡応答特性及びゲインを評価した結果、有意な差異が見られなかった。また、電圧負荷を加えた状態及び電圧負荷を加えない状態で
線照射を行った。その結果、前者の方が後者と比較してリーク電流が数桁も増加することが明らかとなった。その原因としては、フィールド酸化膜の界面準位が原因であると考えられる。さらに、重イオンによりはじき出し損傷を導入した試料についても同様の計測を行った結果、
線照射と同様にアバランシェフォトダイオードの過渡応答に変化が見られなかった。以上のことから、100kGy(Si)までの放射線線量までは本研究で使用したSiアバランシェフォトダイオードは耐放射線性を有することが明らかとなった。
Laird, J. S.*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; Becker, H.*; Johnston, A.*; 伊藤 久義
Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7), p.37 - 40, 2006/10
はじき出し損傷及びトータルドーズ効果が低電圧駆動型シリコンアバランシェフォトダイオード(Si APD: Silicon Avalanche Photodiode)に及ぼす影響を電流-電圧計測システム及びピコ秒パルスレーザーシステムを用いて評価した。本研究では、100kGyまでの線照射を行うことでトータルドーズ効果を、重イオン照射を行うことではじき出し損傷効果を導入した。照射後にリーク電流及びゲインの過渡応答を測定した。その結果、トータルドーズ効果によりリーク電流が増加することがわかった。しかしながら、ゲインには有意な差が現われなかった。これまで、はじき出し損傷効果よりもトータルドーズ効果によりSi APDの特性が劣化すると言われていた。しかしながら、本研究で使用したAPDは、その静特性(リーク電流)に照射劣化が見られるものの、APDを使用するうえで最も重要なゲインについては、100kGyまでの照射に耐えられることが明らかとなった。
Petoussi-Henss, N.*; Schlattl, H.*; Zankl, M.*; Becker, J.*; 斎藤 公明; 遠藤 章
no journal, ,
環境放射線による外部被ばくは環境中における重要な被ばく経路の一つである。本研究では、従来から被ばく線量計算に用いられてきた、人体を数式で表現したMIRDタイプのファントムにかわり、人体の構造をよりリアリスティックに表現できるボクセルファントムを用いることとし、ドイツ放射線防護研究所(GSF)で開発されICRPで採用された標準人ボクセルモデルとモンテカルロ計算コードBEAMnrcを用いて環境放射線に対する臓器線量を計算した。環境中線源として空中一様分布線源と地表面一様分布線源を想定し、まず単一エネルギーの光子と電子に対する臓器線量をエネルギーをさまざまに変化させて計算し、さらにICRPの新しい核崩壊データを使用して環境中の核種に対する線量係数を合成した。ここで求めた臓器線量並びに実効線量に関する線量係数を従来の係数と比較することにより、新しいファントム並びに核データの与える影響について議論する。