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Belitz, H. J.*; Althausen, B.*; 上原 和也; 雨宮 宏*
JAEA-Research 2009-048, 21 Pages, 2010/01
本プローブはトカマク周辺プラズマ(SOL)の正イオンの温度を測定するために開発されたものである。周辺プラズマではイオン温度は通常電子温度より高いのでプローブ前面のプリシースを考慮する必要がなくイオンはプローブに熱速度で到来すると考えてよい。プローブは円筒型で軸は磁場に平行に置くものとする。重要なパラメータはプローブの長さLと半径aの比L/aと半径と(/4) (:イオンの平均ラーマ半径)の比である。円筒の側面,端面へのイオン電流強度は二重積分で表されの大きい場合には解析的な表式で表される。2本の異なる長さの円筒電極を磁場に平行に置く時互いの電流差からが得られそこからイオン温度が決定される。終わりにJFT-2MとTextorトカマクへの幾つかの適用例について示す。