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中林 正和*; 大山 英典*; Hanano, N.*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.183 - 186, 2004/10
IGBTの電気特性の放射線劣化について、2MeV電子線の高温で照射を行い、評価した。電子線照射の実験は高崎研究所の電子加速器を使用し、フラックスは10
e/cm
で固定し、照射中の温度を室温, 100, 200, 300
Cと変化させた。電気測定の結果、しきい電圧は照射温度100Cで部分的に回復し、飽和電圧の増加が100Cで最も顕著であることがわかった。また、この温度範囲では、放射線で誘起した界面準位による電圧シフトと固定電荷による電圧シフトの挙動が異なることが判明した。本ワークショップではこれらの違いについて解析し議論を行う。
大山 英典*; 高倉 健一郎*; 中林 正和*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 神谷 富裕; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 久保山 智司*; 岡 克己*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 219-220, p.718 - 721, 2004/06
被引用回数：3 パーセンタイル：24.89(Instruments & Instrumentation)人工衛星は高温で長期間、放射線にさらされるため、その中で用いられる半導体素子について、放射線照射と照射中の温度との関係を評価することが重要である。本研究では、近年非常に注目されているオプとエレクトロニクスデバイスについて照射による電気特性の変化と温度との関係を評価した。評価に用いた試料は、InP基板の上に成長させたInGaAsのエピタキシャル層で作られたフォトダイオードで0.95から1.65mmの波長範囲を有したものである。照射は、2MeVの電子線を用い照射線量は、1
10
e/cmとし照射中の温度を50, 100, 200及び300度に保持し、無印加状態で行った。その結果、電子線を照射して生じる欠陥レベルが照射中の温度の上昇に伴い減少した。また、300度の照射では、光電流の低下が初期値の30%であった。これにより、放射線照射による電気特性の変化が高温照射によって回復することがわかった。本会議では、これらの実験結果について紹介し議論する。
-ray irradiation大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍; 高見 保清*; 伊藤 久義
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1185 - 1188, 2001/12
被引用回数：8 パーセンタイル：44.94(Physics, Condensed Matter)InGaAsP系レーザダイオードにおいて高温線照射により発生する格子欠陥とその素子特性に及ぼす影響を明らかにするために、レーザダイオード試料にCo-60線源を用いて線照射を実施した。線の照射量は最高100Mradとし、照射中の試料温度は20,100,200
とした。照射前後にダイオードの電流・電圧(I-V)特性,容量・電圧(C-V)特性を室温にて測定した結果、照射後の順方向,逆方向電流及び光出力は照射温度の増加に伴い増加すること、また、これとは反対にしきい値電流は減少することがわかった。
and electron irradiation大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍*; 高見 保清*; 伊藤 久義
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1226 - 1229, 2001/12
被引用回数：31 パーセンタイル：79.69(Physics, Condensed Matter)シリコン(Si)のPIN型フォトダイオードの高温線照射による劣化を評価した。試験試料はSiフォトダイオードで、抵抗率が2~4K
であり、厚さ0.3mmのカバーガラス窓をもつTO-18パッケージに収められている。線照射にはCo-60線源を使用し、照射量は最大1107rad(Si),照射中の試料温度は20,100,200とした。照射前後のデバイス特性とDLTS測定を行い、照射による特性劣化と導入欠陥との相互関係について検討した。照射後のDLTS測定の結果、n形シリコン基板に導入された2種類の電子捕獲準位(Ec-0.22eV)及び(Ec-0.40eV)と1種類の正孔捕獲準位(EV+0.37eV)が検出された。一方、デバイス特性については、線照射により暗電流は減少し、光電流は増加する傾向が得られた。これらの特性変化をDLTS測定で得られた欠陥準位に関連付けて議論する。
小林 大輔*; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 廣瀬 和之*
no journal, ,
放射線が半導体中に侵入するとその電離作用によって電荷が発生しパルス性雑音が生じる。この雑音によって回路が誤動作することが知られておりソフトエラーと呼ばれている。今日の微細化が進んだ素子において、宇宙線由来の中性子線の影響が無視できない。一方近年の微細「金属酸化膜電界効果半導体」(MOSFET)では移動度向上のために歪み技術を用い、その場合、ソースやドレインを構成するPN接合をSiGe/Siヘテロ接合で実現する。Geを添加することで、二つの接合に挟まれたチャネル部分に歪みが加わり、結果としてP型MOSFETの移動度が向上する。この接合には歪みによってもたらされた欠陥が存在すると考えられ、それが放射線によって発生した電荷の再結合中心として働き、放射線耐性の向上にも寄与するのではないかと期待しており、本研究ではその可能性を探った。実験では、Ge濃度を変えた素子を用意しKr照射下におけるイオンビーム誘起過渡電流(TIBIC)を観測した。TIBICシグナルは典型的な波形を示したが、負性電流も見られた。時定数の比較からは、欠陥によって電荷収集時間が短くなった可能性を示唆する結果を得た。TIBICシグナルを積分し、収集電荷量を調べたが、Ge濃度の依存性は明瞭でなく、あってもバラツキの範囲に納まることが判明した。
