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論文

Identification of divacancies in 4H-SiC

Son, N. T.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; et al.

Physica B; Condensed Matter, 376-377, p.334 - 337, 2006/04

https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.086

被引用回数：3 パーセンタイル：17.99(Physics, Condensed Matter)

六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)の固有欠陥解明研究の一環として、P6/P7とラベル付けされた格子欠陥(センター)を電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab initio)法を用いて調べた。室温または850 $^{circ}$ Cでの3MeV電子線照射により4H-SiC中にP6/P7センターを導入し、EPR測定を行った結果、P6/P7センターの近接炭素及びシリコン原子の超微細相互作用定数が電気的に中性の複空孔(V $_{C}$ V $_{Si}$ $^{0}$ )に対する計算値と非常によく一致することがわかった。これにより、正に帯電した炭素空孔と炭素アンチサイト対の光励起三重項状態(V $_{C}$ C $_{Si}$ $^{2+}$ )と従来考えられていたP6/P7センターが、C $_{3V}$ /C $_{1h}$ 対称性を有するV $_{C}$ V $_{Si}$ $^{0}$ の三重基底状態に起因すると結論できた。

論文

Divacancy model for P6/P7 centers in 4H- and 6H-SiC

Son, N. T.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; et al.

Materials Science Forum, 527-529, p.527 - 530, 2006/00

電子常磁性共鳴(EPR)を用いて六方晶炭化ケイ素(4H-, 6H-SiC)中の欠陥センターであるP6/P7の構造同定を行った。試料はn型,p型の4H-及び6H-SiC及び高品質半絶縁4H-SiCを用いた。室温または850 $^{circ}$ Cでの3MeV電子線照射(210 $^{18}$ 110 $^{19}$ /cm $^{2}$ )によりP6/P7センターを導入した。低温(8K及び77K)での $^{13}$ C及び $^{29}$ Siの超微細相互作用を調べた結果、P6及びP7センターは、それぞれ、結晶のC軸に垂直または平行なシリコン空孔(V $_{Si}$ )と炭素空孔(V $_{C}$ )の複空孔(V $_{C}$ -V $_{Si}$ $^{0}$ )であると決定できた。