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論文

Effects of oxygen annealing on dielectric properties of LuFeCuO $_{4}$

松尾祥史*; 鈴木宗泰*; 野口祐二*; 吉村武*; 藤村紀文*; 吉井賢資; 池田直*; 森茂生*

Japanese Journal of Applied Physics, 47(11), p.8464 - 8467, 2008/11

https://doi.org/10.1143/JJAP.47.8464

被引用回数：11 パーセンタイル：42.15(Physics, Applied)

新規強誘電体LuFe $_{2}$ O $_{4}$ の鉄サイト置換体LuFeCuO $_{4}$ を合成し、その誘電性と微細構造について調べた。室温における透過電子線回折によって観測された微細構造からは、ab面内に3倍周期を持つ、Fe $^{3+}$ とCu $^{2+}$ の長周期構造の存在が見いだされた。この構造は、LuFe $_{2}$ O $_{4}$ における鉄電荷秩序構造と類似しており、電気双極子を持つ。また、実空間像からは、510nm程度の小さなドメインが観測され、電気双極子を持つドメインが形成されていることを示す。誘電率測定からは、500K近傍で誘電率にピークが見られ、ピークにおける誘電率は1000程度であり、誘電体であることを観測した。講演では、酸素アニールによる誘電特性やドメイン構造の変化についても報告する。

論文

Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure

早川竜馬*; 中永麻里*; 吉村毅*; 芦田篤*; 藤村典史*; 上原剛*; 田川雅人*; 寺岡有殿

Journal of Applied Physics, 100(7), p.073710_1 - 073710_8, 2006/10

https://doi.org/10.1063/1.2353781

被引用回数：12 パーセンタイル：42.56(Physics, Applied)

大気圧プラズマ(AP)法で形成されたシリコン酸窒化膜について詳細な構造分析と絶縁特性の測定を行った。その結果をRFプラズマの場合と比較した。AP法の場合は298から773Kの範囲でSi $_{3}$ N $_{3.5}$ O $_{0.7}$ の組成を持つ1.8nmの膜が形成される。1486.6eVの単色Al-Ka線と高分解能ラザフォード後方散乱分光からN原子がNSi $_{3}$ 結合に関与する割合はAPプラズマの方が10%以上大きいことがわかった。298から773Kの範囲ではリーク電流密度は変わらない。298Kで形成した膜のそれは5MV/cmの電界強度のとき710 $^{-2}$ A/cm $^{2}$ である。この値はRFプラズマの場合に比べて一桁小さい。

口頭

大気圧非平衡窒素プラズマ及びRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si表面における結合状態の比較

早川竜馬*; 中永麻里*; 吉田真司*; 田川雅人*; 寺岡有殿; 吉村武*; 芦田淳*; 功刀俊介*; 上原剛*; 藤村紀文*

no journal, ,

大気圧プラズマとRFプラズマを用いて室温で作製したシリコン窒化膜の化学結合状態を放射光光電子分光で分析して比較した。その結果RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は5成分から成り立ち、大気圧プラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は4成分から成り立つこと,RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面にのみSi $_{3}$ N成分が存在することがわかった。