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論文

High-resolution photoemission study of the hybridization gap in the Kondo semiconductor CeRhAs

島田 賢也*; 東口 光晴*; 有田 将司*; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 高田 恭孝*; Shin, S.*; et al.

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 310(2, Part1), p.e57 - e58, 2007/03

近藤半導体CeRhAs及び半金属CeRhSbの電子状態を、40-5948eVの放射光を利用した光電子分光により調べた。光励起断面積のエネルギー依存性に基づき、これらの物質のp-d-f状態を明らかにした。

論文

High-resolution photoemission study of Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs; A Collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor

島田 賢也*; 東口 光晴*; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 笹川 哲也*; 高畠 敏郎*

Physica B; Condensed Matter, 383(1), p.140 - 141, 2006/08

https://doi.org/10.1016/j.physb.2006.03.081
 被引用回数：1 パーセンタイル：6.23(Physics, Condensed Matter)

近藤半導体CeRhAsのLa置換によるエネルギーギャップの崩壊を解明するため、Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs(0$$leq$$x$$leq$$0.05)単結晶の高分解能角度分解光電子分光を行った。xの増加とともにフェルミエネルギー近傍のCe4f$$^{1}$$状態が減少し、高結合エネルギーに4f由来の構造が現れた。一方、Rh 4dに由来する状態は、置換によってあまり変化しない。新たに現れたCe 4f状態はインコヒーレントな性質であり、x$$>$$$$sim$$0.02における半導体状態の崩壊の原因である。

論文

High-resolution photoemission study of CeRhX (X=Sn, In)

島田 賢也*; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 東口 光晴*; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 藤森 淳; Kim, M. S.*; 平田 大輔*; 高畠 敏郎*

Physica B; Condensed Matter, 378-380, p.791 - 792, 2006/05

https://doi.org/10.1016/j.physb.2006.01.289
 被引用回数：4 パーセンタイル：22.09(Physics, Condensed Matter)

CeRhX(X=Sn, In)のCe 4f由来の電子状態をCe 3d-4f高分解能共鳴光電子分光法により直接的に調べた。低い近藤温度を有する近藤金属CePtSnと比較すると、CeRhXはフェルミエネルギー近傍のCe 4f$$^{1}$$状態が強く、4f$$^{0}$$状態が弱い。このことはCeRhXは強い価数揺動系であることを示している。Ce 4f$$^{1}$$のスペクトル形状から、c-f混成強度は、CeRhInよりもCeRhSnの方が弱いことがわかった。

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