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論文

Determination of silicon vacancy in ion-beam synthesized $$beta$$-FeSi$$_{2}$$

前田 佳均; 市川 貴之*; 上西 隆文*; 鳴海 一雅

Physics Procedia, 11, p.83 - 86, 2011/00

https://doi.org/10.1016/j.phpro.2011.01.006
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Optics)

Using Rutherford backscattering spectrometry (RBS), we can deduce the concentration of Si vacancy and its depth profile in the $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ layer and find confirmation of the effect of the thermal annealing on reduction of the Si vacancy. The concentration of Si vacancy at the inside of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ is reduced after the long annealing. Contrary to the inside, at the interface the Si vacancy remains at $$sim$$1.5 at% even after the annealing for 360 min. Moreover we find consistency of our analysis of Si vacancy on an evident correlation between the reduction of Si vacancy and improvement of crystallinity (decrease of the $$chi$$$$_{min}$$) by the annealing.

論文

Axial orientation of molecular-beam-epitaxy-grown Fe$$_{3}$$Si/Ge hybrid structures and its degradation

前田 佳均; 上西 隆文*; 鳴海 一雅; 安藤 裕一郎*; 上田 公二*; 熊野 守*; 佐道 泰造*; 宮尾 正信*

Applied Physics Letters, 91(17), p.171910_1 - 171910_3, 2007/10

https://doi.org/10.1063/1.2801705
 被引用回数：31 パーセンタイル：71.83(Physics, Applied)

分子線エピタキシャル(MBE)成長させたFe$$_{3}$$Si(111)/Ge(111)ハイブリッド構造の軸配向性をラザフォード後方散乱法によって調べた。300$$^{circ}$$Cより高い温度でのMBE成長においては、Fe原子とGe原子の相互拡散によって組成が変化し、Fe$$_{3}$$Si中にFeGeがエピタキシャル成長することを確認した。また、低温($$<$$200$$^{circ}$$C)でのMBE成長では、軸配向性に優れ($$chi$$$$_{min}$$=2.2%)、十分に規則正しいDO3構造を持ったFe$$_{3}$$Siが得られた。化学量論的組成からずれたFe$$_{3}$$Siについては、400$$^{circ}$$Cより高い温度でのポストアニールにより、組成の変化と軸配向性の劣化が起こった。本論文では、併せてFe$$_{3}$$Si(111)/Ge(111)ハイブリッド構造の熱的安定性と界面の質に対する化学量論組成の重要性を議論する。

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