JOPSS:検索結果一覧

論文

Depth-dependent and surface damages in MgAl $_{2}$ O $_{4}$ and MgO irradiated with energetic iodine ions

有賀武夫; 片野吉男*; 大道敏彦*; 岡安悟; 数又幸生*; 實川資朗

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 197(1-2), p.94 - 100, 2002/11

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(02)01359-9

被引用回数：9 パーセンタイル：51.46(Instruments & Instrumentation)

アルミナ(Al $_{2}$ O $_{3}$ ),スピネル(MgAl $_{2}$ O $_{4}$ ),マグネシア(MgO)焼結体試料にタンデムからの85MeVのヨウ素イオンを110 $^{14}$ /m $^{2}$ ・sの線束で1.210 $^{19}$ /m $^{2}$ まで室温照射した。透過電顕による観察の結果、スピネルではアルミナより~1m深くまで非晶質化が認められ、複雑な組成の方が非晶質化し易い傾向を見いだした。MgOでは非晶質化などの損傷は認められなかったが、X線回折の結果、約10m厚さの表面層で微結晶表面が(100)面に再配列することを新たに見いだした。透過電顕での電子線回折では認められないこれらの変化は、高エネルギーイオンの透過に伴う飛跡に沿って再配列が生じると考えられる。

論文

Pinning properties of quenched and melt growth method-YBCO bulk samples

岡安悟; 笹瀬雅人; 黒田直志; 岩瀬彰宏; 数又幸生*; 神原正*

Physica C, 357-360(Part.1), p.501 - 504, 2001/09

溶融法で作製したイットリウム系高温超伝導体(QMG-YBCO)の強いピン止め特性を調べるため、照射により異なる2つのタイプのピン止め欠陥を導入し、ピン止めにおける照射効果の違いを比較した。プロトン照射では結晶のユニットサイズ(~直径15Å)程度の欠陥が試料に導入され、すべての動作温度域で1テスラの磁場付近でピン止め特性が改善された。3.5GeVのXe照射では試料内に直径10Å程度の円柱状欠陥が導入された。この欠陥は強いピン止め効果を期待されたが、もともと強いピン止め力を有するこの系ではあまり効果はなかった。しかしながら転移温度近傍の高い動作温度でピン止め力が回復する現象が観測され、円柱状欠陥によるピン止め力が高温で有効であることが示された。いずれの場合も、基本的なピン止め特性は、試料中にランダムに分布するY211の析出物が支配していることが明らかになった。

論文

Amorphization behaviors in polycrystalline alumina irradiated with energetic iodine ions

有賀武夫; 片野吉男; 大道敏彦; 岡安悟; 数又幸生

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 166-167, p.913 - 919, 2000/05

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)00800-9

被引用回数：32 パーセンタイル：86.9(Instruments & Instrumentation)

電気絶縁体であるセラミック材料の照射損傷機構を解明するため、アルミナ焼結体に85MeV沃素イオン(I $^{7+}$ )を最高110 $^{19}$ /m $^{2}$ まで室温で照射し、損傷組織を入射方向に沿って11mの深さまで観察した。表面から約4mの深さまでは照射によってほとんど非晶質化し、6.5mより深い領域では結晶粒組織がほぼ完全に残る。4~6.5mの間の、結晶-非晶質の遷移領域では非晶質領域を表面に向かって移動したと認められる粒や、その途中で微細化した粒が観察された。従来、セラミック(アルミナ)の非晶質化は、核的エネルギー付与によるはじき出し損傷の関数で整理されてきたが、今回の結果は、はじき出し損傷がピークとなる7~9mの深さの範囲では非晶質化が認められず、電子系へのエネルギー付与が大きな4mまでの範囲で顕著な非晶質化を認めた。

論文

Parallel and crossed columnar defects aligned at 45° to the c axis in Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{x}$ tapes

数又幸生*; 岡安悟; 左高正雄; 熊倉浩明*

Physical Review B, 58(9), p.5839 - 5847, 1998/09

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.5839

被引用回数：7 パーセンタイル：40.76(Materials Science, Multidisciplinary)

平行及び交差した円柱状欠陥をBi-2212テープ材に導入して、磁束の挙動を調べた。両欠陥ともに不可逆曲線を著しく増加させた。不可逆曲線の角度依存性を調べた結果平行な円柱状欠陥では、欠陥方向にピークが観測されるのに対して、交差した欠陥では中間位置にピークが存在することを見い出した。ab面に平行に磁場をかけた場合、不可逆曲線が温度と共に指数的に減衰することを示し、この減衰がキンクの運動によって支配されていると説明した。欠陥と平行に磁場をかけた場合不可逆曲線は、欠陥に捕獲された1本1本の磁束の温度依存性によって支配されていることを示した。円柱状欠陥による指向性は5Kでは観測されず、30K以上の温度で現れることを見い出した。欠陥の不規則分布は、高磁場で磁束のピンニングを不安定にすることを示した。

論文

Vortex pinning and irreversibility line in single crystal YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$ with parallel twin boundaries

石田武和*; 奥田喜一*; 朝岡秀人; 数又幸生*; 野田健治; 武居文彦*

Advances in Superconductivity X, p.461 - 464, 1998/00

https://doi.org/10.1007/978-4-431-66879-4_106

YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$ 単結晶を用いて、磁気トルク測定、欠流磁化率の測定を行い磁束ピンニングと不可逆曲線に関する情報を得た。高純度、高品質なYBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$ 単結晶は包晶反応を利用し、Y $_{2}$ O $_{3}$ るつぼから育成した。またその後550 $^{circ}$ C5atm酸素アニーリングを行い酸素含有量の調整を行った。双晶境界は交点を持たず一方向のみ存在する結晶を用いたことから双晶本来の特性を評価することができた。双晶面内に自由エネルギーの最小値、シャープなピンニングピークが磁気トルク測定により観測され双晶境界がイントリッシックピンと非常によく似た振る舞いをすることを示した。

論文

Uranium molybdenum silicide U $_{3}$ MoSi $_{2}$ and phase equilibria in the U-Mo-Si system

宇賀神光弘; 伊藤昭憲; 岡安悟; 数又幸生*

Journal of Nuclear Materials, 257(2), p.145 - 151, 1998/00

https://doi.org/10.1016/S0022-3115(98)00441-3

被引用回数：9 パーセンタイル：60.39(Materials Science, Multidisciplinary)

筆者らが見い出した新ウランモリブデン珪化物U $_{3}$ MoSi $_{2}$ の金相、X線回折等の結果を報告する。この三元化合物の生成反応、融点を明らかにするとともに予備的な結晶構造を示した。また、U-Si二元系にMoを加えた場合のU-Mo-Si三元系について相平衡データを記述した。

論文

X-ray rocking curve study of the strain profile formed by MeV ion implantation into(111)silicon wafers

栗林勝*; 富満広; 侘美克彦*; 井上哲*; 石田興太郎*; 相澤一也; 岡安悟; 富田博文*; 数又幸生*; Y.C.Jiang*; et al.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 36(12A), p.7296 - 7301, 1997/12

https://doi.org/10.1143/JJAP.36.7296

被引用回数：6 パーセンタイル：36.78(Physics, Applied)

高エネルギー(80~230MeV)の重イオン(Ni,Cu,Au)を、(111)表面を有するSi単結晶板に打込み(1~5010 $^{13}$ /cm $^{2}$ )、結晶中に生じた照射損傷を、X線回折(三結晶法)で観察した。解析は動力学的理論で行い、結晶中の歪み分布を決定した。その結果、結晶表面付近には損傷がなく、深い部分にだけ歪みが生じること、その分布は、「イオン停止位置」(Stopping Powerによる計算)ではなく、むしろ「はじき出し損傷率分布」に近いこと、照射量と歪み分布の大きさが比例すること、等が明らかになった。なお、照射は原研タンデム加速器で、X線回折はKEKのPF等で行った。

論文

Two- and fourfold ab-plane torque symmetry in untwinned YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$ single crystals

石田武和*; 奥田喜一*; 朝岡秀人; 数又幸生*; 野田健治; 武居文彦*

Physical Review B, 56(18), p.11897 - 11902, 1997/11

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.11897

被引用回数：39 パーセンタイル：86.7(Materials Science, Multidisciplinary)

CuO $_{2}$ 面内の異方性についての詳細な研究はいまだ行われておらず、超伝導起源と斜方晶との係わり、ab面内秩序パラメーターの本質的異方性の検証、面内ピンニング機構の異方性など数多くの問題がある。そこで我々はY $_{2}$ O $_{3}$ るつぼを使用し包晶反応を経た高純度・高品質なYBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$ 単結晶を育成し、更に双晶境界を完全に消去した試料を作製し、ab面内トルクの測定を行った。4回対象を示した自由エネルギーは磁場がa軸またはb軸に印加したときに極小値を示すなど高温超伝導体におけるd $_{x2-y2}$ 対称性への可能性を示した。

論文

Influence of growth condition on magnetic flux pinning in YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ single crystals

朝岡秀人; 数又幸生*; 武居文彦*; 野田健治

Physica C, 279(3-4), p.246 - 252, 1997/00

https://doi.org/10.1016/S0921-4534(97)00155-X

被引用回数：2 パーセンタイル：20.24(Physics, Applied)

フラックス法により、仕込みYBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ :フラックス比の割合を変化させ、YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ 結晶育成を行った。その結果、仕込みYBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ :フラックス比におけるフラックスの割合が減少するにつれてYBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ 結晶中の空孔が増加し、これにより臨界電流密度Jcが高くなるという結果を得た。従来、YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{x}$ 結晶におけるピンニングセンターとして、酸素欠損、双晶面、粒界、欠陥、Y $_{2}$ Ba $_{2}$ CuO $_{5}$ 粒子等が研究されているが空孔に注目した研究はほとんど行われていない。

発表形式

掲載資料名

発表会議名

筆頭著者名

キーワード

使用言語

発行年

開催年