Proton irradiation effects on amorphous silicon triple-junction solar cells

佐藤 真一郎; Kevin, B.*; 大島 武

Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-10) (Internet), p.44 - 47, 2012/12

陽子線照射されたa-Si/a-SiGe/a-SiGe三接合太陽電池の発電特性の劣化挙動についてその場測定装置を用いて詳細に調べた。その結果、陽子線照射による劣化ははじき出し線量という単位によって統一的にスケールすることができ、陽子線照射劣化がおもにはじき出し損傷効果に起因していることが明らかになった。また、照射直後の特性の回復を調べたところ、発電性能を示すパラメーターのすべてが室温で有意に上昇した。特に、短絡電流の回復が顕著であり、これは照射欠陥の室温回復に基づくキャリア寿命の増加に起因するものであると考えられる。