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民井 淳*; Pellegri, L.*; S
derstrm, P.-A.*; Allard, D.*; Goriely, S.*; 稲倉 恒法*; Khan, E.*; 木戸 英治*; 木村 真明*; Litvinova, E.*; et al.
European Physical Journal A, 59(9), p.208_1 - 208_21, 2023/09
被引用回数：1 パーセンタイル：0.02(Physics, Nuclear)光核反応は原子核構造の観点からも応用の観点からも重要であるにも関わらず、その反応断面積は未だに不定性が大きい。近年、超高エネルギー宇宙線の起源を探るために、鉄よりも軽い原子核の光核反応断面積を正確に知る必要が指摘されている。この状況を打破するため、原子核物理の実験、理論、宇宙物理の共同研究となるPANDORAプロジェクトが始まった。本論文はその計画の概要をまとめたものである。原子核実験ではRCNP、iThembaによる仮想光子実験とELI-NPによる実光子実験などが計画されている。原子核理論では、乱雑位相近似計算、相対論的平均場理論、反対称化分子動力学、大規模殻模型計算などが計画されている。これらで得られた信頼性の高い光核反応データベースと宇宙線伝搬コードを組み合わせ、超高エネルギー宇宙線の起源の解明に挑む。
/p InGaP solar cellDharmarasu, N.*; 山口 真史*; Khan, K.*; 高本 達也*; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 松田 純夫*
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1181 - 1184, 2001/12
被引用回数：7 パーセンタイル：41.38(Physics, Condensed Matter)100keV陽子線照射(1E10, 5E12/cm
)したInGaP半導体n+/p接合のキャリア濃度及び生成される欠陥準位を調べた。キャパシタンス測定の結果、キャリア濃度減少率として、1MeV電子線の0.93/cmより桁違いに大きい6.1E4/cmが見積もられた。またDLTS測定より欠陥準位を調べたところ、H1ピーク(Ev+0.90V対応)が観測された。このH1ピークが多数キャリア捕獲中心として働くことで、100keV陽子線照射では1MeV電子線照射に比べキャリア濃度減少率が大きいことが分かった。
Amarsaikhan, K.*; 川堀 龍*; 渡部 雅; 今井 良行; 植田 祥平; Yan, X.; 溝尻 瑞枝*
no journal, ,
フェムト秒レーザー焼結は2D/3Dマイクロ積層造形の有望な技術である。本プロセスではバインダーに分散されたナノ粒子を基板上にコーティングし、フェムト秒レーザーパルスでスキャンしパターンが描画される。本研究ではこのプロセスを直径約100nmのSiCナノ粒子を用いたSiC微細構造の製造に適用するとともに、直径約18nmのより微細なSiCナノ粒子を含むインクを調製しフェムト秒レーザーによるパターニング特性をレーザー照射条件を変えて評価した。様々な走査速度におけるパルスエネルギーと線幅の関係から、18nmのナノ粒子を含むインクにおいて線幅の減少が確認された。また、描画ライン中央部のアブレーション幅はナノ粒子を微細化することで減少した。これらの結果から、微細なナノ粒子がインク表面積を増加させ、照射エネルギーの消費を増やし、インクの熱伝導率が低下したことが示唆された。
