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/SiC界面の放射光XPS評価景井 悠介*; 小園 幸平*; 朽木 克博*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
no journal, ,
高密度プラズマ窒化処理を行った4H-SiC(0001)基板について、熱酸化の進行とともにSiO/SiC界面構造がどのように変化するのかを光電子分光法により調べた。Si2pスペクトルに注目し、Siの中間窒化状態及び中間酸化状態について評価を行った結果、通常の熱酸化膜界面に対して、プラズマ窒化処理後に酸化を行うことでSiO/SiC界面の中間酸化状態の生成を大幅に抑制できることがわかった。MOSキャパシタの電気特性評価を行ったところ、プラズマ窒化後の熱酸化で形成したSiO/SiC界面で欠陥密度が半減していたことから、Siの中間酸化状態成分が電気的欠陥の生成に関与していることが明らかとなった。
積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化渡部 平司*; 景井 悠介*; 小園 幸平*; 桐野 嵩史*; 渡邊 優*; 箕谷 周平*; 中野 佑紀*; 中村 孝*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; et al.
no journal, ,
SiC-MOSFETはノーマリーオフ型の高性能パワーデバイスとして期待されている。しかし、熱酸化SiC-MOS界面には残留炭素等に起因する電気的欠陥が高密度に存在し、チャネル移動度の劣化が著しい。また実用化に向けてゲート絶縁膜の信頼性向上が必須であるが、絶縁劣化機構の詳細な理解には至っていない。われわれはSiC-MOSデバイスの高機能化を目的として、プラズマ窒化技術を応用したMOS界面の高品質化、及び窒化アルミナ(AlON)高誘電率絶縁膜と薄いSiO下地層との積層構造による絶縁特性と信頼性向上技術を研究している。本講演では、これらの技術について最近の研究成果を報告する。