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Eichler, R.*; 浅井 雅人; Brand, H.*; Chiera, N. M.*; Di Nitto, A.*; Dressler, R.*; Dllmann, Ch. E.*; Even, J.*; Fangli, F.*; Goetz, M.*; et al.
EPJ Web of Conferences, 131, p.07005_1 - 07005_7, 2016/12
被引用回数:3 パーセンタイル:72.25(Chemistry, Inorganic & Nuclear)近年、物理的な前段分離装置を活用することにより、超重元素の比較的不安定な単一分子の合成と研究が気相化学研究によって可能になった。非常に揮発性の高い106番元素のヘキサカルボニル錯体Sg(CO)の合成は最近の大きな成果である。この成功を受けて、中心金属原子と周囲の配位子間の第一乖離エネルギーの測定を第2世代の実験として実施した。管状の分解反応装置を用いた手法を開発し、短寿命のMo(CO), W(CO), Sg(CO)錯体に適用することに成功した。
Kraus, H.; Simin, D.*; Fuchs, F.*; 小野田 忍; 牧野 高紘; Dyakonov, V.*; 大島 武
Proceedings of 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-11) (Internet), p.176 - 179, 2015/11
Quantum centers in silicon carbide (SiC) have already transcended their former reputation as mere performance-hampering defects. Especially the silicon vacancies, but also other point defects offer a variety of quantum applications, completing and complementing the successful NV centers in diamond. We aim to provide an overview over the research activities on quantum centers in silicon carbide, from fundamental knowledge on the 3/2 spin multiplicity, over microwave emission and single photon sources, to axis-aware magnetic field sensing and temperature sensing. Finally, we discussed creating tailored defects in SiC using different radiation parameters.
岸本 牧; 片桐 政樹; 中村 龍也; 大久保 雅隆*; 浮辺 雅宏*; 倉門 雅彦*; 神野 郁夫*; 福田 大治*; 高橋 浩之*; Kraus, H.*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 444(1-2), p.124 - 128, 2000/04
被引用回数:4 パーセンタイル:36.62(Instruments & Instrumentation)超伝導トンネル接合X線検出器のトンネル接合部における準粒子の流れを正確に調べるためには、直接接合部を流れる電流を測定する必要がある。そこでわれわれは110MHzという非常に広い周波数帯域を持つ超高速電流アンプを開発し、TuSTJとNbSTJを用いたX線検出実験に用いた。その結果、従来の電荷増幅型アンプではわからなかった、トンネル接合部での準粒子の流れを直接観測することができるようになった。