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口頭

大気圧非平衡窒素プラズマ及びRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si表面における結合状態の比較

早川竜馬*; 中永麻里*; 吉田真司*; 田川雅人*; 寺岡有殿; 吉村武*; 芦田淳*; 功刀俊介*; 上原剛*; 藤村紀文*

no journal, ,

大気圧プラズマとRFプラズマを用いて室温で作製したシリコン窒化膜の化学結合状態を放射光光電子分光で分析して比較した。その結果RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は5成分から成り立ち、大気圧プラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は4成分から成り立つこと,RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面にのみSi $_{3}$ N成分が存在することがわかった。