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佐藤 真一郎; 目黒 智巳*; 末崎 恭*; 山本 憲治*; 大島 武
Proceedings of 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-40) (CD-ROM), p.1825 - 1829, 2014/06
アモルファスシリコン系太陽電池は薄膜軽量かつ安価に大量生産が可能であることから、宇宙用への応用も期待されているが、バンドギャップ制御のために用いられるゲルマニウム添加が耐放射線性に及ぼす影響は明らかになっていない。今回、スーパーストレート型アモルファスシリコンゲルマニウム太陽電池の陽子線照射を行い、ゲルマニウム濃度の違いによる耐放射線性の違いや、照射後の室温での回復効果を調べた。その結果、ゲルマニウムが添加されると耐放射線性が低下することが明らかになとなった。一方、照射後の回復効果については顕著な差は見られなかった。