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田川 雅人*; 横田 久美子*; 西崎 徳晃*; 宮階 優*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
並進運動エネルギーが2keVの高速窒素分子ビームを酸化したSi(001)表面に照射した場合には、シリコン結晶の光電子ピークが不明瞭になることから酸化膜を透過した窒素分子がシリコン結晶と反応することがわかっている。1.6eVから6.9eVの窒素分子ビームを酸化シリコン表面に照射して光電子分光観察した。窒素分子の並進運動エネルギーが大きくなるにつれてSi-Nに由来するSi2p光電子強度はバルク敏感測定の方が表面敏感測定よりも強くなった。この結果は窒素分子が低運動エネルギーでも酸化膜中に進入して、運動エネルギーが大きいほど界面近くでシリコンとの化学結合をつくることを示している。