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論文

Electrical properties and energy band alignment of SiO$$_{2}$$/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN(000$$bar{1}$$) substrates

溝端 秀聡*; 冨ヶ原 一樹*; 野崎 幹人*; 小林 拓真*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

Applied Physics Letters, 121(6), p.062104_1 - 062104_6, 2022/08

https://doi.org/10.1063/5.0095468
 被引用回数：1 パーセンタイル：17.38(Physics, Applied)

N極性GaN(000$$bar{1}$$)基板上に作製したSiO$$_{2}$$/GaN MOS構造の界面特性とエネルギーバンドアライメントを、電気測定と放射光X線光電子分光法を用いて調べた。さらに、得られた結果をGa極性GaN(0001)上のSiO$$_{2}$$/GaN MOS構造の特性と比較した。SiO$$_{2}$$/GaN(000$$bar{1}$$)構造はGaN(0001)基板上に作製した構造よりも熱的に不安定であることがわかった。しかし、絶縁膜堆積後アニールの条件を最適化することにより、SiO$$_{2}$$/GaN(000$$bar{1}$$)構造でも優れた電気特性が得られた。一方で、SiO$$_{2}$$/GaN(000$$bar{1}$$)構造の伝導帯オフセットがSiO$$_{2}$$/GaN(0001)構造よりも小さく、これによるゲートリーク電流の増大が見られた。以上のことから、MOSデバイスの作製においてN極性GaN(000$$bar{1}$$)基板の利用には注意を要することを明らかにした。

論文

JT-60データ処理設備におけるCAMAC制御及びデータ収集の改良

佐藤 稔; 清野 公広; 大島 貴幸; 坂田 信也; 小関 隆久; 松田 俊明; 長坂 康史*; 小畑 敬義*

平成16年度大阪大学総合技術研究会報告集(CD-ROM), 3 Pages, 2005/03

JT-60データ処理設備では、老朽化したCAMACシステムをいかに効率よく温存し、従来と変わらないCAMAC制御及びデータ収集を行うために、上位計算機システムの改良を進めている。従来のVMEシステムからPCIシステムに移行するため、CAMACを制御するモジュールのデバイスドライバの開発、またデバイスドライバを利用したアプリケーションの開発を行った。

口頭

酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜SiO$$_{2}$$/GaN MOS構造の界面特性及び絶縁性向上

大西 健太郎*; 小林 拓真*; 溝端 秀聡*; 野崎 幹人*; 吉越 章隆; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

SiO$$_{2}$$/GaN界面に存在するGaO$$_{x}$$層は、熱処理の過程で容易に還元され、MOSデバイスの閾値電圧変動を招く。本研究では、スパッタSiO$$_{2}$$成膜に立脚し、不安定な界面GaO$$_{x}$$層を最小化した。さらに、GaO$$_{x}$$層が成長しない低温条件下での酸素熱処理および水素熱処理を施すことにより、界面特性および絶縁性に優れた安定なGaN MOS構造の実現に成功した。

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