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論文

J-PARC用324MHzクライストロンの特性評価

不破 康裕; 篠崎 信一; 千代 悦司; 平根 達也; Fang, Z.*; 福井 佑治*; 二ツ川 健太*; 溝端 仁志*; 岩間 悠平*; 佐藤 福克*; et al.

Proceedings of 16th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.611 - 613, 2019/10

J-PARCリニアックでは、324MHzと972MHzのクライストロン計45台を用いて加速器の運転が行われている。J-PARCの今後の安定化及び高度化に際しては、最大出力付近でのクライストロン出力特性の正確な把握が重要となる。この特性の把握には使用前のクライストロンはもちろんのこと、放電など何らかの理由で交換されたクライストロンの特性測定が不可欠である。しかしながら、放電による周辺機器を含めた損傷などのリスクや加速器の運転との時間的な干渉が理由で、このような測定はこれまで実施されてこなかった。そこで、リニアック棟内にクライストロンテストスタンドを設置し、様々な運転パラメータにおけるクライストロンの高圧特性や入出力特性を測定した。この測定結果を用いることでインストール前にクライストロンの特性が把握でき、最適な運転パラメータの決定や効果的なクライストロン交換の計画が可能となった。また、使用前と使用済みのクライストロンの特性を比較することでクライストロンの劣化傾向を定量的に把握するための基礎データを取得した。

論文

Manifestation of electron correlation effect in 5$$f$$ states of uranium compounds revealed by 4$$d$$-5$$f$$ resonant photoelectron spectroscopy

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

Physical Review B, 99(3), p.035109_1 - 035109_5, 2019/01

 被引用回数:9 パーセンタイル:53.77(Materials Science, Multidisciplinary)

In the present study, we have elucidated the nature of the electron correlation effect in uranium compounds by imaging the partial $$mathrm{U}~5f$$ density of states (pDOS) of typical itinerant, localized, and heavy fermion uranium compounds by using the $$mathrm{U}$$ 4$$d$$-5$$f$$ resonant photoemission spectroscopy. Obtained $$mathrm{U}~5$$ pDOS exhibit a systematic trend depending on the physical properties of compounds: Although the coherent peak at the Fermi level can be explained by the band-structure calculation, an incoherent peak emerges on the higher binding energy side ($$lesssim 1~mathrm{eV}$$) in the cases of localized and heavy fermion compounds. The intensity and energy position of the incoherent peak is increased and shifted to a higher binding energy as the localization of the $$mathrm{U}~5$$ state increases. These behaviors are consistent with the prediction of the Mott metal-insulator transition, suggesting that the Hubbard-$$U$$ type mechanism takes an essential role in the $$5f$$ electronic structure of actinide materials.

論文

J-PARCリニアックLLRFシステムの現状

二ツ川 健太*; Fang, Z.*; 福井 佑治*; 篠崎 信一; 溝端 仁志; 佐藤 福克*

Proceedings of 14th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.486 - 489, 2017/12

J-PARCリニアックのLLRFは、周波数324MHzのシステムと972MHzのシステムに大別される。周波数324MHzのシステムは、J-PARCリニアックの建設当初から使用されており、その開発から10年以上が経過している。そのため、経年劣化での故障頻度が増加してくることが予想され、実際に予備交換などの対策を検討し始めている。また、フィードバック(FB)やフィードフォワード(FF)を担っているcPCIのボードの一部が製造中止になり、更に開発環境をインストールできるOSを維持することが厳しくなってきている。そこで、次世代のFB&FFシステムへの移行の検討している。現在のシステムは50式近くあり全式を一遍に交換することは厳しいため、新システムと現在のシステムとの両立できる必要がある。開発のための制約が厳しい中でも、現在のシステムの改善点を洗い出して検討を進めている。本件では、現在検討を進めているシステムと現状のシステムを比較するかたちで紹介する予定である。

論文

Electronic structure of ThRu$$_2$$Si$$_2$$ studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy; Elucidating the contribution of U 5$$f$$ states in URu$$_{2}$$Si$$_{2}$$

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 松本 裕司*; 山本 悦嗣; 立岩 尚之; et al.

Physical Review B, 96(12), p.125117_1 - 125117_9, 2017/09

 被引用回数:8 パーセンタイル:43.06(Materials Science, Multidisciplinary)

The Fermi surface and band structure of $$mathrm{ThRu}_2mathrm{Si}_2$$ have been studied by angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) with the incident photon energies of $$hnu$$ = 665-735 eV. Detailed band structure and the three-dimensional shape of the Fermi surface were derived experimentally, and they are quantitatively explained by the band-structure calculation based on the density functional approximation. Comparison of the experimental ARPES spectra of $$mathrm{ThRu}_2mathrm{Si}_2$$ with those of $$mathrm{URu}_2mathrm{Si}_2$$ shows that they have considerably different spectral profiles particularly in the energy range of $$E_mathrm{B} = E_mathrm{F}$$ - 1 eV. Some energy bands with their energy dispersions of about 1 eV observed in $$mathrm{URu}_2mathrm{Si}_2$$ are missing in the ARPES spectra of $$mathrm{ThRu}_2mathrm{Si}_2$$ measured along the same high symmetry line of Brillouin zone, suggesting that U 5$$f$$ states form these bands in $$mathrm{URu}_2mathrm{Si}_2$$. The relationship between the ARPES spectra of $$mathrm{URu}_2mathrm{Si}_2$$ and $$mathrm{ThRu}_2mathrm{Si}_2$$ is very different from the case between $$mathrm{CeRu}_2mathrm{Si}_2$$ and $$mathrm{LaRu}_2mathrm{Si}_2$$ where their intrinsic difference is limited only in the very vicinity of the Fermi energy. The present result argues that the U 5$$f$$ electrons in $$mathrm{URu}_2mathrm{Si}_2$$ have strong hybridization with ligand states, and essentially have an itinerant character.

論文

Electronic structures of U$$X_3$$ ($$X$$=Al, Ga, and In) studied by photoelectron spectroscopy

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

Physical Review B, 96(11), p.115126_1 - 115126_10, 2017/09

 被引用回数:7 パーセンタイル:35.8(Materials Science, Multidisciplinary)

The electronic structures of U$$X_3$$ ($$X$$=Al, Ga, and In) were studied by photoelectron spectroscopy to understand the relationship between their electronic structure and magnetic properties. The band structures and Fermi surfaces of UAl$$_3$$ and UGa$$_3$$ were revealed experimentally by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES), and they were compared with the result of band structure calculations. The topologies of the Fermi surfaces and the band structures of UAl$$_3$$ and UGa$$_3$$ were explained reasonably well by the calculation, although bands near the Fermi level ($$E_mathrm{F}$$) were renormalized owing to the finite electron correlation effect. The topologies of the Fermi surfaces of UAl$$_3$$ and UGa$$_3$$ are very similar to each other, except for some minor differences. Such minor differences in their Fermi surface or electron correlation effect might take an essential role in their magnetism.

論文

A 3 MeV linac for development of accelerator components at J-PARC

近藤 恭弘; 浅野 博之*; 千代 悦司; 平野 耕一郎; 石山 達也; 伊藤 崇; 川根 祐輔; 菊澤 信宏; 明午 伸一郎; 三浦 昭彦; et al.

Proceedings of 28th International Linear Accelerator Conference (LINAC 2016) (Internet), p.298 - 300, 2017/05

J-PARC加速器の要素技術開発に必要な3MeV H$$^{-}$$リニアックを構築した。イオン源にはJ-PARCリニアックと同じものを用い、RFQは、J-PARCリニアックで2014年まで使用したものを再利用している。設置作業の後、2016年6月からRFQのコンディショニングを開始した。このRFQは様々な問題を克服し、なんとか安定運転に達していたが、2年間運転できなかったので再度コンディショニングが必要であった。現状定格のデューティーファクタでは運転できてはいないが、短パルスならばビーム運転可能となっている。この論文では、この3MeV加速器のコミッショニングと最初の応用例であるレーザー荷電変換試験の現状について述べる。

論文

J-PARCリニアックにおける中間パルス形状に対応したビーム負荷補償試験

二ツ川 健太*; 小林 鉄也*; 佐藤 福克; 篠崎 信一; Fang, Z.*; 福井 佑治*; 溝端 仁志; 道園 真一郎*

Proceedings of 13th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.327 - 331, 2016/11

J-PARCリニアックは、RFQ下流のビーム輸送路(MEBT1)に設置されているRFチョッパ空洞で不必要なビームを蹴ることにより、中間パルスと呼ばれる櫛形構造のビームを生成している。RFQ下流の空洞では中間パルス形状を持つビームが通過すると、必然的にこのビーム形状の負荷がある。現在までは、ビーム電流を設計値で運転していないこともあり、中間パルス形状に対応した負荷補償ではなく、平均的なビーム電流を仮定した矩形の負荷補償を行ってきた。しかし、ビーム電流の増加でビーム負荷が大きくなるに伴い、RFの要求精度を満たすことが難しくなってきた。そこで、中間パルス形状に対応したビーム負荷補償の試験を実施した。Q値が高いSDTL及びDTLに対する中間パルス形状に対応したビーム負荷補償システムは、良好な結果を得られた。一方で、972MHzのACSに対するビーム負荷補償システムは隣接するモードを励振してしまうということが明らかになり、システムの改良が求められる。

論文

J-PARCリニアッククライストロンパービアンス&ゲインモニタの開発状況

堀 利彦*; 篠崎 信一; 佐藤 福克; 溝端 仁志; 福井 佑治*; 二ツ川 健太*

Proceedings of 13th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.429 - 432, 2016/11

本研究会において、324MHzクライストロン電子銃部の変調アノード電位の放電に起因する高圧電源停止頻度を改善した報告を過去3年間行った。放電は25Hz、0.7ms変調パルス以外の充電時間帯に生じており、変調アノードの耐圧劣化が主原因のクライストロン交換数は4本となった。2015年11月以降は、クライストロン印加電圧を従来の2$$sim$$3kV低い値での運転を始め、放電回数の増減を継続して調査している。印加電圧を下がったデメリットとして、利用運転時におけるクライストロンパワーのマージンの低下並びに高電流ビーム加速(~50mA)時には印加電圧を再設定し直すことなどが考えられ、各クライストロンの現在の動作点(入出力曲線の肩特性に対するマージンなど)を正確に把握する必要があった。そこで2016年より、クライストロンのカソード電圧、電流から算出されるパービアンス値並びに3種類の加速ビーム幅、ビームローディングの有無に対応したクライストロンゲイン値を測定するためのクライストロン特性用モニタを開発中である。本発表では、パービアンス&ゲインモニタの概要、初号機の試験結果など詳細を報告する。

論文

J-PARC3MeVリニアックを用いたビームスクレーパの開発

平野 耕一郎; 浅野 博之; 石山 達也; 伊藤 崇; 大越 清紀; 小栗 英知; 近藤 恭弘; 川根 祐輔; 菊澤 信宏; 佐藤 福克; et al.

Proceedings of 13th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (インターネット), p.310 - 313, 2016/11

単位面積当たりの熱負荷を減らすため、67$$^{circ}$$のビーム入射角を有するビームスクレーパをJ-PARCリニアックのRFQとDTLの間のMEBTで使用している。67$$^{circ}$$ビームスクレーパは粒子数1.47E22個のH$$^{-}$$ビームによって照射された。レーザ顕微鏡を用いてスクレーパのビーム照射による損傷部を観察すると、高さ数百$$mu$$mの突起物が無数にあった。ビームスクレーパの耐電力を調べるため、3MeVリニアックを新たに構築した。2016年末にスクレーパ照射試験を実施する予定である。今回は、J-PARCリニアックのビームスクレーパの現状、及び、ビームスクレーパの照射試験に用いる3MeVリニアックについて報告する。

論文

Electronic structure of EuAl$$_4$$ studied by photoelectron spectroscopy

小畠 雅明; 藤森 伸一; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 小林 啓介*; 山上 浩志; 仲村 愛*; 辺土 正人*; 仲間 隆男*; et al.

Journal of the Physical Society of Japan, 85(9), p.094703_1 - 094703_6, 2016/09

 被引用回数:11 パーセンタイル:62.77(Physics, Multidisciplinary)

The electronic structure of a divalent $$mathrm{Eu}$$ compound EuAl$$_4$$, which shows the charge density wave transition at $$T_{mathrm{CDW}} = 140~mathrm{K}$$, was studied by the hard X-ray angle-integrated photoelectron spectroscopy (HAXPES) and the soft X-ray angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES). The valence band and core-level spectra obtained by the HAXPES are consistent with the divalent nature of Eu atoms in EuAl$$_4$$. Furthermore, the Fermi surface as well as the band structure in the vicinity of the Fermi Energy ($$E_{rm F}$$) of EuAl$$_4$$ are very similar to those of its isostructural divalent $$mathrm{Sr}$$ compound SrAl$$_4$$, which does not have $$4f$$ electrons. These suggest that Eu atoms are divalent in EuAl$$_4$$, and $$4f$$ electrons are completely localized with $$mathrm{Eu}~4f^7$$ electronic configuration in the ground state. The ARPES spectra measured along the $$Gamma$$-$$(Sigma)$$-Z high-symmetry line did not show significant temperature dependences above and below $$T_{mathrm{CDW}}$$ within the energy resolution of $$80-90~mathrm{meV}$$. Moreover, the Fermi surface mapping along the $$k_z$$ direction showed that both of EuAl$$_4$$ and SrAl$$_4$$ have highly three-dimensional electronic structures, suggesting that the nesting of Fermi surface is not straightforward. The Fermi surface and band structure of SrAl$$_4$$ were well explained by the band-structure calculation based on the local density approximation.

報告書

アスファルト固化処理施設の火災・爆発事故に係る解析・評価成果報告書

黒田 能克*; 仲嶋 淳*; 緒方 潤司*; 中村 純一*; 浅田 和雄*; 林 哲也*; 小幡 祐司*

PNC TJ8216 98-006, 499 Pages, 1998/03

PNC-TJ8216-98-006.pdf:21.19MB

アスファルト固化処理施設事故における火災・爆発の現象解析及び放射性物質放出量評価を行うことにより、事故の原因究明、推移の把握及び今後の安全対策の検討に資する。アスファルト固化処理施設内の現場調査結果等(構築物、建屋の破損情況、部屋の散乱情況、すすの付着情況、残留物の性状等)と事故の原因、推移を定量的に結び付けていくために、火災・爆発の現象解析を実施した。また、事故の推移の集約として、火災・爆発の現象解析を踏まえた放射性物質の環境への放出量の検討を行った。

口頭

軟X線角度分解光電子分光によるEuAl$$_4$$の電子状態

小畠 雅明; 藤森 伸一; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 小林 啓介*; 山上 浩志; 仲村 愛*; 辺土 正人*; 仲間 隆男*; et al.

no journal, , 

体心正方晶(BaAl$$_4$$型)を持つEuAl$$_4$$は、T=15K付近で反強磁性体で、T=140Kでフェルミ面のネスティング効果による電荷密度波(CDW)を示唆する肩構造が電気抵抗に現れる興味深い物性をもつ物質である。この物性を理解するためにEuAl$$_4$$のバンド構造とフェルミ面に関する情報を得ることは物理的に重要である。そこで、本研究では、EuAl$$_4$$のバンド構造とフェルミ面の形状を実験的に決めることを目的とし、原子力機構専用ビームラインBL23SU(SPring-8)で軟X線角度分解光電子分光(SX-ARPES)実験を行った。その結果から、EuAl$$_4$$のEuは、2価であることが分かった。また、この物質の4${it f}$バンドはフェルミ準位以下の約1eVの所に存在した。そのため、フェルミ面は4${it f}$バンド以外の価電子からできていると考えられる。そこで、4${it f}$電子の価電子帯への寄与をより明確にするために、同じ結晶構造で${it f}$電子をもたないSrAl$$_4$$の電子状態と比較することが有効と考え、両者の電子構造について比較を行った。両者のフェルミ付近のバンド構造やフェルミ面の形状は、類似することが分かった。講演では、バンド計算と比較して、この化合物の電子状態について報告する。

口頭

角度分解光電子分光によるUGa$$_3$$の電子状態

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦

no journal, , 

反強磁性体UGa$$_3$$に対して角度分解光電子分光を行い、バンド構造とフェルミ面の導出を行った。実験の結果、5f電子の寄与の強いバンドが分散を持ってフェルミ面を形成していることが明らかとなった。また、Neel温度Tc=67Kの上下での測定を行い、反強磁性転移に伴う電子構造の変化の観測も行った。バンド計算との比較を踏まえ、この化合物の電子状態について議論する。

口頭

Electronic structure of UGa$$_3$$ studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

no journal, , 

遍歴反強磁性体であるUGa$$_3$$に対して角度分解光電子分光を行ってその電子状態を調べた。UGa$$_3$$$$T_{rm N}=$$67Kの反強磁性体であり、典型的なウラン化合物金属である。その電子状態に対して多くの研究があるにもかかわらず、その詳細な電子状態は明らかとなっていない。UGa$$_3$$のバンド構造とフェルミ面を実験的に明らかにし、フェルミ準位付近に5f電子に起因する準粒子バンドが存在することが明らかとなった。さらに測定温度を変化させることにより、反強磁性転移に伴う電子状態の変化を研究した。

口頭

軟X線ARPESによるUGa$$_{3}$$の電子状態

小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦; 藤森 伸一

no journal, , 

反強磁性ウラン化合物UGa$$_{3}$$に対して軟X線ARPES (SX-ARPES)を行って、バンド構造とフェルミ面の導出を行った結果について報告する。UGa$$_{3}$$はTN=67Kの反強磁性体であるが、電子状態については研究例が少ないためほとんど明らかになっていない状況にある。実験の結果、フェルミ準位近傍にはU 5f電子に起因した狭いバンドが観測され、さらにR点周りに大きなホールフェルミ面を形成していることが明らかとなった。講演ではバンド計算との比較も示し、この化合物の電子状態について議論する。

口頭

角度分解光電子分光によるThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$の電子状態

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 松本 裕司*; 山本 悦嗣; 立岩 尚之; et al.

no journal, , 

角度分解光電子分光によりThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$のバンド構造およびフェルミ面の導出を行った結果について報告する。バンド計算の結果との比較を行い、その電子状態について議論する。さらにURu$$_{2}$$Si$$_{2}$$に対する実験結果との比較を行って、URu$$_{2}$$Si$$_{2}$$のバンド構造とフェルミ面におけるU 5f電子状態の寄与についても議論する。

口頭

Electronic structure of ThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$ studied by ARPES

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 松本 裕司*; 山本 悦嗣; 立岩 尚之; et al.

no journal, , 

ThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$2の電子状態について角度分解光電子分光法を用いて研究を行った。ThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$は隠れた秩序転移を示すURu$$_{2}$$Si$$_{2}$$と同じ結晶構造を持つが、5f電子を持たないことからURu$$_{2}$$Si$$_{2}$$におけるU 5f電子状態を理解するための参照系である。ARPESによる測定の結果、ThRu$$_{2}$$Si$$_{2}$$の電子構造は特にEF付近においてURu$$_{2}$$Si$$_{2}$$と大きく異なっていることが明らかとなった。これは、URu$$_{2}$$Si$$_{2}$$において、5f電子がフェルミ準位に寄与し、遍歴的な性質を持っていることを示している。

口頭

ウラン化合物の4d-5f共鳴光電子分光

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳*; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

no journal, , 

ウラン化合物に対して行ったU 4d-5f共鳴光電子分光実験の結果について報告する。ウラン化合物に対する共鳴光電子分光実験では、U 5d吸収端(hn~108eV)においてU 5f軌道散乱断面積の顕著な共鳴増大効果が報告されているのに対して、U 4d吸収端(hn~736eV)では共鳴増大効果が起こらないことが20年以上前から報告されている。しかし、幾つかのウラン化合物に対して価電子帯スペクトルのU 4d吸収端付近での振る舞いを詳細に調べてみたところ、弱いながらも明らかな共鳴増大効果があることが明らかとなった。本研究では、U 5f遍歴系から局在的、さらには重い電子系に対して共鳴光電子分光実験を行って、U 5f電子状態と共鳴増大効果の関係について議論する。

口頭

ARPESによる5f電子状態の圧力効果

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳*; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

no journal, , 

f電子系化合物では圧力をパラメータとしてその物性を制御できることが知られているが、圧力によって電子状態がどのように変化しているかについては明らかとなっていない。そこで今回、化学圧力による電子状態の変化を調べるためにAuCu$$_{3}$$型結晶構造を持ち、格子定数が異なるUX$$_{3}$$ (X=Al, Ga, and In)化合物に対して角度分解光電子分光実験を行った。実験の結果、格子定数によって電子構造が変化する過程が明らかとなった。その詳細について議論をする。

口頭

3次元ARPESによるURu$$_2$$Si$$_2$$の電子状態

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 山本 悦嗣; 芳賀 芳範; 大貫 惇睦*

no journal, , 

角度分解光電子分光(ARPES)によって、URu$$_{2}$$Si$$_{2}$$の常磁性状態における3次元電子状態を測定した結果について報告する。従来運動量空間の特定の2次元面だけに留まっていたARPES測定を、3次元の立体に拡張した測定をURu$$_{2}$$Si$$_{2}$$に対して行った。詳細な電子状態について、バンド計算の結果と比較しながら議論する。

口頭

3次元ARPESによるUPd$$_2$$Al$$_3$$の電子状態

藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦*

no journal, , 

角度分解光電子分光(ARPES)は物質のバンド構造やフェルミ面を実験的に導出できる実験手法であるが、我々は、二つの光電子放出角度と入射光エネルギーの3つのパラメータをすべて掃引することによって、完全に3次元的な電子状態を測定する3D-ARPES法を開発した。今回、この実験手法を常磁性状態の重い電子系超伝導体UPd$$_2$$Al$$_3$$に対して適用を行って、その完全な3次元電子構造を明らかにすることを試みた。UPd$$_2$$Al$$_3$$は重い電子系超伝導体であり、比較的大きな磁気モーメントを持つ反強磁性相と超伝導相が共存することから、磁性と超伝導の関係を理解する上で興味深い物質系である。今回、$$hnu$$=580-685eVの入射光を用いた3D-ARPESの実験を行った結果、U $$5f$$状態に起因した明瞭なバンド分散が観測された。バンド計算との比較も示しながら、UPd$$_2$$Al$$_3$$の常磁性電子状態について詳細に議論する。

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