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大開 美子*; 中島 弘*; Galatanu, A.*; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 竹内 徹也*; 杉山 清寛*; 金道 浩一*; 萩原 政幸*; 摂待 力生*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 75(6), p.064702_1 - 064702_8, 2006/06
被引用回数:4 パーセンタイル:32.36(Physics, Multidisciplinary)六方晶,強磁性体NdRhB及びGdRhBの単結晶育成に成功し、電気抵抗率,比熱,磁化率,磁化測定を行った。それぞれの強磁性転移温度及び磁気モーメントの大きさを明らかにした。NdRhBについては、結晶場レベルスキームのモデルを実験結果から提唱し、さらドハース・ファンアルフェン効果測定からフェルミ面を明らかにし、LaRhBに似た、準1次元的な電子状態であることを明らかにした。
Thamizhavel, A.*; 杉谷 一朗*; 大開 美子*; 中島 美帆*; 奥田 悠介*; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 竹内 徹也*; 杉山 清寛*; 摂待 力生*; et al.
Physica B; Condensed Matter, 378-380, p.841 - 842, 2006/05
被引用回数:0 パーセンタイル:0(Physics, Condensed Matter)斜方晶CeNiGe単結晶育成をフラックス法により成功した。電気抵抗率,磁化率,比熱により、CeNiGe異方的な磁性を調べ、2つの相転移点があることを明らかにした。さらに、電気抵抗率及び帯磁率は強い異方性を示すことがわかった。電子比熱係数は、90mJ/Kmolであることを明らかにした。
Thamizhavel, A.*; 中島 弘*; 大開 美子*; 中島 美帆*; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 杉山 清寛*; 竹内 徹也*; 摂待 力生*; 萩原 政幸*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 74(10), p.2843 - 2848, 2005/10
被引用回数:13 パーセンタイル:59.36(Physics, Multidisciplinary)フラックス法により、CeNiGeの単結晶育成に成功した。この物質は、圧力によって超伝導状態が誘起される。斜方晶の結晶構造を反映する磁気異方性を持つが、得られた単結晶を用いて、抵抗,比熱,高磁場磁化測定によって詳細な異方性を調べた。二つの反強磁性転移温度を持つことを明らかにし、電子比熱係数も明らかにした。これらの実験をもとに、結晶場のレベルスキームを決めた。