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論文

Analysis of failure caused by cosmic rays in high-voltage high-power semiconductor devices, 2

松田 秀雄*; 大村 一郎*; 崎山 陽子*; 浦野 聡*; 家坂 進*; 大橋 弘通*; 平尾 敏雄; 阿部 浩之; 伊藤 久義; 森 英喜; et al.

JAERI-Review 2002-035, TIARA Annual Report 2001, p.11 - 13, 2002/11

高電圧電力半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムを解明し、高性能化及び高信頼性化のための素子設計に資することを目的に、各種素子の実使用電圧での破壊確率をプロトン照射を行って評価した。電圧印加中の試験素子にプロトンを照射することにより、素子が突然絶縁破壊し、実環境での宇宙線による破壊と極似な現象を確認することができた。さらに、破壊確率が照射エネルギーに依存しており、電界増加に対する破壊確率上昇の傾きは、自然界宇宙線での破壊確率や中性子による破壊確率と同傾向であった。これより、プロトン照射により自然界宇宙線による破壊を模擬できたと考えられる。さらに、重イオン照射で取得した破壊箇所の特異性と発生電荷量のデータから破壊メカニズムを議論する。

口頭

超深地層研究所計画;再冠水試験に係わる調査研究; 研究坑道の冠水に伴う地下水の水圧変化

毛屋 博道; 高安 健太郎; 小橋 昭夫; 尾上 博則; 竹内 竜史

no journal, , 

瑞浪超深地層研究所では、大規模地下施設の建設・操業により乱された岩盤中の地質環境の回復能力の例示と地質環境の回復に係る観測・評価技術の開発を目的として、深度500mの坑道の一部を閉鎖し、地下水で満たす再冠水試験を実施している。本報告は、再冠水試験時における水圧観測結果をまとめたものである。

口頭

超深地層研究所計画,再冠水試験に係る調査研究; 一部排水・減圧試験に伴う水理学的調査・解析

尾崎 裕介; 小橋 昭夫; 毛屋 博道; 尾上 博則; 竹内 竜史

no journal, , 

瑞浪超深地層研究所では、大規模地下施設の建設・操業により乱された岩盤中の地質環境の回復能力の例示と関連する技術の開発を目的として、深度500mの坑道の一部を地下水で満たす再冠水試験を実施している。平成29年には、坑道の閉鎖状態を保ったまま冠水坑道内の地下水を一部排水し冠水坑道内および周辺岩盤の水圧を減圧する、一部排水・減圧試験を3度実施している。本発表では、一部排水・減圧試験で確認された減圧および水圧回復過程の水圧挙動の再現性に関する報告およびそれらデータを用いて実施した水理構造モデルの推定結果に関して報告する。

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