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論文

Unusual electronic state of the low-carrier system CeSb under high pressure studied by simultaneous measurement of electrical resistivity and lattice parameter

Hannan, A.*; 岡山 泰*; 長壁 豊隆; 桑原 慶太郎*; 神木 正史*

Journal of the Physical Society of Japan, 76(5), p.054706_1 - 054706_6, 2007/05

https://doi.org/10.1143/JPSJ.76.054706
 被引用回数：1 パーセンタイル：10.86(Physics, Multidisciplinary)

少数キャリアー物質CeSbの2GPa以上の圧力下での電気抵抗に見られる異常の起原を明らかにするため、高圧下でX線回折と電気抵抗の同時測定を行った。また、高圧力下の中性子回折を行い、磁気構造、及び磁気転移温度の圧力依存性を調べた。その結果、反強磁性転移温度直下で、電気抵抗の異常な増大と格子収縮が同時に生じることが明らかになった。このことから、圧力下で、イオン半径の小さい$$Gamma$$$$_{8}$$状態の反強磁性秩序が、$$Gamma$$$$_{7}$$常磁性状態の中に部分的に出現すると考えると、電気抵抗異常の起原が理解できる。

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