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三浦 邦明*; 柴田 裕司; 鬼澤 達也*; 中野 寛子; 武野 尚文*; 武内 伴照; 土谷 邦彦
日本保全学会第13回学術講演会要旨集, p.387 - 390, 2016/07
過酷事故時においても原子炉の状態を監視するための軽水炉安全対策高度化の一環として、高い耐熱性と耐放射線性を有する高温型MIケーブルの開発を行っている。このMIケーブルの開発に際しては、金属シース材としてSUS316及びNCF600、絶縁材には高純度のAl
O
及びMgOを選定し、K型熱電対型及び電流-電圧線型MIケーブルを開発した。開発した高温型MIケーブルに対し、金属シース材について、過酷事故時を想定した環境における酸化特性や被毒性を調べ耐久性を評価した。また、高温加熱試験を行い、その電気的特性(絶縁特性、導通特性など)を評価した。これらの結果、過酷環境においても使用可能なMIケーブルの見通しを得た。
今泉 友見; 宮内 優; 伊藤 正泰; 綿引 俊介; 永田 寛; 花川 裕規; 那珂 通裕; 川又 一夫; 山浦 高幸; 井手 広史; et al.
JAEA-Technology 2011-031, 123 Pages, 2012/01
JAEA-Technology-2011-031.pdf:16.08MB
世界の試験研究炉は、老朽化に伴う廃炉により減少しているが、その一方でアジア諸国においては、原子力発電の導入計画が相次いでいる。このようなアジア諸国では、原子力発電所を建設した後の運転管理ができる技術者の育成が課題となっていると同時に、自国における原子力技術を高めるため、軽水炉の長期化対策,科学技術の向上,産業利用及び原子力人材育成のための試験研究炉の必要性が高まっている。このような背景から、照射試験炉センターにおいては、今後、発電用原子炉を導入する国に向け、各種照射利用や教育訓練に用いる試験研究炉の基本概念検討を開始した。設計活動を通じた本検討は、照射試験炉センターにおける試験研究炉の設計に必要な計算コードなどの環境の整備及び人材育成に貢献するとともに、本概念検討に共同研究として参加する原子力関連会社の試験研究炉にかかわる技術力の維持,向上にも貢献することが期待される。本報告は、平成22年度に設置された「照射試験炉センター汎用小型試験研究炉WG(ワーキンググループ)」と原子力関連会社が行った平成22年7月
平成23年6月までの試験研究炉の概念検討結果について取りまとめたものである。
菊地 賢司; 手塚 正雄*; 斎藤 滋; 鬼澤 達也*; 阿部 勇治*; 三浦 邦明*
no journal, ,
鉛ビスマス中の酸素濃度を測定する固体電解質酸素計を開発した。従来センサーとの違いは、酸化鉄を参照極としたこと、カセット型で配管の一部として取り付け可能な構造としたこと、測定温度を400
C以下としたことである。原子力機構の鉛ビスマス腐食ループJLBL-1に設置し、高純度アルゴンガスをカバーガスとして、約8000時間の出力試験を行った。その結果、酸素濃度は1E-5から1E-2wppmと評価された。
宇佐美 博士; 河村 弘; 大岡 誠; 三浦 邦明*; 鬼澤 達也*
no journal, ,
原子力機構福島研究基盤創生センターでは、東京電力福島第一原子力発電所(以下、1Fと称す)の廃止措置に向けた技術開発として「臨界監視センサー」の開発を進めている。本センサーは、1F廃炉を進めていく上で危惧される燃料デブリ取出し・処理過程におけるデブリの再臨界をいち早く検知し、臨界管理を行うための有力なセンサーとして期待されており、本研究開発によって得られる成果は、1Fの廃止措置に大いに貢献するものと考えられる。この度、臨界監視センサーの性能評価の一環としてセンサーに対し
線照射試験を実施したので、日本原子力学会2016年春の年会において、得られた成果・知見について報告を行う。
線照射環境下における高温型MIケーブルの電気的特性への影響柴田 裕司; 鬼澤 達也*; 武内 伴照; 中野 寛子; 上原 聡明; 武野 尚文*; 三浦 邦明*; 土谷 邦彦
no journal, ,
原子力発電所でシビアアクシデントが発生した際に、事象進展を迅速かつ的確に把握するためには、プラントの状況を確認するための能力の向上が重要である。このため、この監視システム高度化のための基盤技術開発の一環として、過酷事故時でも炉内の計測データを伝送可能な金属被覆無機絶縁ケーブル(MIケーブル)の開発が必要である。本研究は開発した高温型MIケーブル(外径: 
1.6mm、長さ6m)を試作し、線照射環境下におけるMIケーブルの絶縁・導通抵抗等の電気的特性への影響を調べた。その結果、室温で0.31.1kGy/hの線量率で照射した時、300C以下では、絶縁抵抗は未照射時よりも低下したが300C以上では未照射及び照射時の絶縁抵抗はほぼ同じ値であった。以上より絶縁抵抗の低下は温度による影響が支配的であることを明らかにした。