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柴田 優一*; 今泉 充*; 佐藤 真一郎; 大島 武; 大岡 幸代*; 高本 達也*
Proceedings of 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-11) (Internet), p.65 - 68, 2015/11
次期の高効率薄膜宇宙用太陽電池として逆積み格子不整合型(IMM)三接合太陽電池の開発が進められている。最近、IMM三接合太陽電池に関して、放射線により劣化した特性が光照射により回復する現象が見いだされたが、その詳細は明らかになっていない。そこで、1MeV電子線を3
10
e
/cm
照射することで劣化させたIMM三接合太陽電池の光照射回復現象を調べた。その結果、3時間の光照射(AM0、1sun)によって開放電圧が43mV回復することが判明した。また、太陽電池中に残留する欠陥について調べるためにエレクトロルミネセンス測定したところ、InGaP, GaAs, InGaAsの三層のうち、InGaPトップセルのエレクトロルミネセンス強度が光照射後に増加していることがわかった。このことから、光照射による回復は、InGaPトップセル中の欠陥が回復したことに起因することが明らかとなった。
山口 洋司*; 伊地知 亮*; 鈴木 善之*; 大岡 幸代*; 島田 啓二*; 高橋 直*; 鷲尾 英俊*; 中村 一世*; 高本 達也*; 今泉 充*; et al.
Proceedings of 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-42) (CD-ROM), p.2407 - 2411, 2015/06
In order to develop high efficiency space solar cells with flexible and light weight, InGaP/GaAs/Ge Inverted Triple Junction (IMM-3J) solar cells mounted on film type sheet (film type space solar sheet) and glass type sheet (glass type space solar sheets) were fabricated and their reliability was investigated. As a result, no significant change in their characteristics (less than 1 % change) was observed for both types of space solar sheets after reliability tests, such as (1) thermal cycling (-180 to +120 
C, 1000 cycles), (2) humidity and temperature (65 C, humidity 90 %, 720h), (3) high temperature under vacuum condition (160 C, less than 10
Torr, 168h), and (4) high temperature (150 C, 1000 h). Both type space solar sheets also showed high radiation resistance compared to current version of space 3J solar cells. Therefore, we can conclude that the space solar sheets have enough reliability in space environments.
