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論文

Semiconductor-metal phase transition in VO$$_{2}$$ films synthesized on $$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ by oxygen-reactive deposition using a neodymium-doped yttrium aluminium garnet laser

P.Zhu*; 山本 春也; 宮下 敦巳; Wu, Z.*; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Philos. Mag. Lett., 79(8), p.603 - 608, 1999/00

https://doi.org/10.1080/095008399176986
 被引用回数：5 パーセンタイル：45.39(Materials Science, Multidisciplinary)

今までのVO$$_{2}$$薄膜の合成法のうち、レーザー・アブレーション法には、おもにエキシマー・レーザーが用いられてきた。本研究では、可視光(YAG)レーザーを用い、酸素分圧を精密に調整することにより、結晶性及び相転移特性に秀れた薄膜の合成に成功した。X線回折及びイオン散乱実験から、サファイアとの結晶学的整合性に関する一連の結果を証明した。さらに、均質な双晶構造が、再現性の良い相転移特性を示すことにも言及した。

論文

Pulsed laser deposition of ilmenite FeTiO$$_{3}$$ epitaxial thin film onto sapphire substrate

Dai, Z.*; P.Zhu*; 山本 春也; 宮下 敦巳; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Thin Solid Films, 339(1-2), p.114 - 116, 1999/00

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01161-4
 被引用回数：28 パーセンタイル：78.42(Materials Science, Multidisciplinary)

FeTiO$$_{3}$$の光学関連の基礎物性を調べるため、高純度薄膜をYAGレーザーを用いたアブレーション法により育成した。その結果、基板の$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001)と整合したFeTiO$$_{3}$$(0001)が成長することが明らかになった。重要な因子は、基板温度(450$$^{circ}$$C)及びガスふん囲気(Ar+5%O$$_{2}$$,0.01mbar)で正確なコントロールが必要であった。

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