Microstructure evolution of Ge implanted silicon oxide thin films upon annealing treatments

Yu, R. S.*; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 関口 隆史*; Wang, B. Y.*; Qin, X. B.*; Wang, Q. Z.*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 267(18), p.3097 - 3099, 2009/09

https://doi.org/10.1016/j.nimb.2009.06.028

Ge注入シリコン酸化膜の構造進化を、陽電子ビームによる陽電子消滅ドップラー広がり測定及び陽電子消滅寿命測定により調べた。酸化膜の組織変化は、アニール関数ごとに4ステージに分割できた。(I) T 300C; (II) 300C T 500C; (III) 600C T 800C; (IV) T 900C。ステージIと比較して、ステージIIでのSパラメータの増加は、酸化膜中に生成した点欠陥が消失し空隙が合体したものであると思われる。ステージIIIで長い寿命と高いSパラメータが安定しているのは、堅固なフィルム構造であることを示している。900度以上のアニールによりGeの析出による大幅な変化が現れた。陽電子消滅測定はナノ析出物があるシリコン酸化薄膜の微細構造変化を診断できる高感度プローブであることが示された。