Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
岡崎 竜二*; Konczykowski, M.*; Van der Beek, C. J.*; 加藤 智成*; 橋本 顕一郎*; 下澤 雅明*; 宍戸 寛明*; 山下 穣*; 石角 元志; 鬼頭 聖*; et al.
Physica C, 470(Suppl.1), p.S485 - S486, 2010/12
被引用回数:0 パーセンタイル:0(Physics, Applied)鉄系オキシニクタイドPrFeAsO単結晶における と -planesのより下部臨界磁場を報告する。磁束ピン止めによって決定の困難さを回避することで、センサーの位置ごとの局所の磁気誘導を評価できる小型のホールセンサーアレイを使った新方式を開発した。結晶の縁に置かれたホールセンサーは、マイスナーの状態から最初の磁束侵入を明瞭に解明した。 によるの温度依存性は、面内侵入の深さによって計測され、完全ギャップの超伝導状態と一致する。低温でのの異方性は3であると評価され、それはよりさらに小さいものである。これは、マルチバンド超伝導性を意味し、超伝導性のアクティヴバンドはより二次元的である。
Van der Beek, C. J.*; Rizza, G.*; Konczykowski, M.*; Fertey, P.*; Monnet, I.*; 岡崎 竜二*; 加藤 智成*; 橋本 顕一郎*; 下澤 雅明*; 宍戸 寛明*; et al.
Physica C, 470(Suppl.1), p.S385 - S386, 2010/12
被引用回数:1 パーセンタイル:6.48(Physics, Applied)ニクタイド超伝導体PrFeAsO中の結晶の乱れが、磁束の新入の磁気光学可視化,透過型電子顕微鏡,放射光X線回折を用いて調べられた。磁束分布の臨界状態,臨界電流の大きさと温度依存性が、すべての温度で酸素欠陥によるバルクの磁束ピン止めを示す。
岡崎 竜二*; Konczykowski, M.*; Van der Beek, C. J.*; 加藤 智成*; 橋本 顕一郎*; 下澤 元幸*; 宍戸 寛明*; 山下 穣*; 石角 元志; 鬼頭 聖*; et al.
Physical Review B, 79(6), p.064520_1 - 064520_6, 2009/02
被引用回数:60 パーセンタイル:87.75(Materials Science, Multidisciplinary)鉄砒素系超伝導体PrFeAsO超伝導単結晶の下部臨界磁場とその異方性の評価を行った。