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-type Si at room temperature仕幸 英治*; 安藤 和也*; 久保 和樹*; 齊藤 英治; 新庄 輝也*; 白石 誠司*
Physical Review Letters, 110(12), p.127201_1 - 127201_5, 2013/03
被引用回数：153 パーセンタイル：97.35(Physics, Multidisciplinary)室温環境で、純スピン流を-型Si中に流しスピン流源から離れた場所で純スピン流を観測することに成功した。強磁性共鳴と
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相互作用を通じて-型Si/NiFe界面にスピン蓄積を発生させ、このスピン蓄積から生じる純スピン流を-型Si上の離れた箇所に蒸着したPd線中の逆スピンHall効果によって観測した。これにより、室温環境において-型Siで純スピン流輸送が可能であることが示された。
武田 全康; 壬生 攻*; 新庄 輝也*; 遠藤 康夫*; 鈴木 淳市
Physical Review B, 70(10), p.104408_1 - 104408_9, 2004/09
被引用回数：8 パーセンタイル：41.01(Materials Science, Multidisciplinary)中性子回折とメスバウアー分光を使って単原子層の非磁性Snを周期的に挿入したCr(001)/Sn多層膜のCrのスピン密度波(SDW)の構造について詳細に調べた。240nmの厚さのCr薄膜を基本構造として、全体の層厚を240nmに保ったまま、Sn層にはさまれたCr層の厚さを4.0nmから16.0nmになるように試料を作成した。すべての試料で、300KではバルクのCrで見られるSDW構造が観測されずに単純な反強磁性構造(CAF)を示すことがわかった。低温にすると、バルクでのSDWの波長よりも短いCr層厚を持つ4.0nmの試料では、このCAF構造はそのまま保たれているが、それよりも長いCr層厚を持つ試料では、低温でSDW構造に変わったが、その磁気構造はSn層できられたCr層の厚さによって大きく変化した。特に、Cr層厚が10.0nmの試料では温度領域によって、SDWの波長が非連続的に変化するのが観測された。これは、SDWを作ろうとするフェルミ面のネスティング効果で決まる波長とSnを挿入したことで導入された人工的な周期ポテンシャルによる競合の結果であると解釈される。
Sn monatomioc layers慈幸 範洋*; Almokhtar, M.*; 武田 全康; 鈴木 淳市; 新庄 輝也*; 壬生 攻*
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 272-276(Part2), p.1233 - 1234, 2004/05
Cr/Sn及びFe/Cr/Sn/Cr多層膜の磁性のエピタキシャル成長方向依存性を調べた。Fe/Sr/Sn/Cr多層膜では、(011)と(001)方向に成長させた多層膜において、Cr磁気モーメントが縮むことがわかった。また、(011)の方が(001)よりも影響を大きく受けることがわかった。80
のCr層厚を持つCr/Sn多層膜では、(011)に成長した膜ではバルクで観測されるスピン密度波ではなく、単純な反強磁性構造が現れるが、(001)の場合には、膜面に垂直な波数ベクトルを持つスピン密度波が低温で観測された。
