The Carbon vacancy in SiC

Son, N. T.*; Trinh, X. T.*; 須田 淳*; 木本 恒暢*; Lvile, L. S.*; Svensson, B. G.*; Szasz, K.*; Hornos, T.*; Gali, A.*; 梅田 享英*; et al.

no journal, , 

近年、炭化ケイ素(SiC)中の炭素(C)空孔関連欠陥の電子状態などが明らかになってきた。しかし、それらのエネルギー準位や、物性への影響に関してはまだ不明な点が残っている。これまで、電子スピン共鳴(Electron Paramagnetic Resonance: EPR)やDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)によって、ZやEH等の一般的な深い準位にC空孔が含まれることが知られている。具体的には、EHは、C空孔のあるエネルギー準位(0+)に関係していることが明らかになったが、ZとC空孔の関係についてはまだわかっていない。本研究では、電子線を照射した4H-SiCに対して、EPRやDLTSを行い、ZとC空孔の関係について調べた。その結果、EPRによって決定されたZのエネルギー準位とDLTSによるエネルギー準位は非常によい一致を示し、C空孔のある準位(2-0)と一致することを明らかにした。