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田久保 翔太*; 安居院 あかね; Liu, X.*; 鈴木 宏輔*; 櫻井 浩*
no journal, ,
本研究では、角型比の高いTbCoアモルファス垂直磁化膜について磁気コンプトン散乱の印加磁場依存性の測定を行った。これによりスピン選択磁気ヒステリシス曲線、軌道選択磁気ヒステリシス曲線、元素選択磁気ヒステリシス曲線を得た。角型比がほぼ1であるTbCoアモルファス垂直磁化膜は、スピン・軌道・元素別の磁場依存性を反映した複雑な前駆現象を経て、磁化反転することがわかったので報告する。
Co
垂直磁化膜のミクロスコピックな磁化過程の観察安居院 あかね; 櫻井 浩*; 田久保 翔太*; 鈴木 宏輔*; Liu, X.*
no journal, ,
RFスパッタリング法でアルミ箔の上にTi(30nm)/TbCo(200nm)を10層成膜したものを、TbCo膜試料について高輝度放射光を利用した磁気コンプトン散乱測定を行い、印加磁場依存性からスピン選択磁化測定した。全磁化測定とを組み合わせることで、全磁化曲線をスピン成分の磁化曲線(SSMH)、軌道成分の磁化曲線(OSMH)に分ける手法、さらにモデルフィッティングを利用して、スピン成分を構成元素別にした磁化曲線(ESMH)を得、ミクロスコピックな磁化曲線を測定したので報告する。
Co垂直磁化膜のスピン・軌道選択磁化曲線安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。